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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130033251A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：KR1020110103114
申请日：2011-10-10
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 공주대학교 산학협력단
IPC: H01M4/38 , H01M4/1395 , B82B3/00 , H01M10/0525
Abstract: PURPOSE: A nanostructure is provided to improve electron conductivity and structural stability and to obtain high capacity and high retention for the negative electrode of a lithium secondary battery. CONSTITUTION: A nanostructure consists of a core/shell structure that a core is made of a metal silicide and is covered with silicon. A manufacturing method of the nanostructure comprises a step of forming a metal thin film on a substrate(11); a step of forming an oxide film by oxidizing a part of the metal thin film; a step of injecting silicon-containing reaction gas into an oxide film and forming a metal silicide nanostructure(14); a step of injecting the silicon-containing reaction gas into the metal silicide nanostructure and forming silicon on the surface of the metal silicide nanostructure.
Abstract translation: 目的：提供纳米结构以提高电子传导性和结构稳定性，并为锂二次电池的负极获得高容量和高保留性。 构成：纳米结构由芯/壳结构组成，核心由金属硅化物制成并被硅覆盖。 纳米结构的制造方法包括在基板（11）上形成金属薄膜的工序。 通过氧化金属薄膜的一部分来形成氧化膜的步骤; 将含硅反应气体注入氧化膜并形成金属硅化物纳米结构（14）的步骤; 将含硅反应气体注入到金属硅化物纳米结构中并在金属硅化物纳米结构的表面上形成硅的步骤。
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公开(公告)号：KR100985885B1
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020080060078
申请日：2008-06-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 니켈 실리사이드 나노 선(wire)을 제조함에 있어서 그 밀도를 조절할 수 있고 직경을 균일하게 할 수 있는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 대면적 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 니켈 실리사이드 나노 구조체 형성방법은 니켈층과 실리콘을 포함하는 반응 기체 간의 합성 전에, 니켈층의 표면에 형성된 산화막에 대해 산화 또는 환원처리를 하여 산화막의 양을 조절함으로써, 합성시 형성되는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 밀도가 조절되도록 하는 것을 특징으로 한다.
니켈 실리사이드, 나노 구조체-
公开(公告)号：KR101317812B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020110103114
申请日：2011-10-10
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 공주대학교 산학협력단
IPC: H01M4/38 , H01M4/1395 , B82B3/00 , H01M10/0525
Abstract: 본 발명은 금속 실리사이드로 이루어진 나노 선 형상의 코어와 상기 코어의 표면에 실리콘이 덮여진 코어-쉘 구조의 나노 구조체로서 특히 리튬 이온 전지의 음극에 사용되었을 때 고보존력(high retention)과 고충방전(high capacity) 특성을 나타낼 수 있는 나노 구조체와 이의 형성 방법 및 상기 나노 구조체를 적용한 리튬 이온 전지에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明核心二进制硅被覆盖的纳米线状芯和由金属硅化物高保持率（高保持率）和投诉放电的芯的表面上时尤其用于锂离子电池作为壳结构的纳米结构的负电极（ 高容量，形成纳米结构的方法，以及使用该纳米结构的锂离子电池。
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公开(公告)号：KR1020100000541A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080060078
申请日：2008-06-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for forming nickel silicide nano structure through oxide-reduction reaction of nickel thin film catalyst is provided to apply on various areas having different densities. CONSTITUTION: A method for forming a nickel silicide nano structure comprises: a step of forming a nickel layer(33) on a substrate(31); a step of regulating the amount of oxide film(34) formed on the nickel layer through oxidation or reduction; and a step of reacting reaction vapor containing the silicon with nickel layer and oxide film to synthesize the nickel silicide. The amount of oxide film is regulated by controlling oxidation time. The substrate is quartz substrate, ITO substrate, glass substrates or SiO2/Si substrate.
Abstract translation: 目的：提供通过镍薄膜催化剂的氧化还原反应形成镍硅化物纳米结构的方法，以应用于具有不同密度的各种区域。 构成：形成硅化镍纳米结构的方法包括：在衬底（31）上形成镍层（33）的步骤; 通过氧化还原来调节形成在镍层上的氧化膜（34）的量的步骤; 以及使含有硅的反应蒸气与镍层和氧化物膜反应以合成硅化镍的步骤。 通过控制氧化时间来调节氧化膜的量。 衬底是石英衬底，ITO衬底，玻璃衬底或SiO 2 / Si衬底。
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5.发明公开니켈 실리사이드 나노 구조체를 포함하는 전자 방출원,이를 이용한 전자 방출 소자 및 니켈 실리사이드 나노구조체 제조 방법 无效电子发射源，包括镍硅氧烷纳米结构，电子发射装置使用电子发射源和制备镍硅氧烷纳米结构的方法
公开(公告)号：KR1020090046533A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020070112746
申请日：2007-11-06
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 니켈 실리사이드 나노 구조체를 포함하는 전자 방출원을 제공한다. 상기 본 발명에 따른 니켈 실리사이드 나노 구조체는 높은 종횡비를 가지며, 선단이 뾰족한 형태로서 우수한 전기적 특성을 갖는다. 따라서 상기 본 발명에 따른 니켈 실리사이드 나노 구조체를 이용한 전자 방출 소자는 구동전압, 전계 방출 특성 등에 있어서 우수한 특성을 구현할 수 있다. 또한, 상기 니켈 실리사이드 나노 구조체는 실리콘 기반 물질로서 실리콘 기반 산업에 접목이 유리하다. 한편, 본 발명에 따른 니켈 실리사이드 나노 구조체 제조 방법은 저온 공정이 가능함에 따라, 공정 단가를 낮추며, 또한 촉매를 사용하는 통상적인 나노 구조체 공정에 비하여 단순화된 것으로서, 양산 가능한 제조 방법이다.
나노 구조체, 니켈 실리사이드, 전자 방출원
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