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公开(公告)号：KR102232234B1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：KR1020200056615A
申请日：2020-05-12
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: B29C64/277 , B29C64/129 , B29C64/245 , B29C64/393 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , G02B3/00 , H01L33/60
CPC classification number: B29C64/277 , B29C64/129 , B29C64/245 , B29C64/393 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , G02B3/0006 , H01L33/60
Abstract: 면광원 장치와 이를 구비한 3차원 프린터를 제공한다. 면광원 장치는 서로 반대되는 제1면과 제2면을 포함하는 기판과, 제1면에서 기판의 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 정렬된 복수의 마이크로 엘이디(LED)와, 제2면에서 복수의 마이크로 엘이디 각각에 대응하여 위치하는 복수의 렌즈를 포함한다. 복수의 마이크로 엘이디 각각은 기판을 향할수록 폭이 커지는 형상을 가지며, 반사층이 복수의 마이크로 엘이디 각각의 경사진 측벽에 위치하여 활성층에서 방출된 빛을 기판을 향해 반사하여 빛의 배향이 기판을 향하도록 한다.
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公开(公告)号：WO2013191309A1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：PCT/KR2012/004799
申请日：2012-06-18
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 김종규 , 권현아 , 황선용
CPC classification number: G01N5/00 , G01N27/12 , G01N27/127 , G01N33/0009
Abstract: 본 발명은 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노 구조를 갖는 금속산화물반도체 가스센서는, 기판; 상기 기판 상부에 형성된 제1전극; 상기 제1전극의 상부에 구비되고, 나노구조를 가지며 감지 대상의 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 금속산화물반도체로 이루어지고, 경사각 증착법을 통해 형성된 가스감지층; 다공성 구조를 가지며, 상기 금속산화물반도체의 상부에 형성된 제2전극; 및 상기 제1ㆍ제2전극을 통해 소정의 전류를 흘려 상기 가스감지층의 전기전도도를 측정함으로써 상기 가스를 감지하는 제어부;를 포함한다. 본 발명에 의하면, 제2전극이 감지 대상의 가스가 출입할 수 있도록 다공성 구조로 구비됨으로써, 가스와 반응하여 전기전도도가 변화하는 가스센서의 가스감지층을 경사각 증착법을 이용하여 나노 구조로 형성할 수 있고, 이에 따라 가스감지층의 제조가 용이해지며, 그 나노 구조의 형상도 가스와의 반응을 극대화할 수 있는 형상으로 자유롭게 형성할 수 있으므로, 나노 구조의 금속산화물반도체를 한 쌍의 전극 사이에 개재되는 가스감지층으로 활용하면서도 나노 구조의 금속산화물반도체가 갖는 가스와의 반응성 극대화 등의 장점을 그대로 살릴 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及具有纳米结构的金属氧化物半导体气体传感器及其制造方法。 根据本发明的具有纳米结构的金属氧化物半导体气体传感器包括：基板; 形成在所述基板的上部的第一电极; 气体检测层，其设置在具有纳米结构的上述第一电极的上部，并且包含与来自被检测体的气体反应时电力变化的金属氧化物半导体，并且根据 斜角沉积技术; 第二电极，其具有多孔结构并形成在所述金属氧化物半导体的上部; 以及控制部分，用于通过施加预定量的电流通过第一和第二电极来检测气体，以便测量气体检测层的电导率。 根据本发明，通过具有多孔结构的第二电极，使得来自被检测体的气体能够流入和流出，气体传感器的气体检测层（其电导率随气体变化而变化） 可以通过使用斜角沉积技术制成纳米结构形式。 结果，可以使气体检测层的制造变得容易，并且可以将纳米结构的形状自由地操作成能够使与气体反应最大的形状，从而能够利用具有纳米结构的金属氧化物半导体作为气体检测 其间插入一对电极之间，同时保持具有纳米结构的金属氧化物半导体的优点，例如最大化与气体的反应性。
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公开(公告)号：WO2015160084A1
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：PCT/KR2015/002057
申请日：2015-03-04
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 형성된 노출홈을 형성하여 활성층의 측방으로 발광된 빛이 하방으로 반사되어 광추출효율을 향상시킬 수 있으며, 특히, 상기 노출홈의 경사면에 유전체층과 반사층을 형성함에 따라 광추출효율을 더욱 향상시킬 수 있는 질화물 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 질화물 반도체 발광소자 및 이의 제조방법은, 기판상에 순차적으로 적층되는 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 p형 반도체층, 활성층 및 상기 n형 반도체층의 일부가 식각되어 형성된 상광하협 형상의 적어도 하나의 노출홈;이 구비되며, 상기 활성층에서 상기 노출홈의 측면부로 반사되는 빛이 하방으로 반사되도록 구성된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，其能够通过形成曝光槽来提高光提取效率，以暴露n型半导体层的一部分，使得发射到 有源层的侧面方向被反射到下方，特别地，通过在曝光槽的倾斜面上形成介电层和反射层，进一步提高光提取效率。 为此，提供了本发明的氮化物半导体发光元件及其制造方法，包括n型半导体层，有源层和p型半导体层的氮化物半导体发光元件 依次堆叠在基板上，包括通过蚀刻p型半导体层，有源层和n型半导体层的一部分形成的具有宽而窄的形状的至少一个曝光槽，以暴露一个 n型半导体层的部分，其中从有源层反射到曝光槽的侧表面部分的光被反射到下方。
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公开(公告)号：WO2015068980A1
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：PCT/KR2014/010224
申请日：2014-10-29
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/36
Abstract: 본 발명은 n형 반도체층의 노출면에 n전극과 접촉 특성을 향상시킬 수 있는 n전극형성층을 형성함에 따라 전기적 특성 및 광변환 효율을 개선할 수 있는 질화물 반도체 자외선 발광소자에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 질화물 반도체 자외선 발광소자는, 기판상에 순차적으로 적층되는 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하며, 전류 인가를 위한 n전극, p전극이 구비된 질화물 반도체 자외선 발광소자에 있어서, 상기 p형 반도체층, 활성층 및 상기 n형 반도체층의 일부가 식각됨에 따라 노출된 상기 n형 반도체층의 노출면의 일부 또는 전부에 n전극형성층이 구비되고, 상기 n전극형성층을 커버하도록 상기 n형 반도체층 노출면의 상측에 n형 금속층이 형성되되, 상기 n전극형성층은 상기 n형 반도체층보다 밴드갭 에너지가 작도록 구성된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够通过在n型半导体层的露出表面上形成能够增强与第n型半导体层的接触特性的n电极形成层而提高电特性和光转换效率的氮化物半导体紫外线发光装置 n电极。 为此，本发明的氮化物半导体紫外线发光元件包括依次层叠在基板上的n型半导体层，有源层和p型半导体层，并且配备有n型 电极和p型电极，以便施加电流，其中作为p型半导体层的一部分，有源层和n型层被蚀刻，暴露的一部分或全部暴露表面 n型半导体层配备有n电极形成层，并且在n型半导体层的暴露侧的上侧形成n型金属层以覆盖n电极形成层， n电极形成层被配置为具有比n型半导体层更低的带隙能量。
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公开(公告)号：KR1020150118760A
公开(公告)日：2015-10-23
申请号：KR1020140044721
申请日：2014-04-15
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L51/44
Abstract: 박막봉지유닛및 이의제조방법이개시된다. 본발명의일 구현예는, 유기태양전지의기판상부에구비되는박막봉지유닛으로서, 상기기판상에위치하며, 고굴절률물질및 저굴절률물질중 어느하나로구성된제1 박막; 및상기제1 박막상에위치하며, 고굴절률물질및 저굴절률물질중 다른하나로구성된제2 박막을포함하고, 상기제1 박막및 상기제2 박막의두께를조절하여, 광밴드갭(PBG, Photonic Band Gap) 구조를갖는박막봉지유닛을제공한다.
Abstract translation: 公开了一种薄膜封装单元及其制造方法。 本发明的实施例提供了一种布置在有机太阳能电池基板上部的薄膜封装单元，其包括：基板上的第一薄膜位置，由高折射率材料和低折射率材料之间 折射率材料; 以及位于所述第一薄膜上并由所述高折射率材料和所述低折射率材料之间的另一薄膜构成的第二薄膜，并且调节所述第一薄膜和所述第二薄膜的厚度以具有光子带隙（ PBG）结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150053426A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：KR1020130135334
申请日：2013-11-08
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/48 , H01L33/483 , H01L33/62
Abstract: 본발명은플립칩발광소자를구성하는질화물반도체발광셀블록의 n형반도체층의일부를관통하도록형성된노출홈에삽입되어위치하도록서브마운트기판의상면에반사구조체를형성함에따라활성층의측방으로발광된빛이상방으로반사되어광추출효율을높일수 있는플립칩발광소자에관한것이다. 이를위한본 발명의플립칩발광소자는, 기판상에순차적으로적층되는 n형반도체층, 활성층, p형반도체층을포함하는질화물반도체발광셀블록과, 상기질화물반도체발광셀블록이플립칩본딩되는서브마운트기판을포함하는플립칩발광소자에있어서, 상기질화물반도체발광셀블록의 n형반도체층의일부가노출되도록상기 p형반도체층, 활성층및 상기 n형반도체층의일부가식각되어형성된노출홈; 및상기노출홈의내측에위치하도록상기서브마운트기판의상면에구비되며, 상기활성층의측방에서상기노출홈으로발광된빛을상방으로반사하도록상협하광(上狹下廣) 형상의반사구조체;를포함하여구성된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种倒装芯片发光器件，其能够通过向上反射发射到有源层侧的光来提高光提取效率，方法是在副安装基板的上侧形成反射结构以插入到曝光槽 通过包括倒装芯片发光器件的氮化物半导体发光单元块的n型半导体层的一部分。 为此，根据本发明的倒装芯片发光器件包括氮化物半导体发光单元块，其包括依次层叠在基板上的n型半导体层，有源层和p型半导体层， 底片安装衬底，其被倒装结合到氮化物半导体发光单元块。 倒装芯片发光器件包括通过蚀刻n型半导体层，有源层和p型半导体层的一部分而形成的曝光槽，以暴露氮化物的n型半导体层的一部分 半导体发光单元块和反射结构，该反射结构包括窄侧的上侧和形成在副安装基板的上侧的位于曝光槽中的宽度的下侧，并且向上反射从 有源层的一侧到曝光槽。
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公开(公告)号：KR1020140079105A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020120148704
申请日：2012-12-18
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42
Abstract: According to the present invention, an organic solar cell includes: a substrate; a metal electrode including a base layer on an upper surface of the substrate, and a three dimensional nanostructure layer on an upper surface of the base layer; an active layer formed on an upper surface of the metal electrode; and a transparent electrode formed on an upper surface of the active layer.
Abstract translation: 根据本发明，有机太阳能电池包括：基板; 在所述基板的上表面具有基层的金属电极和所述基层的上表面的三维纳米结构层; 形成在所述金属电极的上表面上的有源层; 以及形成在有源层的上表面上的透明电极。
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公开(公告)号：KR1020130132115A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020120056244
申请日：2012-05-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/36
Abstract: A semiconductor light-emitting device with an electron blocking layer is disclosed. The semiconductor light-emitting device includes a n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, an activation layer between the n-type and p-type semiconductor layers, and an electron blocking layer between the activation layer and the p-type semiconductor layer. Here, negative charges are formed due to polarizability difference on the interface of the lower activation layer towards the activation layer while positive charges are formed on the interface of the upper activation layer towards the p-type semiconductor layer. Therefore, the semiconductor light-emitting device can effectively block out electrons and improve hole injecting efficiency by reducing the barrier energy of holes.
Abstract translation: 公开了一种具有电子阻挡层的半导体发光器件。 半导体发光器件包括n型半导体层，p型半导体层，n型和p型半导体层之间的活化层，以及活化层和p型半导体层之间的电子阻挡层 半导体层。 这里，由于在下活化层的界面朝向活化层的极化率差异形成负电荷，而在上活化层朝向p型半导体层的界面上形成正电荷。 因此，半导体发光元件能够有效地阻挡电子，通过降低空穴的势能来提高空穴注入效率。
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公开(公告)号：KR101288367B1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：KR1020110116419
申请日：2011-11-09
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L2224/14 , H01L2224/16245
Abstract: 본 발명은 백색광 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광 다이오드는 N형 반도체층, P형 반도체층 및 상기 N형 반도체층과 상기 P형 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 반도체 발광 구조물, 상기 활성층에서 생성된 광이 출사되는 광방출면에 형성된 광파장 필터 및 상기 광파장 필터 상에 형성되어 있으며 상기 활성층에서 생성된 광인 제1 파장 대역에서 최대 세기를 갖는 제1 전자기파에 의해 여기되어 상기 제1 파장 대역과 다른 제2 파장 대역에서 최대 세기를 갖는 제2 전자기파를 발생시키는 파장 변환층을 포함하여 구성되고, 상기 광파장 필터는 상기 활성층에서 생성된 상기 제1 전자기파에 대해 투과율이 높으며, 상기 파장 변환층에서 발생한 상기 제2 전자기파에 대해서는 반사율이 높은 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 형광손실을 크게 줄임으로써 형광변환효율(Phosphor conversion efficiency)을 크게 향상시킬 수 있음과 동시에 원하는 백색광에 필요한 형광을 발생시키기 위한 청색 LED의 광속을 낮출 수 있으므로 벽플러그 효율(wall-plug efficiency)을 상당히 증가시킬 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR101752556B1
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150103053
申请日：2015-07-21
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은질화물반도체물질및 그제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른질화물반도체물질은붕소, 갈륨및 질소를포함하고, 붕소및 갈륨의조성에따라자외선영역의밴드갭에너지를조절하는육방정질화붕소갈륨을포함한다.
Abstract translation: 氮化物半导体材料及其制造方法本发明涉及氮化物半导体材料及其制造方法。 根据本发明实施例的氮化物半导体材料包括含有硼，镓和氮的六方氮化硼镓，并且根据硼和镓的组成控制紫外区的带隙能量。
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