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公开(公告)号：WO2017200295A1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：PCT/KR2017/005115
申请日：2017-05-17
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 표면증강 라만산란 기판에 관한 것으로, 본 발명에 따른 표면증강 라만산란 기판은 공중 부유형 제1금속 나노입자, 상기 제1금속 나노입자를 지지하는 지지부재, 상기 제1금속 나노입자와 나노갭을 형성하며 상기 제1금속 나노입자의 둘레를 감싸는 제2금속 막을 포함하며, 상기 제1금속 나노입자의 제1금속 및 제2금속 막의 제2금속은 각각 표면 플라즈몬이 발생하는 금속일 수 있다.
Abstract translation:
增强拉曼本发明是面涉及一种散射基材，增强拉曼根据本发明的散射衬底表面是用于支撑地上部分型第一金属纳米粒子，其特征在于，所述第一金属纳米颗粒的支撑部件 中，在形成第一金属纳米粒子和纳米间隙，并围绕金属纳米粒子，其包括第二金属膜，其中所述第一金属和所述第二金属膜，所述第一金属的第二金属纳米粒子的每个圆周上的第一涡卷的 到表面等离子体激元发生可以是金属。
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公开(公告)号：WO2017200295A9
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：PCT/KR2017/005115
申请日：2017-05-17
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 표면증강 라만산란 기판에 관한 것으로, 본 발명에 따른 표면증강 라만산란 기판은 공중 부유형 제1금속 나노입자, 상기 제1금속 나노입자를 지지하는 지지부재, 상기 제1금속 나노입자와 나노갭을 형성하며 상기 제1금속 나노입자의 둘레를 감싸는 제2금속 막을 포함하며, 상기 제1금속 나노입자의 제1금속 및 제2금속 막의 제2금속은 각각 표면 플라즈몬이 발생하는 금속일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070111746A
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：KR1020060044915
申请日：2006-05-19
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: A wavelength converter using a semiconductor optical amplifier is provided to generate a converted signal with high intensity with low input intensity by increasing FWM(Four-Wave Mixing) by making an outputted light signal be incident on the semiconductor optical amplifier again. A wavelength converter using a semiconductor optical amplifier includes a reflector and an input/output device. The reflector is installed in an output stage of the semiconductor optical amplifier and reflects an output signal. The input/output device has a first input/output stage receiving an input signal, a second input/output stage transferring the input signal to the semiconductor optical amplifier and receiving an amplified signal reflected from the semiconductor optical amplifier, and a third input/output stage outputting the amplified signal from the semiconductor optical amplifier.
Abstract translation: 提供使用半导体光放大器的波长转换器，通过使输出的光信号再次入射到半导体光放大器上，通过增加FWM（四波混频）来产生具有低输入强度的高强度转换信号。 使用半导体光放大器的波长转换器包括反射器和输入/输出装置。 反射器安装在半导体光放大器的输出级中并反射输出信号。 输入/输出装置具有接收输入信号的第一输入/输出级，将输入信号传送到半导体光放大器并接收从半导体光放大器反射的放大信号的第二输入/输出级，以及第三输入/输出 级从半导体光放大器输出放大信号。
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公开(公告)号：KR100931824B1
公开(公告)日：2009-12-15
申请号：KR1020070131158
申请日：2007-12-14
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 반도체 집적광소자에 대한 것으로, 상세하게는 양자점이 형성된 에피텍샬 웨이퍼 상에 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드와 양자점 반도체 광증폭기가 집적 결합되고, 활성층인 양자점군의 가우시안 상태밀도를 이용하여 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 동작파장 및 상기 양자점 반도체 광증폭기의 동작파장이 각각 독립적으로 조절되는 특징을 갖는다.
본 발명의 양자점 집적광소자는 양자점이 형성된 에피웨이퍼의 양자점 성장조건에 민감하지 않고, 재현성이 좋으며, 에피웨이퍼의 이용 효율이 높은 장점을 가지며, 단일한 에피웨이퍼의 한 평면상에 반도체 광증폭기(SOA)와 라만증폭용 반도체 레이저 다이오드(LD)가 집적되어 크기가 작고 경제적이며 안정적인 광소자 칩을 얻을 수 있으며, 집적된 광소자 칩과 광섬유와의 결합점이 대폭 줄어들어 실장이 용이하고, 광의 손실이 적은 장점이 있다.
양자점, 레이저 다이오드, 반도체 광증폭기, 집적광소자Abstract translation: 提供半导体量子点集成光学器件以通过在晶片的一个平面上集成用于喇曼泵浦的半导体光学放大器和半导体激光二极管来减小尺寸。 量子点集成光学器件包括串联或并联的用于拉曼泵浦的量子点激光二极管（110）和量子点半导体光学放大器（130）。 用于拉曼泵浦的量子点激光二极管使用具有一个或多个量子点层的半导体衬底上的量子点层作为有源层。 用于拉曼泵浦的量子点激光二极管的工作波长由用于拉曼泵浦的量子点激光二极管的有源层的长度，用于拉曼泵浦的施加到量子点激光二极管的电流密度及其组合来控制。 量子点半导体光学放大器的工作波长由量子点半导体光学放大器的有源层的长度，施加到量子点半导体光学放大器的电流密度及其组合来控制。 用于喇曼泵浦的量子点激光二极管和量子点半导体光放大器是独立控制的。
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公开(公告)号：KR1020070113379A
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：KR1020060046128
申请日：2006-05-23
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L31/14
Abstract: A gain-clamped semiconductor optical amplifier is provided to clamp the gain of a semiconductor optical amplifier by reflecting a spontaneous emission light generated from a semiconductor optical amplifier and re-irradiating the reflected light to a semiconductor chip. A second lens receives the light outputted from a first optical fiber and advances the received light as parallel light. The parallel light is incident upon a third lens through a first mirror. A semiconductor chip(1) integrates the light input to the third lens and amplifies an input signal. A fourth lens integrates the amplified light on a second optical fiber. The second optical fiber outputs the light integrated by the fourth lens. An anti-reflective coating process can be performed on the first mirror with respect to a wavelength of signal light, and a high reflective coating process is performed on the first mirror with respect to a wavelength smaller than that of the signal light.
Abstract translation: 提供增益钳位的半导体光放大器，用于通过反射从半导体光放大器产生的自发发射光并将反射光再照射到半导体芯片来钳位半导体光放大器的增益。 第二透镜接收从第一光纤输出的光并将接收的光作为平行光前进。 平行光通过第一反射镜入射到第三透镜上。 半导体芯片（1）将光输入集成到第三透镜并放大输入信号。 第四透镜将放大的光集成在第二光纤上。 第二光纤输出由第四透镜集成的光。 可以相对于信号光的波长在第一反射镜上进行抗反射涂覆处理，并且相对于比信号光的波长小的波长，对第一反射镜执行高反射涂覆处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100688325B1
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020050005210
申请日：2005-01-20
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H04B10/07 , H04B10/25 , H04B10/2581
Abstract: WDM-PON(Wavelength Division Multiplexing-Passive Optical Network) 광선로를 감시하는 장치 및 방법으로서, 광대역 광원으로부터 넓은 대역의 광펄스 신호를 발생하여 OLT(Optical Line Terminator)단과 RN(Remote Node)단을 연결하는 광선로에 인가한 후, 상기 광선로에 인가된 광펄스 신호가 상기 RN단에서 AWG(Arrayed Waveguide)를 통과하면서 파장별로 분할되어, 각 ONU(Optical Network Unit)단으로 진행하도록 한다. 다음으로, 상기 파장 분할된 광펄스 신호에 의해 각 ONU단에서 발생되고 파장 다중화된 후방 산란광을 수신하여, 파장 선택기로 투과 대역을 조절함으로써, 측정하고자 하는 ONU단에 인가된 광펄스 신호의 파장을 선택할 수 있다. 따라서 각 ONU단과 OLT단 사이의 광선로를 독립적으로 감시할 수 있다.
WDM-PON, 광선로, 감시장치, OTDR, 광대역 광원, 파장 선택-
公开(公告)号：KR100601136B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020040042142
申请日：2004-06-09
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 이득고정 반도체 광증폭기에 관한 것으로서, 광신호를 전달하는 제 1 광섬유를 통해 입사된 광신호를 반도체 칩을 통해 증폭하여 제 2 광섬유로 출력하는 반도체 광증폭기에 있어서, 상기 제 1 광섬유를 통해 출력된 광신호를 집적시켜 상기 반도체 칩으로 입사시킴과 아울러 자발 방출광은 반사시키는 제 1 반사/집적수단, 반도체 칩으로부터 증폭 출력된 광신호를 집적시킴과 아울러 반도체 칩으로부터 출력된 자발방출광 중 일부를 반사시키는 제 2 반사/집적수단를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
이득고정, 반도체, 광증폭기, 광신호, 광섬유, 렌즈, 반사, 자발방출광, 코팅-
公开(公告)号：KR1020060084529A
公开(公告)日：2006-07-25
申请号：KR1020050005210
申请日：2005-01-20
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H04B10/07 , H04B10/25 , H04B10/2581
Abstract: WDM-PON 광선로를 감시하는 장치 및 방법으로서, 광대역 광원으로부터 넓은 대역의 광펄스 신호를 발생하여 OLT단과 RN단을 연결하는 광선로에 인가한 후, 상기 광선로에 인가된 광펄스 신호가 상기 RN단에서 AWG를 통과하면서 파장별로 분할되어, 각 ONU단으로 진행하도록 한다. 다음으로, 상기 파장 분할된 광펄스 신호에 의해 각 ONU단에서 발생되고 파장 다중화된 후방 산란광을 수신하여, 파장 선택기로 투과 대역을 조절함으로써, 측정하고자 하는 ONU단에 인가된 광펄스 신호의 파장을 선택할 수 있다. 따라서 각 ONU단과 OLT단 사이의 광선로를 독립적으로 감시할 수 있다.
WDM-PON, 광선로, 감시장치, ODTR, 광대역 광원, 파장 선택-
公开(公告)号：KR100784115B1
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：KR1020060030833
申请日：2006-04-05
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H04B10/25 , G02B6/293 , H04B10/291 , H04L12/28
Abstract: 본 발명은 수동형 광가입자망 시스템의 전송거리를 증가하기 위하여 원격 펌핑 광증폭기를 사용함으로써, Remote Node(RN)에서 전력을 사용하지 않고 광신호를 증폭시킬 수 있어 장거리 전송이 가능하며, 또한 유지가 편리하여 경제적인 장거리 수동형 광가입자망 시스템의 구성이 가능하도록 하는 원격 펌핑 광증폭기를 이용하는 수동형 광가입자망 시스템에 관한 것이다. 본 발명은, Optical Line Terminator(OLT)와 Remote Node가 광섬유로 연결된 수동형 광가입자망 시스템에 있어서, 상기 OLT단에는 어븀이 첨가된 광섬유(Erbium-doped fiber: EDF)를 펌핑하기 위한 펌핑 광원을 구비하고, 상기 RN단에는 EDF를 구비하는 것을 특징으로 한다. 상기 원격 펌핑 광증폭기는 상향 광신호와 하향 광신호를 동시에 증폭하는 양방향 원격 펌핑 광증폭기이거나, C-band 하향 광신호와 L-band 상향 광신호를 동시에 증폭하는 양방향 원격 펌핑 광증폭기이거나, L-band 하향 광신호와 C-band 상향 광신호를 동시에 증폭하는 양방향 원격 펌핑 광증폭기이거나, 상향 광신호 또는 하향 광신호만을 선택적으로 증폭하는 단방향 원격 펌핑 광증폭기인 것이 바람직하다.
수동형 광가입자망 시스템, 전송거리 증가, 전송용량 증가, 원격 펌핑 광증폭기, 상하향 광신호, EDF-
公开(公告)号：KR1020090063700A
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020070131158
申请日：2007-12-14
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/309 , H01L21/20 , H01S5/1221 , H01S5/2228
Abstract: A semiconductor quantum dot integrated optical device is provided to reduce a size by integrating a semiconductor optical amplifier and a semiconductor laser diode for raman pumping on one plane of a wafer. A quantum dot integrated optical device includes a quantum dot laser diode(110) for raman pumping and a quantum dot semiconductor optical amplifier(130) in series or parallel. The quantum dot laser diode for the raman pumping uses the quantum dot layer on the semiconductor substrate with one or more quantum dot layer as an active layer. An operational wavelength of the quantum dot laser diode for raman pumping is controlled by the length of the active layer of the quantum dot laser diode for raman pumping, the current density applied to the quantum dot laser diode for raman pumping and a combination thereof. The operational wavelength of the quantum dot semiconductor optical amplifier is controlled by the length of the active layer of the quantum dot semiconductor optical amplifier, the current density applied to the quantum dot semiconductor optical amplifier, and the combination thereof. The quantum dot laser diode for raman pumping and the quantum dot semiconductor optical amplifier are independently controlled.
Abstract translation: 提供了一种半导体量子点集成光学器件，用于通过在晶片的一个平面上集成用于拉曼泵浦的半导体光放大器和半导体激光二极管来减小尺寸。 量子点集成光学器件包括用于拉曼泵浦的量子点激光二极管（110）和串联或并联的量子点半导体光放大器（130）。 用于拉曼泵浦的量子点激光二极管使用半导体衬底上的量子点层，其中一个或多个量子点层作为有源层。 用于拉曼泵浦的量子点激光二极管的工作波长由用于拉曼泵浦的量子点激光二极管的有源层的长度，施加到用于拉曼泵浦的量子点激光二极管的电流密度及其组合来控制。 量子点半导体光放大器的工作波长由量子点半导体光放大器的有源层的长度，施加到量子点半导体光放大器的电流密度及其组合来控制。 用于拉曼泵浦的量子点激光二极管和量子点半导体光放大器是独立控制的。
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