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公开(公告)号：KR101166690B1
公开(公告)日：2012-07-19
申请号：KR1020100054238
申请日：2010-06-09
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일실시예에 따른 강자성층/공간층/반강자성층의 3층 구조에 기반을 둔 고 자장 민감도 평면 홀 효과 센서는, IrMn 및 NiO로 구성된 반강자성(AFM) 층, Cu, Ag, Au, Ru, 및 Ta으로 구성된 공간층(spacer), 및 NiFe 및 NiCo로 구성된 강자성(FM) 층으로 이루어는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101093776B1
公开(公告)日：2011-12-19
申请号：KR1020100005657
申请日：2010-01-21
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 자기장을 감지하는 자기센서에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 자기센서는 폐 루프(closed loop) 형상의 자성층; 서로 대향하여 상기 폐 루프와 접하며, 전류가 입/출력되는 한 쌍의 전류단자; 및 서로 대향하여 상기 폐 루프와 접하며, 출력전압을 검출하는 한 쌍의 전압단자를 포함하여 구성되고, 이방성자기저항(AMR; anisotropic magneto-resistance) 및 평면홀저항(PHR; planar hall resistance)이 모두 출력 전압에 기여하여, 강자성-반강자성층 박막 구조, 강자성-금속-강자성-반강자성 박막 구조에 의한 강자성층의 교환 결합력에 의한 출력전압의 이력특성을 제거하고, 상기 폐 루프의 내부 또는 외부에 폐 루프와 동일한 자성층을 폐 루프와 분리하여 위치함으로써 폐 루프의 형상이방성인자에 의한 이력특성을 최소화하고 자기센서의 출력전압을 안정화시키며, 민감도를 향상시키는 특징이 있다. 또한 원형의 대칭형 폐루프 형상을 통하여 신호의 선형성 및 대칭성을 강화함으로써 광대역의 직류 및 교류 자기장을 초고감도로 감지할 수 있는 특징이 있다.
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3.发明公开
公开(公告)号：KR1020110134594A
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020100054238
申请日：2010-06-09
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A high magnetic field sensitivity planar hall effect sensor is provided to enhance magnetic field sensitivity and to reduce exchange coupling by enlarging an active current which passes through a ferromagnetic layer and forming a space layer thinly. CONSTITUTION: A high magnetic field sensitivity planar hall effect sensor is composed of an anti- ferroelectric material layer, a space layer, and a ferromagnetic layer. The ferromagnetic layer is composed of NiFe and NiCo. The space layer is composed of Cu, Ag, Au, Ru, and Ta. The anti- ferroelectric material layer is composed of IrMn and NiO. The high magnetic field sensitivity planar hall effect sensor appropriately has the exchange coupling of an appropriate size. The field sensitivity of the high magnetic field sensitivity planar hall effect sensor is high.
Abstract translation: 目的：提供高磁场灵敏度平面霍尔效应传感器，以增强磁场灵敏度，并通过放大穿过铁磁层并形成空间层的有功电流来减少交换耦合。 构成：高磁感应平面霍尔效应传感器由抗铁电材料层，空间层和铁磁层组成。 铁磁层由NiFe和NiCo组成。 空间层由Cu，Ag，Au，Ru和Ta组成。 抗铁电材料层由IrMn和NiO组成。 高磁场灵敏度平面霍尔效应传感器适当地具有适当尺寸的交换耦合。 高磁场灵敏度平面霍尔效应传感器的场灵敏度高。
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公开(公告)号：KR1020110085725A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100005657
申请日：2010-01-21
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A magnetic sensor is provided to use all of an anisotropic magnetoresistance feature and a hall resistance feature, thereby detecting a DC and AC magnetic field with an ultrahigh sensitivity. CONSTITUTION: A magnetic layer(110) is comprised of a closed loop shape. A pair of current terminals(121,122) is adjacent to a closed loop with faced each other, and a current is inputted/outputted. A pair of voltage terminals(131,132) is adjacent to the closed loop with faced each other and detects an output voltage. The output voltage outputted in the pair of voltage terminals is by an anisotropic magnetoresistance(AMR;anisotropic magnetoresistance) of the magnetic layer and an plane hall resistance(PHR; planar hall resistance). The ratio(r/w ratio) of a radius(r:radius) to a width(w:width) of the loop is 0.5 or greater.
Abstract translation: 目的：提供磁传感器以使用各向异性磁阻特征和霍尔电阻特征，从而以超高灵敏度检测DC和AC磁场。 构成：磁性层（110）由闭环形状构成。 一对电流端子（121,122）与彼此相对的闭环相邻，并且输入/输出电流。 一对电压端子（131,132）与闭环相邻并且彼此面对并检测输出电压。 在一对电压端子中输出的输出电压是通过磁性层的各向异性磁阻（AMR;各向异性磁阻）和平面霍尔电阻（PHR;平面霍尔电阻）来实现的。 半径（r：半径）与环的宽度（w：宽度）的比率（r / w比）为0.5以上。
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