公开(公告)号：WO2013137605A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/KR2013/001939

申请日：2013-03-11

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백창기 ,  임태욱 ,  고명동

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42392 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/938

Abstract: 나노선 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법을 제공한다. 나노선 전계효과 트랜지스터는 비대칭 나노선 채널을 기준으로 나노선 채널의 직경이 큰 영역에 인접하도록 소스 영역을 위치시키고, 나노선 채널의 직경이 작은 영역에 인접하도록 드레인 영역을 위치시켜, 문턱 전압 수준을 동일하게 유지한 상태로 온 전류를 증가시키고, 게이트 전극의 전류 구동 능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조방법은 양단의 직경이 서로 다른 비대칭 나노선을 형성하고, 나노선의 일단에 불순물을 주입하여 소스 영역 및 드레인 영역 중에서 어느 하나를 정의한 후, 나노선의 일부를 둘러싸도록 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하고, 나노선의 타단에 불순물을 주입하여 소스 영역 및 드레인 영역 중에서 나머지 하나를 정의하되, 소스 영역과 드레인 영역에 동일한 종류의 불순물을 주입하고, 주입되는 불순물의 농도를 조절하여 응용되는 분야에 따라 최적화된 소자를 설계할 수 있다.

Abstract translation: 提供一种纳米线场效应晶体管及其制造方法。 纳米线场效应晶体管可以使得源区域相对于不对称的纳米线通道被定位成与纳米线通道的直径大的区域相邻，使得漏极能够邻近于 其中纳米线通道的直径小，可以在阈值电压水平保持相同的情况下使ON电流增加，并且能够提高栅电极的电流驱动能力。 此外，纳米线场效应晶体管的制造方法能够形成不均匀的纳米线，其端部具有相互不同的直径，能够在引入杂质之后使栅极绝缘层和包围纳米线的一部分的栅电极 在要形成的纳米线的一端和要限定的源极区域或漏极区域的情况下，能够使纳米线的另一端和源极区域和漏极区域中的另一端引入杂质， 其中相同类型的杂质被引入源极区和漏极区，并且能够调节引入的杂质的浓度，以便使得能够根据晶体管的场来优化器件 被使用，被设计。

公开(公告)号：WO2013027975A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PCT/KR2012/006563

申请日：2012-08-17

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 ,  백창기 ,  임태욱 ,  고명동 ,  정윤하 ,  박수영 ,  최성욱

Inventor： 백창기 ,  임태욱 ,  고명동 ,  정윤하 ,  박수영 ,  최성욱

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035227 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 측벽이 경사를 가지는 비대칭의 나노와이어들을 포함함으로써 반도체층과 투명 전극층 간의 굴절률 차이에 의한 광의 전반사 현상을 통해 입사된 빛을 p-n 접합부로 집중시킬 수 있으며, 광의 이동 거리가 증가에 따른 광흡수율 증가로 광전 효율이 향상된다. 또한, 태양전지의 제조방법은 기판을 식각하여, 측벽이 경사를 가지는 비대칭의 나노와이어들을 포함하는 p형 반도체층을 기판과 일체로 형성함으로써 제조 원가를 절감할 수 있고, 간단하고 용이하게 측벽 경사를 가지는 나노와이어를 제조할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括不对称的纳米线，每个纳米线具有成角度的侧壁，因此入射光可以通过由半导体层的折射率和透明的折射率之间的差引起的光的全反射现象集中在pn结部分 电极层，由于光行进距离的增加，光吸收可能增加，从而提高光电效率。 此外，太阳能电池的制造方法包括蚀刻基板并且一体地形成基板以及包括不对称的纳米线的p型半导体层，每个具有成角度的侧壁，从而能够降低制造成本，并且简单且容易地制造纳米线 具有成角度的侧壁。

公开(公告)号：KR101271787B1

公开(公告)日：2013-06-07

申请号：KR1020120077624

申请日：2012-07-17

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백창기 ,  임태욱 ,  고명동

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42392 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1025 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/938

Abstract: PURPOSE: A nanowire field effect transistor and a method for fabricating the same are provided to increase on-current by maintaining constant threshold voltage. CONSTITUTION: The diameters of both ends of an asymmetry nanowire channel(22) are different. A source region(24) is adjacent to the large diameter region of the asymmetry nanowire channel. A drain region(26) is adjacent to the small diameter region of the asymmetry nanowire channel. A gate electrode surrounds the nanowire channel. A gate insulating layer is formed between the asymmetry nanowire channel and the gate electrode.

Abstract translation: 目的：提供纳米线场效应晶体管及其制造方法，以通过保持恒定的阈值电压来增加导通电流。 构成：不对称纳米线通道（22）的两端的直径不同。 源极区域（24）与不对称纳米线通道的大直径区域相邻。 漏区（26）与不对称纳米线通道的小直径区域相邻。 栅电极围绕纳米线通道。 在不对称纳米线通道和栅电极之间形成栅极绝缘层。

公开(公告)号：KR1020130020458A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：KR1020110083105

申请日：2011-08-19

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 정윤하 ,  백창기 ,  임태욱 ,  고명동

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035227 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve photoelectric conversion efficiency by forming each tilt sidewall of a plurality of silicon nanowires. CONSTITUTION: A rear electrode(600) is formed on one side of a substrate. A p-type semiconductor layer includes a plurality of nanowires which are vertically arranged on the rear of the substrate. An n-type semiconductor layer(300) is formed on the p-type semiconductor along the surface of the plurality of nanowires. A front electrode(500) is formed on the n-type semiconductor layer. An insulation layer(700) covers the front electrode and the n-type semiconductor layer and fills a space between the plurality of nanowires.

Abstract translation: 目的：提供太阳能电池及其制造方法，以通过形成多个硅纳米线的每个倾斜侧壁来提高光电转换效率。 构成：背面电极（600）形成在基板的一侧。 p型半导体层包括垂直布置在基板的后部的多个纳米线。 沿着多个纳米线的表面在p型半导体上形成n型半导体层（300）。 在n型半导体层上形成有前电极（500）。 绝缘层（700）覆盖前电极和n型半导体层，并填充多个纳米线之间的空间。

公开(公告)号：KR101316375B1

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：KR1020110083105

申请日：2011-08-19

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 정윤하 ,  백창기 ,  임태욱 ,  고명동

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035227 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 양 측벽이 경사지게 형성되어 비대칭 구조를 가지는 복수개의 실리콘 나노와이어를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 태양전지는 측벽이 경사를 가지는 복수개의 나노와이어를 포함함으로써 반도체층과 투명 전극층 간의 굴절률 차이에 의한 빛의 전반사 현상을 통해 입사된 빛을 pn 접합부로 집중시킬 수 있으며, 빛의 이동 거리가 증가에 따른 광흡수율 증가로 광전변환효율이 향상된다. 또한, 본 발명에 의한 태양전지의 제조방법은 p형 기판을 사용하고 이를 식각하여 p형 반도체층을 형성함으로써 제조원가의 절감 및 간단하고 용이한 방법으로 다양한 형태의 측벽 경사 구조를 가지는 나노와이어를 제조할 수 있다.