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公开(公告)号：WO2013006016A2
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/KR2012/005394
申请日：2012-07-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 유학기 , 동완재 , 정관호
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L51/442 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 태양전지 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지 소자는, 광투과성을 가진 기판; 전도성과 광투과성을 갖는 재질로 이루어지고, 나노 스케일의 나뭇가지 형상을 갖는 다수의 나노 가지 구조체를 포함하여 상기 기판 상에 형성되는 제1전극; 전자도너와 전자억셉터를 가지며, 상기 제1전극 상에 형성되는 광활성층; 및 상기 광활성층 상에 형성되며, 전도성을 갖는 재질로 이루어지는 제2전극;을 포함하여 이루어진다. 본 발명에 의하면, 제1전극이 입사광을 효과적으로 확산 및 산란시키는 다수의 나노 가지 구조체를 포함함으로써 광활성층을 통과하는 광 경로를 증가시켜 광활성층에 흡수되는 빛의 양을 제고함으로 태양전지 소자의 효율을 향상시킬 수 있고, 광활성층이 제1전극의 나노 가지 구조체를 내포하는 형태로 제1전극의 전극체 상면에 형성되므로 광활성층 내부에서 생성된 전하가 신속하게 제1전극의 나노 가지 구조체로 이동될 수 있어 태양전지 소자의 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
Abstract translation:
本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池器件，根据本发明，具有光透过性的基板; 具有导电性和透光性，包括多个具有纳米尺度的树枝形状，以在衬底上形成的纳米结构的材料形成的第一电极; 电子涂有电子受体，形成在所述第一电极上的光活性层; 和它形成的光活性层，由具有导电性的材料制成的第二电极上;包括：a。 根据本发明，所述第一电极，所述太阳能电池元件的由包括多个纳米结构不同的用于有效地扩散和散射入射光增强由光活性层吸收通过光活性层，以增加光路的光的量的效率 并增强，光活性层是光活性层很快产生的电荷，所以在包含形成在第一电极的电极体的上表面上的第一电极的纳米不同结构的形式移动所述第一电极的结构的纳米 太阳能电池元件的效率可以进一步提高。
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公开(公告)号：WO2013005945A3
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/KR2012/005124
申请日：2012-06-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 손준호 , 이일환
Abstract: 본 발명은 표면증강라만산란 분광용 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표면증강라만산란 분광용 기판 제조방법은 고분자 기판의 표면을 플라즈마 처리하여 상기 고분자 기판의 표면에 나노 패턴을 형성하는 나노 패턴 형성단계 및 상기 고분자 기판의 나노 패턴 상에 금속 박막을 형성하는 금속 박막 형성단계를 포함하여 구성된다. 본 발명에 따르면, 높은 반복 재현성과 더불어 제조비용이 낮고, 핫스팟(hot spots)의 유도가 효율적으로 이루어져 물질의 검출 감도를 향상시킬 수 있는 표면증강라만산란 분광용 기판 및 그 제조방법이 제공되는 효과가 있다.
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公开(公告)号：WO2012091329A2
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/009647
申请日：2011-12-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 송양희 , 유철종
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/38
Abstract: 본 발명은 발광다이오드에 도포되는 형광체의 도포면적을 넓히고 형광체의 도포위치를 활성층(SQW 또는 MQW)과 가까운 위치에 배치함으로써, 발광효율을 크게 향상시킨 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자의 제조방법은, 기판의 표면에 요철부를 형성하고, 상기 기판상에 제1 반도체층, 활성층, 제2 반도체층을 상기 요철부의 형상이 유지되도록 순차적으로 형성함으로써, 발광다이오드의 일면에 요철부가 형성되도록 하는 단계와, 상기 발광다이오드에 형성된 요철부의 요부(凹部)에 형광체를 삽입되도록 도포하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及通过扩大被涂覆在发光二极管上的荧光体的涂布面积，并使涂布位置靠近活性层（SQW或者 MQW）。 本发明的发光装置的制造方法包括：在基板的表面上形成凹凸部，在发光二极管的一个面上形成凹凸部的工序，并连续成形 所述基板是保持所述凹凸部的形状的第一半导体层，有源层和第二半导体层， 以及在形成在发光二极管上的凹凸部的凹部上涂布荧光体从而被插入的步骤。
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公开(公告)号：WO2012043971A2
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/KR2011/004694
申请日：2011-06-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 김기수
IPC: H01L51/56 , G02F1/1333 , G02F1/167 , H01L29/786
CPC classification number: H05K1/0277 , G02F1/133305 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L51/003
Abstract: 본 발명은 기존의 플렉서블 기판의 낮은 공정 가능 온도, 높은 표면 거칠기, 높은 열팽창 계수, 나쁜 핸들링 특성의 문제에 따른 플렉서블 전자소자의 성능 및 수율 저하의 문제점을 해결하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 플렉서블 전자소자의 제조방법은 롤 형상 모기판 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판을 롤 형상 모기판과 분리시키는 단계 및 상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
Abstract translation: 为解决现有柔性基板因加工温度低，表面粗糙度高，热膨胀系数高，操作性差等问题而导致柔性电子器件性能和成品率下降的问题， 会的。 根据本发明的制造柔性电子装置的方法包括以下步骤：在卷状母基板上形成柔性基板;将柔性基板与卷状母基板分离;以及将柔性基板 并在基板上形成电子器件。
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公开(公告)号：WO2012020968A2
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：PCT/KR2011/005796
申请日：2011-08-09
Applicant: 서울옵토디바이스 주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 송양희
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 오믹 전극 구조체를 갖는 반도체 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법이 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 발광 소자는, 상부 표면이 N-면인 발광 구조체와，상기 발광 구조체 상에 위치하는 오믹 전극 구조체를 포함한다. 여기서, 상기 오믹 전극 구조체는 상기 발광 구조체의 N-면으로부터 하부 확산 방지층, 접촉층, 상부 확산 방지층 및 A1 보호충을 포함한다. 하부 확산 방지층 /접촉층 /상부 확산 방지층 /A1 보호충을 포함하는 다층 구조의 오믹 전극 구조체를 채택함으로써, N-면 반도체층 상의 오믹 접촉 특성 열화를 방지하여 열적 안정성이 우수한 반도체 발광 소자를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 公开了具有欧姆电极结构的半导体发光器件及其制造方法。 半导体光根据本发明的一个方面的发光器件包括N-和顶面 - 面发光结构，设置在所述发光结构上的欧姆电极结构。 这里，欧姆电极结构包括一个底部扩散阻挡层，接触层，上部扩散阻挡层和从N-充电保护发光结构的A1侧。 通过采用较低的扩散阻挡层/接触层/上部扩散阻挡层/ A1保护充电的含有，可以防止欧姆接触特性劣化的多层欧姆电极结构上的N-半导体层侧是提供一种半导体发光器件具有优异的热稳定性
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014077523A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/KR2013/009458
申请日：2013-10-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/22 , H01L2933/0025 , H01L2933/0083 , H05B33/10
Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 발광 다이오드 소자 또는 유기 발광 다이오드 소자의 기판에 자가 정렬 나노 구조체를 이용하여 나노 패턴으로 이루어지는 산화막을 형성토록 함으로써 내부에서 전반사의 가능성을 줄이고, 그에 따른 광추출 효율을 높일 수 있도록 한 발광 다이오드 소자의 제조방법 및 발광 다이오드 소자에 관한 것이다. 이에 따른 발광 다이오드 소자 제조방법은, (a) 기판상에 나노 구조체를 도포하는 단계; (b) 나노 구조체가 도포된 기판상에 기판 굴절률보다 작은 굴절률 값을 갖는 산화막을 증착하는 단계; (c) 산화막 증착 후 도포된 나노 구조체를 제거하여 기판에 나노 패터닝된 산화막을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다. 이에 따르면, 기판 표면에 자가 정렬 나노 구조체를 도포하고, 나노 구조체들 사이를 통해 산화막을 증착한 후 나노 구조체를 제거하는 방법으로 기판 표면에 나노 크기의 산화막이 패턴으로 형성되어 광결정을 이루도록 함으로써 광추출 효율을 향상시키는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造发光二极管元件的方法，该方法通过在氮化镓基发光二极管元件中形成由纳米图案形成的氧化膜，降低全内反射的可能性并提高光提取效率， 通过使用自对准纳米结构的有机发光二极管基板和发光二极管元件。 根据本发明的制造发光二极管元件的方法包括：（a）将纳米结构施加到基底上的步骤; （b）将具有小于衬底折射率的折射率值的氧化物膜沉积到其上施加纳米结构的衬底上的步骤; 和（c）通过在氧化膜沉积后除去所施加的纳米结构，在衬底上形成纳米图案化氧化物膜的步骤。 根据本发明，将自对准纳米结构施加到基板的表面上，并且通过纳米结构之间沉积氧化膜，然后去除纳米结构以在表面上形成纳米级氧化膜 的基底以形成光学晶体。 因此，可以提高光学提取效率。
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7.发明申请나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오 审中-公开一种制造纳米压印模具的方法，使用由该方法制造的纳米压印模具制造发光二极管的方法以及发光二极管
公开(公告)号：WO2012091270A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/008157
申请日：2011-10-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 손준호 , 송양희
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y40/00 , H01L21/302 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/44 , H01L2933/0091
Abstract: 본 발명은 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이를 이용한 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광다이오드 제조방법은 임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계, p형 질화물 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계, p형 전극 상에 도전성 기판을 형성하는 단계, 임시기판을 제거하여 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계, n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계, 나노 임프린트 몰드를 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 나노 패턴을 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계, 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계 및 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다. 본 발명에 따르면, 발광다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 나노 패턴을 효율적이고 경제적으로 형성할 수 있는 나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 발광다이오드가 제공되는 효과가 있다.
Abstract translation: 纳米压印模具制造方法，使用其的发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及纳米压印模具制造方法，使用其的发光二极管及其制造方法 根据本发明的发光二极管的制造方法包括在形成所述n型氮化物半导体层，发光层和在临时基板上的p型氮化物半导体层，所述p型氮化物半导体层，p型电极的的工序形成p型电极的步骤 在n型氮化物半导体层上形成的导电性基板，在去除临时衬底暴露所述n型氮化物半导体层，形成纳米压印的工序的抗蚀剂层，通过按纳米压印模具的纳米压印抗蚀剂层 形成有用于通过蚀刻所述纳米压印抗蚀剂层相和纳米图案的一部分来形成的步骤中，n型电极的纳米图案，分离纳米压印纳米压印模具的抗蚀剂层是形成纳米图案转移纳米压印抗蚀剂层 它被配置为包括。 根据本发明，纳米图案的发光效率，以改善用于制备能够形成，使用纳米压印模子与所述LED制造发光二极管的所提供的方法的效果的纳米压印模具的二极管的光提取效率和经济上的过程
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公开(公告)号：WO2012008683A3
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/KR2011/003784
申请日：2011-05-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 김기수
Abstract: 본 발명은 기존의 플렉서블 기판의 낮은 공정 가능 온도, 높은 표면거칠기, 높은 열팽창 계수, 나쁜 핸들링 특성의 문제에 따른 플렉서블 전자소자의 성능 및 수율 저하의 문제점을 해결하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 플렉서블 전자소자의 제조방법은, 모기판 상에 플렉서블 기판을 형성하는 단계, 상기 플렉서블 기판의 항복 강도보다도 상기 모기판과 상기 플렉서블 기판 사이의 계면 결합력이 작은 상기 플렉서블 기판과 모기판의 계면을 물리적으로 분리시키는 단계 및 상기 모기판과 접촉되어 있던 상기 플렉서블 기판의 분리면 상에 전자소자를 형성하는 단계를 포함하는 플렉서블 전자소자의 제조방법. 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2011028076A2
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：PCT/KR2010/006056
申请日：2010-09-07
Applicant: 서울옵토디바이스주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 송양희 , 손준호 , 김범준
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/387
Abstract: 본 발명은 발광 구조를 갖는 반도체층; 상기 반도체층 상에 형성된 나노 도트층, 접촉층, 확산 방지층 및 캡핑층을 구비하는 오믹 전극을 포함하고, 상기 나노 도트층은 상기 반도체층의 질소 극성면 상에 형성되고, Ag, Al, Au 중 적어도 하나의 물질로 형성되는 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이와 같은 반도체 발광 소자에서 나노 도트층/접촉층/확산 방지층/캡핑층을 포함하는 다층 구조의 오믹 전극은 나노 도트층이 질화물 반도체의 질소 극성면으로 전하 주입 특성을 향상시켜 우수한 오믹 특성을 얻을 수 있으며, 접촉층이 확산 장벽층으로 작용하여 질소 분위기 열처리 및 고온, 고전류 주입 조건에서 발생하는 열에 의한 열화를 억제하기 때문에 열적 안정성이 우수하다.
Abstract translation: 提供：半导体发光元件，包括具有发光结构的半导体层; 以及在所述半导体层上并入有纳米点层，接触层，扩散防止层和覆盖层的欧姆电极，其中所述纳米点层形成在所述半导体层的N-极性表面上，并且由包含 Ag，Al和Au中的至少一种。 还提供了一种生产方法。 在这种半导体发光元件中具有包含纳米点层/接触层/扩散防止层/覆盖层的多层结构的欧姆电极中，纳米点层构成氮化物半导体的N-极性表面 并且提高了电荷注入特性，从而可以获得突出的欧姆特性，而接触层用作扩散阻挡层，并且抑制由于在氮气氛热处理中产生的热和高温和高电流引起的劣化 注射条件，因此热稳定性突出。
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公开(公告)号：WO2015122652A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/KR2015/001222
申请日：2015-02-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/005 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L2933/0033
Abstract: 본 발명은 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구 모양의 나노구조체 전사를 통해 넓은 면적에 균일하게 나노구조체를 코팅하고 이를 통해 광추출 효율이 극대화된 발광다이오드를 제조하는 방법과 이 방법에 의해 제조된 광추출 효율이 우수한 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층이 형성된 발광다이오드 제조방법에 있어서, 제1기판 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계와, 상기 나노구조체가 코팅된 제1기판에서 제2기판으로 나노구조체를 전사하는 단계와, 상기 제2기판에 전사된 나노구조체를 제2반도체층에 전사하는 단계, 및 상기 제2반도체층에 전사된 나노구조체를 마스크로 이용하여 제2반도체층을 건식 에칭하여 요철부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光二极管的制造方法和由此获得的发光二极管，更具体地说，涉及一种通过球形纳米结构转印将纳米结构均匀地涂覆在宽表面积上的方法， 制造通过涂层使光提取效率最大化的发光二极管，涉及通过该方法产生的具有优异的光提取效率的发光二极管。 本发明涉及一种其中形成第一半导体层，有源层和第二半导体层的发光二极管的制造方法，其中所述方法包括：将球形纳米结构涂覆在第一基板上的步骤; 将已经被纳米结构涂覆的第一衬底的纳米结构转移到第二衬底上的步骤; 将已经转移到第二衬底上的纳米结构转移到第二半导体层上的步骤; 以及通过使用由已经转移到第二半导体层上的纳米结构构成的掩模来干法蚀刻第二半导体层来形成不均匀部分的步骤。
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