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公开(公告)号：KR100980039B1
公开(公告)日：2010-09-06
申请号：KR1020080010488
申请日：2008-02-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 TFT-LCD용 금속배선으로 Cu를 적용함에 있어 문제가 되는 확산현상을 해결하기 위해 적용되는 확산 방지막의 성능을 효과적으로 개선할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 확산 방지막을 물리적 기상 증착법으로 증착할 때 초기압력을 낮게 조절하여 형성되는 박막 내에 불순물 함량을 높이고, 이 불순물을 미세구조 제어에 이용함으로써, 기존의 순수 전이금속 확산 방지막이 갖는 결정립계를 통한 확산현상을 효과적으로 극복하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 확산 방지막 제조기술은 초기압력을 조절하는 것만으로도 효과적인 성능개선을 가져올 수 있고, 더욱이 10
-5 torr 레벨의 비교적 저진공에서 확산 방지막이 제조되기 때문에 고진공을 뽑기 위해 필요한 시간 및 에너지 절감효과를 가져올 수 있어 제품의 생산단가를 낮출 수 있다.
확산 방지막, Mo, Cu, TFT-LCD, 미세조직 제어-
公开(公告)号：KR1020090084357A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020080010488
申请日：2008-02-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: A diffusion barrier manufacturing method and a diffusion barrier manufactured by the same are provided to control impurity content and fine structure in order to prevent diffusion by controlling initial pressure of a chamber before evaporation. A diffusion barrier manufacturing method comprises following steps. The content of impurity inside a diffusion barrier is controlled by controlling initial pressure inside a chamber, so the fine structure of the diffusion barrier is controlled. The initial pressure is maintained in 1 x10-5torr ~ 5 x 10-5torr within the chamber. The diffusion barrier is made of the transition metal. The transition metal is Mo. The impurity is the oxygen, the nitrogen or the carbon.
Abstract translation: 提供扩散阻挡层制造方法及其制造的扩散阻挡层，以通过控制蒸发前的室的初始压力来控制杂质含量和微细结构，以防止扩散。 扩散阻挡层制造方法包括以下步骤。 通过控制室内的初始压力来控制扩散阻挡层内的杂质含量，从而控制扩散阻挡层的精细结构。 初始压力保持在室内1×10-5torr〜5×10-5torr。 扩散阻挡层由过渡金属制成。 过渡金属是Mo。杂质是氧，氮或碳。
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公开(公告)号：KR100872801B1
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：KR1020070073333
申请日：2007-07-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/324 , H01L21/76838
Abstract: The method the fabricating the metal silicide of the semiconductor device is provided to control the thickness of the nitride diffusion film by using the plasma exposure. The method for manufacturing the metal silicide comprises as follows. The nitride thin film is formed on the silicon substrate. The metallic film is formed on the nitride thin film. The metal silicide is formed by performing a heat treatment on the thin film. The nitride thin film is formed through the plasma nitridation method. The Ti anti-oxidation layer for preventing the oxidation caused by the thermal budget is formed on the metal thin film. The Ti anti oxidation layer is formed after the metal thin film deposition is performed and exposed in air.
Abstract translation: 提供了制造半导体器件的金属硅化物的方法，以通过使用等离子体曝光来控制氮化物扩散膜的厚度。 金属硅化物的制造方法如下。 氮化物薄膜形成在硅衬底上。 金属膜形成在氮化物薄膜上。 通过对薄膜进行热处理来形成金属硅化物。 通过等离子体氮化法形成氮化物薄膜。 在金属薄膜上形成用于防止由热预算引起的氧化的Ti抗氧化层。 在金属薄膜沉积进行并在空气中暴露之后形成Ti抗氧化层。
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公开(公告)号：KR101124352B1
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：KR1020080060662
申请日：2008-06-26
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 플라스마 원자층 증착법(plasma-enhanced atomic layer deposition; PE-ALD)을 이용하여 금속 나노 구조물을 제작함에 있어서, 그 형상을 정확하게 조절할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 제조방법에 의하면, 금속 나노 구조물의 길이는 정해진 성장속도를 기본으로 성장 사이클로서 조절할 수 있으며, 지름은 기판의 온도를 조절함으로써 변화시킬 수 있다. 이 두 가지 요소를 적절히 혼합하면, 크기와 모양이 다른 여러 가지 나노 구조물 (나노 점, 나노 막대, 나노 선 등)을 손쉽게 대면적 기판 위에 제작할 수 있다.
금속 나노 구조, 나노 막대, 나노 점, 나노 선, 플라스마 원자층 증착법, 원자층 증착법-
公开(公告)号：KR101062794B1
公开(公告)日：2011-09-06
申请号：KR1020080103256
申请日：2008-10-21
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 집속이온빔(Focused Ion Beam)을 이용한 3차원 원자침(3-D Atom Probe)분석용 시편 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼 기반의 박막 시료를 원자침 분석용 시편으로 제작함에 있어서 Ga 이온에 의한 시편 손상을 최소화하고 종횡비를 크게 함으로써, 신뢰성과 안정성이 있는 원자침 분석을 가능하게 하는 시편 제작 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따른 원자침 분석용 시편 제작방법은, 박막 시편상에 제 1 금속 캡핑층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속 캡핑층 상에 제 2 금속 캡핑층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 및 제 2 금속 캡핑층이 형성된 박막 시편을 포스트에 고정한 후, 집속이온빔을 환형마스크에 통과시켜 상기 박막 시편의 반경이 일정 크기 이하가 될 때까지 밀링하는 1차 밀링단계 및 상기 1차 밀링 후 상기 환형마스크의 내부 마스크를 제거한 후 밀링하는 2차 밀링 단계를 통해, 상기 박막 시편의 첨단 반경이 20nm 이하가 되도록 하는 것을 특징으로 한다.
3차원 원자탐침, 3D-AP, FIB, 게이트 산화막, 보론 거동-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101009939B1
公开(公告)日：2011-01-21
申请号：KR1020080106387
申请日：2008-10-29
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01Q30/20
Abstract: 본 발명은 전자에너지 손실 분광법으로 박판을 분석할 때 발생하는 탄소에 의한 시편의 오염을 제거하는 방법으로서 기존의 플라즈마 클리닝이나 이온클리닝에 비해 분석 비용과 시간을 줄일 수 있는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따른 시편의 오염제거방법은, 탄소오염이 발생할 경우, 전자손실 에너지분광장치의 렌즈시스템을 조절하여 분석용 전자빔이 정포커스에서 언더포커스가 되도록 하여 상기 전자빔의 초점이 시료의 상부에서 맞추어지도록 함으로써, 상기 언드포커스에 의해 조사된 전자빔에 의해 탄소오염이 제거되도록 하는 것을 특징으로 한다.
전자에너지 손실 분광법, 탄소오염-
公开(公告)号：KR1020100057708A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：KR1020080106387
申请日：2008-10-29
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G01Q30/20
Abstract: PURPOSE: A method of reducing carbon contamination generated in electron energy loss spectroscopy is provided to easily remove carbon without drawing a sample holder to the outside of an electronic microscope during analysis, thereby easily removing carbon. CONSTITUTION: When carbon contamination is generated, a lens system of an electron energy loss spectroscopy device is adjusted so that a focus of an electronic beam for analysis is converted from a normal focus to an under focus. The focus of the electronic beam is adjusted on a sample. Carbon contamination generated by the electronic beam is removed. The size of the electron beam is 1Å ~ 1.5Å.
Abstract translation: 目的：提供一种降低电子能量损失光谱中产生的碳污染的方法，以便在分析过程中不将样品架拉到电子显微镜外部，从而容易地除去碳。 构成：当产生碳污染时，调整电子能量损失光谱装置的透镜系统，使得用于分析的电子束的焦点从正常焦点转换为焦点不足。 在样品上调整电子束的焦点。 电子束产生的碳污染被去除。 电子束的大小为1〜1.5Å。
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公开(公告)号：KR1020100043979A
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：KR1020080103256
申请日：2008-10-21
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing sample for analyzing atom probe tip with low damage and large area by using focused ion beam is provided to increase the analysis efficiency of a thin film of a silicon wafer with low electric conductivity by manufacturing samples that have a sharp tip radius. CONSTITUTION: A method for manufacturing sample for analyzing atom probe tip with low damage and large area by using focused ion beam comprises following steps. A first metal-capping layer is formed on a thin film sample. A second metal-capping layer is formed on the first metal-capping layer. After a thin film sample with the first metal-capping layer and the second metal-capping layer is fixed on a post and focused ion beam passes through an annular mask, the thin film sample is milled until the radius of the thin film sample is below the fixed size.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用聚焦离子束来制造具有低损伤和大面积的原子探针尖端的样品的制造方法，通过制造具有尖锐尖端的样品来提高具有低电导率的硅晶片的薄膜的分析效率 半径。 构成：通过使用聚焦离子束，用于分析低损伤和大面积的原子探针尖端的样品的制造方法包括以下步骤。 在薄膜样品上形成第一金属覆盖层。 在第一金属覆盖层上形成第二金属覆盖层。 在具有第一金属覆盖层和第二金属覆盖层的薄膜样品固定在柱上并且聚焦离子束通过环形掩模之后，将薄膜样品研磨直到薄膜样品的半径低于 固定尺寸。
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公开(公告)号：KR100920456B1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：KR1020070100430
申请日：2007-10-05
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 막대의 제조방법에 관한 것으로, 특히 촉매를 사용하지 않으며 단순한 공정을 통해 금속 나노 막대를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 플라스마 원자층 증착법에 사용되는 반응가스의 조절을 통해 자기 조립 나노 막대를 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에서는 코발트 전구체로 CoCp
2 를 사용하고, 퍼징가스로 아르곤 가스, 그리고 반응가스로 암모니아와 모노실란의 혼합가스의 플라스마를 사용하여 직경 약 10 nm 내외, 길이 50 ~ 60 nm의 나노 막대를 형성하였다.
자기 조립 나노 막대, 플라스마 원자층 증착 방법, 반응 가스의 조절, 금속 나노 막대-
公开(公告)号：KR1020090035259A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：KR1020070100430
申请日：2007-10-05
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/28506 , C23C16/06 , C23C16/45553
Abstract: A fabrication method of a catalyst-less metal nano-rods by plasma-enhanced atomic layer deposition and a semiconductor element is provided to simplify a manufacturing process by growing a nano rod with a magnetic assembly. A silicon substrate without a natural oxide and a silicon substrate which is deposited with SiO2 of 100nm are heated at 300.C degrees. A redundancy precursor excluding a cobalt precursor is removed by spreading an argon purging gas for one second. NH3 200sccm and SiH 5cmm are reacted with a cobalt precursor absorbed on the silicon substrate. The redundancy reaction gas is removed by using the argon purging gas.
Abstract translation: 提供了通过等离子体增强的原子层沉积和半导体元件制造无催化剂的金属纳米棒的方法，以通过用磁性组件生长纳米棒来简化制造过程。 将没有天然氧化物的硅衬底和沉积有100nm的SiO 2的硅衬底在300℃加热。 除去钴前体之外的冗余前驱体通过将氩气吹扫气体扩散一秒来除去。 NH3 200sccm和SiH 5cmm与吸收在硅衬底上的钴前体反应。 通过使用氩气吹扫气体除去冗余反应气体。
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