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公开(公告)号：WO2020055013A1
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：PCT/KR2019/011160
申请日：2019-08-30
Applicant: 기초과학연구원 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/268
Abstract: 본 발명에 따른 2차원 반도체는, 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접하는 제2 영역을 갖는 2차원 전이금속 칼코겐화합물 막을 포함하되, 상기 제1 영역은 제1 도전형을 갖고, 상기 제2 영역은 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지며, 상기 제1 영역은 산소 원자가 도핑되어 있다.
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公开(公告)号：KR102080083B1
公开(公告)日：2020-02-24
申请号：KR1020180109225
申请日：2018-09-12
Applicant: 기초과학연구원 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/268
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公开(公告)号：KR101933109B1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：KR1020170083829
申请日：2017-06-30
Applicant: 기초과학연구원 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/08 , H01L29/778
Abstract: 2차원 이종 접합 구조 및 방법에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 2차원 이종 접합 구조는 제1 면저항 값을 가지며, 기판의 평면 상에 위치하는 제1 층; 및 상기 제1 면저항 값과 다른 제2 면저항 값을 가지며, 상기 제1 층의 측면에 위치하는 에피층인 제2 층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 2차원 이종 접합 방법은 제1 면저항 값을 가지며, 기판의 평면 상에 위치하는 제1 층; 및 상기 제1 면저항 값과 다른 제2 면저항 값을 가지며, 상기 제1 층의 측면에 위치하는 에피층인 제2 층;을 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR101493838B1
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：KR1020130144719
申请日：2013-11-26
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 상온과 저온에서 시료에 레이저의 입사위치를 연속적으로 변화시켜가면서 광발광 및 반사광을 검출하여 광발광 이미지와 반사 이미지를 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 광발광을 측정하고 이미징하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 在本发明中，提供了一种用于测量和成像光致发光的装置和方法，其允许在室温至低温下将样品上的激光入射点连续地改变，从而检测光致发光和反射光，从而获得 光致发光和反射光。 在本发明中，该装置使用超连续谱激光器和单色仪，因此允许选择400和2000nm波长之间的一定波长，从而根据需要改变波长并导致光谱信息的获取。
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公开(公告)号：KR101073051B1
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：KR1020090053969
申请日：2009-06-17
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
Abstract: 본발명은기판위에실리콘박막을고속으로증착할수 있는실리콘박막증착장치및 이를이용한실리콘박막증착방법에관한것이다. 실리콘박막의증착방법은, 기판을세척하여기판표면의이물질을제거하고, 기판을챔버내부에장착하고, 냉각유체를이용하여기판을냉각시키고, 챔버를가열하여기판과챔버사이에온도구배를형성하고, 챔버내부로실리콘소스가스를주입후 실리콘소스가스를가열및 열분해하여기판위에실리콘박막을증착하는단계들을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100985885B1
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020080060078
申请日：2008-06-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 니켈 실리사이드 나노 선(wire)을 제조함에 있어서 그 밀도를 조절할 수 있고 직경을 균일하게 할 수 있는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 대면적 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 니켈 실리사이드 나노 구조체 형성방법은 니켈층과 실리콘을 포함하는 반응 기체 간의 합성 전에, 니켈층의 표면에 형성된 산화막에 대해 산화 또는 환원처리를 하여 산화막의 양을 조절함으로써, 합성시 형성되는 니켈 실리사이드 나노 구조체의 밀도가 조절되도록 하는 것을 특징으로 한다.
니켈 실리사이드, 나노 구조체-
公开(公告)号：KR100960391B1
公开(公告)日：2010-05-28
申请号：KR1020070137305
申请日：2007-12-26
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00 , C01B33/113 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 기판에 대해 실질적으로 수직한 나노 와이어를 형성하기 위한 나노 디바이스의 제조 방법 및 그 제조 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 나노 디바이스의 제조 방법은 챔버 내에 실리콘 소스 가스를 공급하는 단계, 챔버 내에 수납된 기판의 온도를 실리콘 소스 가스의 온도와 별개로 제어하는 단계, 기판의 온도를 제어하여 기판 위에 온도 구배를 형성하는 단계, 및 온도 구배에 따라 기판의 판면에 실질적으로 수직인 방향으로 뻗은 실리콘 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함한다.
실리콘 나노 와이어, 화학기상증착법, 냉각관, 석영기판-
公开(公告)号：KR101996407B1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：KR1020160002593
申请日：2016-01-08
Applicant: 기초과학연구원 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L31/055 , H01L31/107 , H01L31/04 , H01L31/18
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公开(公告)号：KR101493836B1
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：KR1020130144697
申请日：2013-11-26
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01N21/47
Abstract: 본 발명은 광전류 및 광전압을 측정하고 이미징하는 장치에 관한 것으로 파장의 변화가 가능한 레이저가 샘플에 도달하면서 발생하게 되는 광전류와 샘플에서 반사된 레이저로부터 이미지 전압신호를 출력하게 되고, 상기 광전류와 이미지 전압신호는 로크인 앰프와 같은 검출부를 사용하여 노이즈를 제거하게 되는데, 이때 샘플이 배치된 스테이지는 100nm 간격으로 XY방향의 이동이 가능하여 스테이지를 이동하면서 샘플의 광전류 및 이미지 전압신호 출력을 연속적으로 측정하게 되고 이를 컴퓨터상에 데이터화하여 광전류 이미지 및 반사 이미지를 얻을 수 있게 되는 광전류 및 광전압을 측정하고 이미징하는 장치에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种测量和成像光电流和光电压的装置，其输出当能够改变其波长的激光器到达样品时产生的光电流; 从样品反射的激光器的图像电压信号和在光电流中去除的噪声; 以及使用诸如锁定放大器的检测单元的图像电压信号。 这里，由于放置的样品能够以100nm的间隔沿X-Y方向移动的阶段，装置可以连续地测量样品的图像电压信号的输出， 从而可以将测量的信息制成计算机中的数据，以获得光电流和反射图像。
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公开(公告)号：KR1020100013573A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020080075152
申请日：2008-07-31
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , G02F1/136 , B82Y40/00 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/02667 , H01L21/2022 , H01L22/14 , H01L29/0669 , H01L29/6675
Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a poly-Si thin film and a poly-Si thin film transistor using single crystalline SI nano-wire seed template are provided to reduce crystallization temperature and improve electron mobility by using a single-crystal silicon nano-wire as a template of solid phase epitaxy of an amorphous silicon. CONSTITUTION: A plurality of single-crystal silicon nano-wires are arranged in the substrate. An amorphous silicon thin film is deposited on the arrangement of the single-crystal silicon nano-wire. The solid epitaxy of the deposited amorphous silicon is induced from the single-crystal silicon nano-wire through annealing and the amorphous silicon is crystallized. Interval between the nano-wire arranged through a position control of a catalyst forming nano-wire is controlled when the nano-wire is vertically arranged.
Abstract translation: 目的：提供使用单晶SI纳米线种子模板的多晶硅薄膜和多晶硅薄膜晶体管的制造方法，以通过使用单晶硅纳米线作为减少结晶温度并提高电子迁移率 非晶硅的固相外延模板。 构成：在基板中配置有多个单晶硅纳米线。 在单晶硅纳米线的布置上沉积非晶硅薄膜。 沉积的非晶硅的固体外延通过退火从单晶硅纳米线引发，非晶硅结晶。 当纳米线垂直布置时，控制通过形成纳米线的催化剂的位置控制布置的纳米线之间的间隔。
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