公开(公告)号：KR101735406B1

公开(公告)日：2017-05-15

申请号：KR1020150104837

申请日：2015-07-24

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이장식 ,  니루파라이스호세이니

IPC: H01L45/00

Abstract: 본발명은기판; 상기기판상에형성되고, 고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을구비하는저항변화층(resistive switching layer); 및상기저항변화층상에형성된복수개의마그네슘전극과칼슘전극중 적어도하나;를포함하는, 저항변화메모리및 저항변화메모리의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 基板本发明涉及基板， 形成在基板上并具有固体聚合物电解质的电阻切换层; 并且多个镁电极中的至少一个和形成在电阻变化层上的钙电极。

公开(公告)号：KR1020170011709A

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：KR1020150104837

申请日：2015-07-24

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이장식 ,  니루파라이스호세이니

IPC: H01L45/00

Abstract: 본발명은기판; 상기기판상에형성되고, 고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을구비하는저항변화층(resistive switching layer); 및상기저항변화층상에형성된복수개의마그네슘전극과칼슘전극중 적어도하나;를포함하는, 저항변화메모리및 저항변화메모리의제조방법을제공한다.

公开(公告)号：KR101681294B1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：KR1020150047652

申请日：2015-04-03

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이장식 ,  니루파라이스호세이니

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/115 ,  C08K5/053

Abstract: 본발명은기판상에제 1 전극을형성하는단계; 상기제 1 전극상에고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을구비하는저항변화층(resistive switching layer)을형성하는단계; 및상기저항변화층상에제 2 전극을형성하는단계;를포함하는, 저항변화메모리의제조방법및 이를이용하여구현한저항변화메모리를제공한다.

公开(公告)号：KR1020160118848A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：KR1020150047652

申请日：2015-04-03

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이장식 ,  니루파라이스호세이니

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/115 ,  C08K5/053

Abstract: 본발명은기판상에제 1 전극을형성하는단계; 상기제 1 전극상에고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을구비하는저항변화층(resistive switching layer)을형성하는단계; 및상기저항변화층상에제 2 전극을형성하는단계;를포함하는, 저항변화메모리의제조방법및 이를이용하여구현한저항변화메모리를제공한다.

Abstract translation: 该方法包括在衬底上形成第一电极; 在第一电极上形成具有固体聚合物电解质的电阻切换层; 并且在电阻变化层上形成第二电极，以及使用该方法实现的电阻变化存储器。