公开(公告)号：KR102226206B1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020200093129A

申请日：2020-07-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백창기 ,  김가영 ,  김향우 ,  공병돈

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/095

CPC classification number: H01L27/10805 ,  H01L27/095 ,  H01L27/10844

Abstract: 적어도 1개의 이중 PN 접합을 포함하는 반도체 층; 및 상기 반도체 층과 동시에 접촉하는 애노드 및 캐소드를 포함하고, 상기 반도체층과 상기 애노드와의 접합은 쇼트키 접합, 상기 캐소드와의 접합은 오믹 접합인 것을 특징으로 하는, 이중 PN 접합을 포함하는 메모리 소자 및 그 구동방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR102151310B1

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：KR1020180131668

申请日：2018-10-31

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백창기 ,  이승호 ,  유형석 ,  조현수 ,  김가영

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/04 ,  H01L35/12 ,  H01L35/34

公开(公告)号：KR102226206B1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020200093129

申请日：2020-07-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백창기 ,  김가영 ,  김향우 ,  공병돈

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/095

Abstract: 적어도 1개의이중 PN 접합을포함하는반도체층; 및상기반도체층과동시에접촉하는애노드및 캐소드를포함하고, 상기반도체층과상기애노드와의접합은쇼트키접합, 상기캐소드와의접합은오믹접합인것을특징으로하는, 이중 PN 접합을포함하는메모리소자및 그구동방법이제공된다.