나노선 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법
    2.
    发明申请
    나노선 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법 审中-公开
    纳米效应晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:WO2013137605A1

    公开(公告)日:2013-09-19

    申请号:PCT/KR2013/001939

    申请日:2013-03-11

    Abstract: 나노선 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법을 제공한다. 나노선 전계효과 트랜지스터는 비대칭 나노선 채널을 기준으로 나노선 채널의 직경이 큰 영역에 인접하도록 소스 영역을 위치시키고, 나노선 채널의 직경이 작은 영역에 인접하도록 드레인 영역을 위치시켜, 문턱 전압 수준을 동일하게 유지한 상태로 온 전류를 증가시키고, 게이트 전극의 전류 구동 능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 나노선 전계효과 트랜지스터의 제조방법은 양단의 직경이 서로 다른 비대칭 나노선을 형성하고, 나노선의 일단에 불순물을 주입하여 소스 영역 및 드레인 영역 중에서 어느 하나를 정의한 후, 나노선의 일부를 둘러싸도록 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하고, 나노선의 타단에 불순물을 주입하여 소스 영역 및 드레인 영역 중에서 나머지 하나를 정의하되, 소스 영역과 드레인 영역에 동일한 종류의 불순물을 주입하고, 주입되는 불순물의 농도를 조절하여 응용되는 분야에 따라 최적화된 소자를 설계할 수 있다.

    Abstract translation: 提供一种纳米线场效应晶体管及其制造方法。 纳米线场效应晶体管可以使得源区域相对于不对称的纳米线通道被定位成与纳米线通道的直径大的区域相邻,使得漏极能够邻近于 其中纳米线通道的直径小,可以在阈值电压水平保持相同的情况下使ON电流增加,并且能够提高栅电极的电流驱动能力。 此外,纳米线场效应晶体管的制造方法能够形成不均匀的纳米线,其端部具有相互不同的直径,能够在引入杂质之后使栅极绝缘层和包围纳米线的一部分的栅电极 在要形成的纳米线的一端和要限定的源极区域或漏极区域的情况下,能够使纳米线的另一端和源极区域和漏极区域中的另一端引入杂质, 其中相同类型的杂质被引入源极区和漏极区,并且能够调节引入的杂质的浓度,以便使得能够根据晶体管的场来优化器件 被使用,被设计。

    3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서 및 그 제조방법
    3.
    发明申请
    3차원 적층 구조의 나노선을 갖춘 나노선 전계효과 센서 및 그 제조방법 审中-公开
    具有三维堆叠结构的纳米电场效应传感器及其制造方法

    公开(公告)号:WO2014088244A1

    公开(公告)日:2014-06-12

    申请号:PCT/KR2013/010655

    申请日:2013-11-22

    CPC classification number: H01L29/775 G01N27/4145 G01N27/4146 H01L29/66439

    Abstract: 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 나노선의 3차원 적층 구조를 형성하여 종래의 직선형 나노선 센서에 비하여 한정된 동일한 면적에 더 넓은 노출 표면적을 갖도록 함으로써 대상물질이 나노선에 부착되는 확률을 높이고 이를 통해 측정 감도를 향상할 수 있는 구조의 나노선을 갖춘 나노선 센서를 제공하여 나노선의 전기전도도(conductance 또는 resistance)의 변화를 더욱 민감하게 감지할 수 있어서 센서의 감도를 높일 수 있는 장점이 있다

    Abstract translation: 本发明要解决的技术问题是提供一种具有纳米线结构的纳米线传感器,该纳米线结构能够增加目标材料与纳米线的附着概率,并且通过形成三维堆叠纳米线,通过附着概率提高测量灵敏度 结构,以便在与现有的线性纳米线传感器相同的区域内具有更宽的暴露表面积,从而更灵敏地感测电导率(电导或电阻)的变化并提高传感器的灵敏度。

    네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서
    4.
    发明申请
    네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서 审中-公开
    具有网络结构纳米的纳米传感器

    公开(公告)号:WO2012141431A2

    公开(公告)日:2012-10-18

    申请号:PCT/KR2012/001964

    申请日:2012-03-19

    Abstract: 본 발명은 반복되는 패턴을 갖는 네트워크 구조의 나노선을 사용함으로써 높은 효율과 구조적 안정성을 얻을 수 있는 네트워크 구조의 나노선을 구비한 나노선 센서에 관한 것으로, 기판 상부에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성되며, 교차점의 패턴이 반복되는 네트워크 구조로 형성된 나노선 및 상기 나노선에 고정되며 외부에서 유입되는 대상물질과 선택적으로 반응하는 탐지물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 纳米线传感器技术领域本发明涉及一种纳米线传感器,其具有网络结构的纳米线,并且能够通过使用具有重复图案的网络结构的纳米线来获得高效率和结构稳定性,并且包括源电极和漏电极 衬底的上部,形成在源极之间的纳米线和重复相交图案的网络结构,以及固定到纳米线并与从外部选择性流动的目标物质反应的检测材料。

    태양전지 및 이의 제조방법
    6.
    发明申请
    태양전지 및 이의 제조방법 审中-公开
    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:WO2013027975A1

    公开(公告)日:2013-02-28

    申请号:PCT/KR2012/006563

    申请日:2012-08-17

    Abstract: 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 측벽이 경사를 가지는 비대칭의 나노와이어들을 포함함으로써 반도체층과 투명 전극층 간의 굴절률 차이에 의한 광의 전반사 현상을 통해 입사된 빛을 p-n 접합부로 집중시킬 수 있으며, 광의 이동 거리가 증가에 따른 광흡수율 증가로 광전 효율이 향상된다. 또한, 태양전지의 제조방법은 기판을 식각하여, 측벽이 경사를 가지는 비대칭의 나노와이어들을 포함하는 p형 반도체층을 기판과 일체로 형성함으로써 제조 원가를 절감할 수 있고, 간단하고 용이하게 측벽 경사를 가지는 나노와이어를 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括不对称的纳米线,每个纳米线具有成角度的侧壁,因此入射光可以通过由半导体层的折射率和透明的折射率之间的差引起的光的全反射现象集中在pn结部分 电极层,由于光行进距离的增加,光吸收可能增加,从而提高光电效率。 此外,太阳能电池的制造方法包括蚀刻基板并且一体地形成基板以及包括不对称的纳米线的p型半导体层,每个具有成角度的侧壁,从而能够降低制造成本,并且简单且容易地制造纳米线 具有成角度的侧壁。

    수직 나노선 광검출기 및 이의 제조방법
    8.
    发明公开
    수직 나노선 광검출기 및 이의 제조방법 有权
    垂直纳米结构光电探测器及其形成方法

    公开(公告)号:KR20180036002A

    公开(公告)日:2018-04-09

    申请号:KR20160125995

    申请日:2016-09-30

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 비대칭수직나노선광검출기및 이의제조방법을제공한다. 가시광선영역의수직나노선광검출기는비대칭수직구조를가짐으로써, 빛의흡수를극대화시켜외부양자효율을증대시키는구조이며동시에나노선직경및 간격의변화를통해최대양자효율을가지는파장을변화시킬수 있으므로, 컬러필터로의적용도훨씬용이하게되는효과가있다. 근적외선영역의수직나노선광검출기는비대칭수직구조를가짐으로써, 많은양의전자-정공쌍을흡수하는효율이높다. 또한, 반도체기판에수직으로입사하는빛의경로를사선방향으로변환하여수직나노선내부에서의빛의투과길이를증가시키므로, 수직나노선및 기판영역에서더 많은양의빛을흡수할수 있다.

    Abstract translation: 不对称的垂直纳米浓缩检测器及其制造方法。 通过具有垂直纳米光旋转检测器是可见光范围内的非对称的立式结构,以最大化光的吸收,因为sikilsu改变具有在该结构上,并在同一时间的最大的量子效率或在路径直径的变化和间距,以增加外部量子效率的波长 而且将它应用于彩色滤光片要容易得多。 近红外区域的垂直纳米光旋转检测器是由具有垂直结构中,大量的吸收的电子 - 空穴对E-高效率不对称的。 此外,由于通过转换光入射垂直于半导体衬底的路径在倾斜方向上,以增加光eseoui内的垂直纳米线的穿透长度,并能吸收在垂直纳米线和所述衬底区域的光的量更大。

    태양전지 및 이의 제조방법
    9.
    发明授权
    태양전지 및 이의 제조방법 有权
    太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101316375B1

    公开(公告)日:2013-10-08

    申请号:KR1020110083105

    申请日:2011-08-19

    Abstract: 양 측벽이 경사지게 형성되어 비대칭 구조를 가지는 복수개의 실리콘 나노와이어를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 태양전지는 측벽이 경사를 가지는 복수개의 나노와이어를 포함함으로써 반도체층과 투명 전극층 간의 굴절률 차이에 의한 빛의 전반사 현상을 통해 입사된 빛을 pn 접합부로 집중시킬 수 있으며, 빛의 이동 거리가 증가에 따른 광흡수율 증가로 광전변환효율이 향상된다. 또한, 본 발명에 의한 태양전지의 제조방법은 p형 기판을 사용하고 이를 식각하여 p형 반도체층을 형성함으로써 제조원가의 절감 및 간단하고 용이한 방법으로 다양한 형태의 측벽 경사 구조를 가지는 나노와이어를 제조할 수 있다.

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