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公开(公告)号：WO2022103110A1
公开(公告)日：2022-05-19
申请号：PCT/KR2021/016197
申请日：2021-11-09
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은, 문턱 전압을 제어하여 낮은 누설 전류를 나타내는 다중층 선택 소자를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 다중층 선택 소자는, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 하부 전극층; 상기 하부 전극층 상에 위치하고, 상기 하부 전극층을 노출하도록 관통하는 비아홀을 구비한 절연층; 상기 비아홀 내에서 상기 하부 전극층 상에 위치하고, 전도성 필라멘트의 형성과 파괴에 의하여 스위칭 동작을 수행하고, 상기 전도성 필라멘트의 형성을 제어하도록 다중층으로 이루어진 스위칭층; 및 상기 스위칭층 상에 위치하는 상부 전극층;을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101735406B1
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150104837
申请日：2015-07-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Inventor： 이장식 , 니루파라이스호세이니
IPC: H01L45/00
Abstract: 본발명은기판; 상기기판상에형성되고, 고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을구비하는저항변화층(resistive switching layer); 및상기저항변화층상에형성된복수개의마그네슘전극과칼슘전극중 적어도하나;를포함하는, 저항변화메모리및 저항변화메모리의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 基板本发明涉及基板， 形成在基板上并具有固体聚合物电解质的电阻切换层; 并且多个镁电极中的至少一个和形成在电阻变化层上的钙电极。
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公开(公告)号：KR1020160123792A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：KR1020150054416
申请日：2015-04-17
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은기판을준비하는단계; 상기기판상에복수개의홀(hole)을가지는구조체를형성하는단계; 상기복수개의홀을가지는구조체내에전기화학증착(electrochemical deposition) 방법을이용하여제 1 금속층을형성하는단계; 상기제 1 금속층상에금속산화물층을형성하는단계; 및상기금속산화물층상에제 2 금속층을형성하는단계;를포함하고, 상기제 1 금속층, 상기금속산화물층및 상기제 2 금속층은연속적인공정으로바텀-업(bottom-up) 방식으로성장시켜형성된, 상향식저항변화메모리의제조방법및 이를이용하여구현한상향식저항변화메모리를제공한다.
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公开(公告)号：KR101764336B1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：KR1020150054416
申请日：2015-04-17
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은기판을준비하는단계; 상기기판상에복수개의홀(hole)을가지는구조체를형성하는단계; 상기복수개의홀을가지는구조체내에전기화학증착(electrochemical deposition) 방법을이용하여제 1 금속층을형성하는단계; 상기제 1 금속층상에금속산화물층을형성하는단계; 및상기금속산화물층상에제 2 금속층을형성하는단계;를포함하고, 상기제 1 금속층, 상기금속산화물층및 상기제 2 금속층은연속적인공정으로바텀-업(bottom-up) 방식으로성장시켜형성된, 상향식저항변화메모리의제조방법및 이를이용하여구현한상향식저항변화메모리를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：准备衬底; 在衬底上形成具有多个孔的结构; 使用电化学沉积方法在具有多个孔的结构中形成第一金属层; 在第一金属层上形成金属氧化物层; 并且在所述金属氧化物层上形成第二金属层，其中所述第一金属层，所述金属氧化物层和所述第二金属层以连续工艺以自下而上的方式生长， 制造自下而上电阻变化存储器的方法以及使用该方法实现的自底向上电阻变化存储器。
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公开(公告)号：KR101850212B1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：KR1020160124492
申请日：2016-09-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/51
Abstract: 게이트전극과기판사이에강유전체층및 삽입층을도입한불휘발성강유전체인버터및 이의작동방법이개시된다. 불휘발성강유전체인버터의반복동작시, 강유전체층의피로도가증가하게된다. 이를억제하여소자의신뢰도및 수명향상을위해강유전체층의양측으로삽입층을배치한불휘발성강유전체인버터를제작한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101681294B1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：KR1020150047652
申请日：2015-04-03
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Inventor： 이장식 , 니루파라이스호세이니
IPC: H01L27/24 , H01L27/115 , C08K5/053
Abstract: 본발명은기판상에제 1 전극을형성하는단계; 상기제 1 전극상에고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을구비하는저항변화층(resistive switching layer)을형성하는단계; 및상기저항변화층상에제 2 전극을형성하는단계;를포함하는, 저항변화메모리의제조방법및 이를이용하여구현한저항변화메모리를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160118848A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020150047652
申请日：2015-04-03
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Inventor： 이장식 , 니루파라이스호세이니
IPC: H01L27/24 , H01L27/115 , C08K5/053
Abstract: 본발명은기판상에제 1 전극을형성하는단계; 상기제 1 전극상에고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을구비하는저항변화층(resistive switching layer)을형성하는단계; 및상기저항변화층상에제 2 전극을형성하는단계;를포함하는, 저항변화메모리의제조방법및 이를이용하여구현한저항변화메모리를제공한다.
Abstract translation: 该方法包括在衬底上形成第一电极; 在第一电极上形成具有固体聚合物电解质的电阻切换层; 并且在电阻变化层上形成第二电极，以及使用该方法实现的电阻变化存储器。
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公开(公告)号：KR101924694B1
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：KR1020160124525
申请日：2016-09-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/28 , H01L29/78
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公开(公告)号：KR1020180034813A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：KR1020160124492
申请日：2016-09-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/51
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/516
Abstract: 게이트전극과기판사이에강유전체층및 삽입층을도입한불휘발성강유전체인버터및 이의작동방법이개시된다. 불휘발성강유전체인버터의반복동작시, 강유전체층의피로도가증가하게된다. 이를억제하여소자의신뢰도및 수명향상을위해강유전체층의양측으로삽입층을배치한불휘발성강유전체인버터를제작한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种在栅电极和衬底之间结合有铁电层和层间层的铁电铁电逆变器及其操作方法。 在非易失性铁电逆变器的重复操作期间，铁电层的疲劳增加。 为了通过抑制器件来提高器件的可靠性和寿命，制造了在铁电层的两侧设置插入层的铁电体铁电逆变器。
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公开(公告)号：KR1020170011709A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150104837
申请日：2015-07-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Inventor： 이장식 , 니루파라이스호세이니
IPC: H01L45/00
Abstract: 본발명은기판; 상기기판상에형성되고, 고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을구비하는저항변화층(resistive switching layer); 및상기저항변화층상에형성된복수개의마그네슘전극과칼슘전극중 적어도하나;를포함하는, 저항변화메모리및 저항변화메모리의제조방법을제공한다.
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