公开(公告)号：KR101062794B1

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：KR1020080103256

申请日：2008-10-21

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 구길호 ,  양요셉 ,  박찬경

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/00

Abstract: 본 발명은 집속이온빔(Focused Ion Beam)을 이용한 3차원 원자침(3-D Atom Probe)분석용 시편 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 기반의 박막 시료를 원자침 분석용 시편으로 제작함에 있어서 Ga 이온에 의한 시편 손상을 최소화하고 종횡비를 크게 함으로써, 신뢰성과 안정성이 있는 원자침 분석을 가능하게 하는 시편 제작 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따른 원자침 분석용 시편 제작방법은, 박막 시편상에 제 1 금속 캡핑층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속 캡핑층 상에 제 2 금속 캡핑층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 및 제 2 금속 캡핑층이 형성된 박막 시편을 포스트에 고정한 후, 집속이온빔을 환형마스크에 통과시켜 상기 박막 시편의 반경이 일정 크기 이하가 될 때까지 밀링하는 1차 밀링단계 및 상기 1차 밀링 후 상기 환형마스크의 내부 마스크를 제거한 후 밀링하는 2차 밀링 단계를 통해, 상기 박막 시편의 첨단 반경이 20nm 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 한다.
3차원 원자탐침, 3D-AP, FIB, 게이트 산화막, 보론 거동

公开(公告)号：KR1020100043979A

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：KR1020080103256

申请日：2008-10-21

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 구길호 ,  양요셉 ,  박찬경

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing sample for analyzing atom probe tip with low damage and large area by using focused ion beam is provided to increase the analysis efficiency of a thin film of a silicon wafer with low electric conductivity by manufacturing samples that have a sharp tip radius. CONSTITUTION: A method for manufacturing sample for analyzing atom probe tip with low damage and large area by using focused ion beam comprises following steps. A first metal-capping layer is formed on a thin film sample. A second metal-capping layer is formed on the first metal-capping layer. After a thin film sample with the first metal-capping layer and the second metal-capping layer is fixed on a post and focused ion beam passes through an annular mask, the thin film sample is milled until the radius of the thin film sample is below the fixed size.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用聚焦离子束来制造具有低损伤和大面积的原子探针尖端的样品的制造方法，通过制造具有尖锐尖端的样品来提高具有低电导率的硅晶片的薄膜的分析效率 半径。 构成：通过使用聚焦离子束，用于分析低损伤和大面积的原子探针尖端的样品的制造方法包括以下步骤。 在薄膜样品上形成第一金属覆盖层。 在第一金属覆盖层上形成第二金属覆盖层。 在具有第一金属覆盖层和第二金属覆盖层的薄膜样品固定在柱上并且聚焦离子束通过环形掩模之后，将薄膜样品研磨直到薄膜样品的半径低于 固定尺寸。