公开(公告)号：KR100982185B1

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：KR1020080091452

申请日：2008-09-18

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 김동표 ,  홍난영 ,  유향임 ,  이의화

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

Abstract: 발명은 광 가교형 무기고분자형 네가티브 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스 조성물을 개발하고 이를 이용하여 최대 1cm, 최소 10nm 크기의 무기고분자 패턴과 구조물을 대량 제조할 수 있는 공정을 제공하는 것이다. 또한 연이은 열처리 공정에 의해 세라믹 조성의 패턴과 구조물을 제조할 수 있는 공정도 개발한다. 이로서 추후 미세 기계전자 소자 및 각종 미세 유체소자 장치에 활용될 수 있는 부품 제조에 활용할 수 있는 중합체, 조성물 및 그를 이용한 무기고분자 패턴을 제조할 수 있는 공정을 제공하는 것이다.
포토레지스트, 네가티브, 무기고분자, 폴리실라잔, 이광자흡수법, 비스(아크릴로일 옥시메틸)에틸 이소 시아네이트(1,1-bis(acryloyloxymethyl) ethyl isocyanate)

公开(公告)号：KR1020100032528A

公开(公告)日：2010-03-26

申请号：KR1020080091452

申请日：2008-09-18

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 김동표 ,  홍난영 ,  유향임 ,  이의화

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

Abstract: PURPOSE: A photopolymerizable negative photoresist modified polymer and an inorganic polymer-type negative photoresist composition including the same are provided to enable mass production of inorganic polymer pattern and structure with size of maximum 1cm and minimum 10nm. CONSTITUTION: A photopolymerizable negative photoresist modified polymer is prepared by reaction of a polymer including a repeating unit represented by -(Si(Ra)2-NH)n- or -(Si(NHRd)(Rb)-O)m-(Si(Rc)2-O)k- with a diacryl compound of chemical formula 2. In chemical formula, Ra, Rb and Rc are independently selected from H, ORd, NHRd, vinyl or C1~C10 low alkyl group; Rd is H or C1~C10 linear or branched low alkyl group; n, m and k are an integer of 1 ~ 200.

Abstract translation: 目的：提供可光聚合的负性光致抗蚀剂改性聚合物和包含该光致抗蚀剂的无机聚合物型负性光致抗蚀剂组合物，以能够大规模生产尺寸最大为1cm和最小10nm的无机聚合物图案和结构。 构成：可光聚合的负性光致抗蚀剂改性聚合物是通过包括由 - （Si（Ra）2 -NH）n-或 - （Si（NHRd）（Rb）-O）m - （Si （Rc）2-O）k-与化学式2的二丙烯酸酯化合物。在化学式中，Ra，Rb和Rc独立地选自H，ORd，NHRd，乙烯基或C1〜C10低级烷基; Rd为H或C1〜C10直链或支链低级烷基; n，m和k是1〜200的整数。