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1.发明公开양자도트형 기능구조체 제작장치와 양자도트형 기능구조체제작방법 및 양자도트형 기능구조체 및 광기능소자 有权量子点式功能结构制造装置和量子点式功能结构制造方法以及量子点式功能结构和光学功能元件
公开(公告)号：KR1020010103569A
公开(公告)日：2001-11-23
申请号：KR1020010007700
申请日：2001-02-16
Applicant: 파나소닉 주식회사 , 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼
IPC: H01L21/203
Abstract: 본 발명은 단입입경·균일구조의 고순도 초미립자를 효율적으로 제작하고, 또한 기판상에 투명매질과 함께 퇴적함으로써 투명매질중에 초미립자가 균질하게 분산된 양자도트형 기능구조체를 제작한다. 이를 위해서, 저압 희가스 분위기하에서 반도체 타겟을 펄스레이저광으로 여기하고, 어브레이션반응에 의해 반도체타겟의 이탈·사출을 행하고, 또한 공중에서 응축·성장시켜서 고순도 반도체 초미립자를 생성하는 초미립자 생성실과 초미립자를 분급하는 초미립자 분급실과, 고순도 반도체 초미립자가 기판상에 포집됨과 동시, 또는 번갈아 투명매질타겟을 엑시머레이저광으로 여기하고, 어브레이션반응에 의해 생성된 물질을 기판상에 포집하여 투명매질과 고순도반도체 초미립자를 퇴적하는 퇴적실 및 캐리어가스 배기계에 의해 구성되는 양자도트형 기능구조체 제작장치를 제공하는 것이다.
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公开(公告)号：KR100448417B1
公开(公告)日：2004-09-14
申请号：KR1020040028084
申请日：2004-04-23
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L31/0284 , H01L31/09 , H01L33/346
Abstract: An optoelectronic material, device applications, and methods for manufacturing the optoelectronic material are provided to make it possible to obtain stable characteristics without deterioration of luminescence over time in the atmosphere. The optoelectronic material is composed of a porous silicon the surface of which is nitrided to form a silicon nitride layer thereon. This allows a stable electroluminescence to be obtained, without oxidation of the surface of the porous silicon.
Abstract translation: 提供光电子材料，器件应用和用于制造光电子材料的方法以使得可以获得稳定的特性，而不会在大气中随着时间的发光劣化。 光电子材料由多孔硅构成，多孔硅的表面被氮化以在其上形成氮化硅层。 这使得可以获得稳定的电致发光，而不会氧化多孔硅的表面。
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公开(公告)号：KR1020010088335A
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：KR1020010007675
申请日：2001-02-16
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L31/0284 , H01L31/09 , H01L33/346
Abstract: PURPOSE: To provide an optoelectronic material, for an applied element and a method for manufacturing the optoelectronic material, which has no deteriorations, etc., of emission characteristics in the atmosphere to obtain stable characteristics. CONSTITUTION: This optoelectronic material is composed of a porous silicon 12, and the surface of the porous silicon 12 is nitrided to form a silicon nitride film 13. Thus a stable light emission can be obtained, without having to oxidize the surface of the porous silicon 12.
Abstract translation: 目的：提供一种光电子材料，用于制造光电子材料的应用元件和方法，该光电材料在大气中不发生特性的劣化等，以获得稳定的特性。 构成：该光电子材料由多孔硅12构成，并且多孔硅12的表面被氮化以形成氮化硅膜13.因此，可以获得稳定的发光，而不必氧化多孔硅的表面 12。
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公开(公告)号：KR100291456B1
公开(公告)日：2001-09-07
申请号：KR1019980701195
申请日：1997-05-26
Applicant: 파나소닉 주식회사 , 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/203
Abstract: 본 발명은 제어가능한 전기적 특성을 가지는 균일 매질와, 100㎚이하의 평균 입자 크기를 가지며 상기 균일 매질 내에 분산된 반도체 초미립자를 갖는 광전자 재료와, 이를 사용한 응용 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 저압의 불활성 가스 분위기의 반응 챔버 내에 마련된 제 1 타겟의 반도체 물질과 상기 반응 챔버 내에 마련된 제어가능한 전기적 특성을 갖는 제 2 타겟 매질 물질에 레이저 빔을 조사하는 단계와, 100㎚이하의 평균 입자 크기를 갖는 초미립자로서 수집될 상기 제 1 타겟으로부터 애블레이트된 반도체 물질을 상기 반응 챔버 내에 마련된 기판 상에 농축 및 성장시키는 단계와, 상기 반응 챔버 내에 마련된 기판 상에 수집될 제 2 타겟으로부터 애블레이트된 매질 물질을 농축 및 성장시켜 매질 내에 분산된 반도체 초미립자를 갖는 초미립자 분산층을 기판 상에 형성하는 광전자 재료 제조 방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990037716A
公开(公告)日：1999-05-25
申请号：KR1019980701195
申请日：1997-05-26
Applicant: 파나소닉 주식회사 , 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/203
Abstract: 본 발명은 제어가능한 전기적 특성을 가지는 균일 매체와, 100㎚이하의 평균 입자 크기를 가지며 상기 균일 매체내에 분포된 반도체 초미립자를 갖는 광전자 재료와, 이를 사용한 응용 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 저압의 불활성 가스 분위기의 반응 챔버내에 마련된 제 1 타겟의 반도체 물질과 상기 반응 챔버내에 마련된 제어가능한 전기적 특성을 갖는 제 2 타겟 매체 물질에 레이저 빔을 조사하는 단계와, 100㎚이하의 평균 입자 크기를 갖는 초미립자로서 수집될 상기 제 1 타겟으로부터 애블레이트된 반도체 물질을 상기 반응 챔버내에 마련된 기판상에 농축 및 성장시키는 단계와, 상기 반응 챔버내에 마련된 기판상에 수집될 제 2 타겟으로부터 애블레이트된 매체 물질을 농축 및 성장시켜 매체내에 분포된 반도체 초미립자를 갖는 초미립자 분포층을 기판상에 형성하는 광전자 재료 제조 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100483481B1
公开(公告)日：2005-04-15
申请号：KR1020010007675
申请日：2001-02-16
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L31/0284 , H01L31/09 , H01L33/346
Abstract: 광전자재료 및 응용소자, 및 광전자재료의 제조방법에 관한 것으로 대기중에서의 발광특성의 경시변화 등이 없는 안정한 특성이 얻어지는 광전자재료의 제조방법을 제공하기 위하여, 다공질 실리콘으로 이루어지는 광전자재료로 다공질 실리콘의 표면을 질화하여 실리콘 질화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광전자재료이고, 이로써 다공질 실리콘의 표면이 산화되는 일 없이 안정한 발광을 얻을 수가 있다.
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公开(公告)号：KR100442982B1
公开(公告)日：2004-09-18
申请号：KR1019970012475
申请日：1997-04-04
Applicant: 파나소닉 주식회사
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/30426
Abstract: A withdrawn electrode is formed on a silicon substrate with intervention of upper and lower silicon oxide films each having circular openings corresponding to regions in which cathodes are to be formed. Tower-shaped cathodes are formed in the respective openings of the upper and lower silicon oxide films and of the withdrawn electrode. Each of the cathodes has a sharply tapered tip portion having a radius of 2 nm or less, which has been formed by crystal anisotropic etching and thermal oxidation process for silicon. The region of the silicon substrate exposed in the openings of the upper and lower silicon oxide films and the cathode have their surfaces coated with a thin surface coating film made of a material having a low work function.
Abstract translation: 在硅衬底上形成一个取出的电极，介入上部和下部氧化硅膜，每个氧化硅膜具有对应于要形成阴极的区域的圆形开口。 塔形阴极形成在上和下氧化硅膜和撤回电极的各个开口中。 每个阴极具有尖锐的锥形尖端部分，其具有2nm或更小的半径，其已经通过晶体各向异性蚀刻和用于硅的热氧化工艺而形成。 暴露于上下氧化硅膜和阴极的开口中的硅基板的区域的表面涂覆有由具有低功函数的材料制成的薄表面涂层膜。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR1020040043147A
公开(公告)日：2004-05-22
申请号：KR1020040028084
申请日：2004-04-23
Applicant: 파나소닉 주식회사
IPC: H01L33/16
CPC classification number: H01L31/0284 , H01L31/09 , H01L33/346
Abstract: PURPOSE: An optoelectronic material and a method for manufacturing an optoelectronic material is provided to obtain an optoelectronic material which emits at a constant illumination level without being oxidized in air. CONSTITUTION: A target material(107) is arranged in a reaction chamber(101). An accumulation substrate(109) is arranged inside of the reaction chamber. A laser light is irradiated on the target material in order to cause an ejection of the target material. Microparticles resulted from condensing the ejected material in air atmosphere are collected on the accumulating substrate in order to obtain an optoelectric material. In an ablation operation where the target material is ejected by illuminating the laser light, a nitride atmosphere gas is introduced at a constant pressure, and at least a surface of a whole portion of the microparticles is nitride-treated.
Abstract translation: 目的：提供光电子材料和制造光电子材料的方法，以获得以恒定的照明水平发射而不在空气中被氧化的光电子材料。 构成：在反应室（101）中配置目标材料（107）。 积聚基板（109）布置在反应室内部。 激光照射在目标材料上以引起目标材料的喷射。 在空气气氛中将喷射材料冷凝而产生的微粒被收集在积聚基板上，以获得光电材料。 在通过照射激光来喷射目标材料的消融操作中，以恒定的压力引入氮化物气氛气体，并且至少将微粒的整个部分的表面进行氮化物处理。
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10.发明授权양자도트형 기능구조체 제작장치와 양자도트형 기능구조체제작방법 및 양자도트형 기능구조체 및 광기능소자 有权양자도트형기능구조체제작장치와양자도트형기능구조체제작방법및양자도트형기능구조체및광기능자
公开(公告)号：KR100393128B1
公开(公告)日：2003-07-31
申请号：KR1020010007700
申请日：2001-02-16
Applicant: 파나소닉 주식회사 , 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼
IPC: H01L21/203
CPC classification number: B82Y30/00 , B22F9/12 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , B82Y10/00 , C23C14/06 , C23C14/228 , C23C14/28 , H01L33/0054 , B22F1/0018 , B22F2202/11
Abstract: The present invention is to fabricate a quantum dot functional structure having ultra-fine particles homogeneously distributed in a transparent medium by efficiently fabricating high-purity ultra-fine particles having a single particle diameter and uniform structure and depositing the ultra-fine particles onto a substrate in conjunction with the transparent medium. For these purposes, an apparatus for fabricating a quantum dot functional structure is provided. The apparatus comprises: an ultra-fine particle generating chamber for generating high-purity ultra-fine particles by exciting a semiconductor target with pulsed laser light in a low-pressure rare gas atmosphere, and then by allowing the semiconductor target to be detached or ejected by ablation reaction and condensed and grown in the gas; an ultra-fine particle classifying chamber for classifying the ultra-fine particles; a depositing chamber for depositing the high-purity semiconductor ultra-fine particles and the transparent medium by exciting a transparent medium target with excimer laser light at the same time or alternately when the high-purity semiconductor ultra-fine particles are collected onto the substrate, and by collecting the substance generated through ablation reaction onto the substrate; and a carrier gas exhaust system.
Abstract translation: 本发明通过有效地制造具有单一粒径和均匀结构的高纯度超细颗粒并将超细颗粒沉积到基板上来制造具有均匀分布在透明介质中的超细颗粒的量子点功能结构 与透明介质结合使用。 为此目的，提供了一种用于制造量子点功能结构的装置。 该设备包括：超低微粒产生室，用于通过在低压稀有气体气氛中用脉冲激光激发半导体靶产生高纯度超细颗粒，然后通过使半导体靶脱离或喷射 通过消融反应并在气体中冷凝并生长; 超细颗粒分级室，用于分级超细颗粒; 当高纯度半导体超细颗粒被收集到衬底上时，通过用准分子激光同时或交替地激发透明介质靶来沉积高纯度半导体超细颗粒和透明介质的沉积室， 并通过将通过消融反应产生的物质收集到基底上; 和一个载气排气系统。 ＆lt;图像＆GT;
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