백색광 발광 다이오드 및 그 제조방법
    3.
    发明公开
    백색광 발광 다이오드 및 그 제조방법 有权
    白光发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130051202A

    公开(公告)日:2013-05-20

    申请号:KR1020110116419

    申请日:2011-11-09

    Abstract: PURPOSE: A white light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to increase wall-plug efficiency by reducing the luminous flux of a blue LED for fluorescent white light. CONSTITUTION: A semiconductor light emitting structure includes an N-type semiconductor layer, a P-type semiconductor layer, and an active layer. The active layer is formed between the N-type semiconductor layer and the P-type semiconductor layer. An optical wavelength filter(700) is formed on a light emission surface. A wavelength conversion layer(800) is formed on the optical wavelength filter. The wavelength conversion layer generates a second electromagnetic wave with the maximum intensity in a second wavelength band.

    Abstract translation: 目的:提供一种白色发光二极管及其制造方法,通过降低荧光白光的蓝色LED的光通量来提高壁插拔效率。 构成:半导体发光结构包括N型半导体层,P型半导体层和有源层。 有源层形成在N型半导体层和P型半导体层之间。 在光发射表面上形成光波长滤光器(700)。 波长转换层(800)形成在光波长滤波器上。 波长转换层在第二波长带中产生具有最大强度的第二电磁波。

    백색광 발광 다이오드 및 그 제조방법
    4.
    发明授权
    백색광 발광 다이오드 및 그 제조방법 有权
    白光发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101288367B1

    公开(公告)日:2013-07-22

    申请号:KR1020110116419

    申请日:2011-11-09

    CPC classification number: H01L2224/14 H01L2224/16245

    Abstract: 본 발명은 백색광 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 발광 다이오드는 N형 반도체층, P형 반도체층 및 상기 N형 반도체층과 상기 P형 반도체층 사이에 형성된 활성층을 포함하는 반도체 발광 구조물, 상기 활성층에서 생성된 광이 출사되는 광방출면에 형성된 광파장 필터 및 상기 광파장 필터 상에 형성되어 있으며 상기 활성층에서 생성된 광인 제1 파장 대역에서 최대 세기를 갖는 제1 전자기파에 의해 여기되어 상기 제1 파장 대역과 다른 제2 파장 대역에서 최대 세기를 갖는 제2 전자기파를 발생시키는 파장 변환층을 포함하여 구성되고, 상기 광파장 필터는 상기 활성층에서 생성된 상기 제1 전자기파에 대해 투과율이 높으며, 상기 파장 변환층에서 발생한 상기 제2 전자기파에 대해서는 반사율이 높은 것을 특징으로 한다.
    본 발명에 따르면, 형광손실을 크게 줄임으로써 형광변환효율(Phosphor conversion efficiency)을 크게 향상시킬 수 있음과 동시에 원하는 백색광에 필요한 형광을 발생시키기 위한 청색 LED의 광속을 낮출 수 있으므로 벽플러그 효율(wall-plug efficiency)을 상당히 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

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