公开(公告)号：KR100931824B1

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：KR1020070131158

申请日：2007-12-14

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 이동한 ,  김남제

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 반도체 집적광소자에 대한 것으로, 상세하게는 양자점이 형성된 에피텍샬 웨이퍼 상에 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드와 양자점 반도체 광증폭기가 집적 결합되고, 활성층인 양자점군의 가우시안 상태밀도를 이용하여 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 동작파장 및 상기 양자점 반도체 광증폭기의 동작파장이 각각 독립적으로 조절되는 특징을 갖는다.
본 발명의 양자점 집적광소자는 양자점이 형성된 에피웨이퍼의 양자점 성장조건에 민감하지 않고, 재현성이 좋으며, 에피웨이퍼의 이용 효율이 높은 장점을 가지며, 단일한 에피웨이퍼의 한 평면상에 반도체 광증폭기(SOA)와 라만증폭용 반도체 레이저 다이오드(LD)가 집적되어 크기가 작고 경제적이며 안정적인 광소자 칩을 얻을 수 있으며, 집적된 광소자 칩과 광섬유와의 결합점이 대폭 줄어들어 실장이 용이하고, 광의 손실이 적은 장점이 있다.
양자점, 레이저 다이오드, 반도체 광증폭기, 집적광소자

Abstract translation: 提供半导体量子点集成光学器件以通过在晶片的一个平面上集成用于喇曼泵浦的半导体光学放大器和半导体激光二极管来减小尺寸。 量子点集成光学器件包括串联或并联的用于拉曼泵浦的量子点激光二极管（110）和量子点半导体光学放大器（130）。 用于拉曼泵浦的量子点激光二极管使用具有一个或多个量子点层的半导体衬底上的量子点层作为有源层。 用于拉曼泵浦的量子点激光二极管的工作波长由用于拉曼泵浦的量子点激光二极管的有源层的长度，用于拉曼泵浦的施加到量子点激光二极管的电流密度及其组合来控制。 量子点半导体光学放大器的工作波长由量子点半导体光学放大器的有源层的长度，施加到量子点半导体光学放大器的电流密度及其组合来控制。 用于喇曼泵浦的量子点激光二极管和量子点半导体光放大器是独立控制的。

公开(公告)号：KR1020090063700A

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：KR1020070131158

申请日：2007-12-14

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 이동한 ,  김남제

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/309 ,  H01L21/20 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/2228

Abstract: A semiconductor quantum dot integrated optical device is provided to reduce a size by integrating a semiconductor optical amplifier and a semiconductor laser diode for raman pumping on one plane of a wafer. A quantum dot integrated optical device includes a quantum dot laser diode(110) for raman pumping and a quantum dot semiconductor optical amplifier(130) in series or parallel. The quantum dot laser diode for the raman pumping uses the quantum dot layer on the semiconductor substrate with one or more quantum dot layer as an active layer. An operational wavelength of the quantum dot laser diode for raman pumping is controlled by the length of the active layer of the quantum dot laser diode for raman pumping, the current density applied to the quantum dot laser diode for raman pumping and a combination thereof. The operational wavelength of the quantum dot semiconductor optical amplifier is controlled by the length of the active layer of the quantum dot semiconductor optical amplifier, the current density applied to the quantum dot semiconductor optical amplifier, and the combination thereof. The quantum dot laser diode for raman pumping and the quantum dot semiconductor optical amplifier are independently controlled.

Abstract translation: 提供了一种半导体量子点集成光学器件，用于通过在晶片的一个平面上集成用于拉曼泵浦的半导体光放大器和半导体激光二极管来减小尺寸。 量子点集成光学器件包括用于拉曼泵浦的量子点激光二极管（110）和串联或并联的量子点半导体光放大器（130）。 用于拉曼泵浦的量子点激光二极管使用半导体衬底上的量子点层，其中一个或多个量子点层作为有源层。 用于拉曼泵浦的量子点激光二极管的工作波长由用于拉曼泵浦的量子点激光二极管的有源层的长度，施加到用于拉曼泵浦的量子点激光二极管的电流密度及其组合来控制。 量子点半导体光放大器的工作波长由量子点半导体光放大器的有源层的长度，施加到量子点半导体光放大器的电流密度及其组合来控制。 用于拉曼泵浦的量子点激光二极管和量子点半导体光放大器是独立控制的。