公开(公告)号：KR1020160093589A

公开(公告)日：2016-08-08

申请号：KR1020160095439

申请日：2016-07-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  정성민 ,  위동우 ,  김영용 ,  권경호 ,  송성진 ,  이진석 ,  고용기 ,  김종현

IPC: C08G65/00 ,  C08G65/48 ,  C08L71/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: C08G65/00 ,  C08G65/48 ,  C08L71/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及具有数字记忆性质的聚醚聚合物及其制备方法。 更具体地说，本发明涉及一种在刷子的末端形成具有数字记忆性的化合物的聚醚刷聚合物材料及其合成方法。 本发明还涉及通过使用所生产的聚合物作为上部电极和下部电极之间的有源层而制造的非易失性存储器件。

公开(公告)号：KR101738306B1

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：KR1020160095439

申请日：2016-07-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  정성민 ,  위동우 ,  김영용 ,  권경호 ,  송성진 ,  이진석 ,  고용기 ,  김종현

IPC: C08G65/00 ,  C08G65/48 ,  C08L71/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020150088951A

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：KR1020140009041

申请日：2014-01-24

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이문호 ,  정성민 ,  위동우 ,  김영용 ,  권경호 ,  송성진 ,  이진석 ,  고용기 ,  김종현

IPC: C08G65/00 ,  C08G65/48 ,  C08L71/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: C08G65/00 ,  C08G65/48 ,  C08L71/00 ,  H01L27/10 ,  H01L51/00

Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及具有数字存储器的特性的聚醚聚合物及其制造方法，更具体地说，涉及在刷子的末端形成具有数字存储器性质的化合物的聚醚刷聚合物材料， 以及通过使用聚合物作为上电极和下电极之间的活化层制造的非易失性存储器件。 在至少一些刷子的末端形成一个或多个官能团，并且选自所表示的化学式（1）。