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公开(公告)号：WO2013165127A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003621
申请日：2013-04-26
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울옵토디바이스주식회사 , 주식회사 포스코엘이디
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판; 상기 기판 상에 구비된 제1 도전형 기저층; 상기 제1 도전형 기저층 상에 구비되며, 복 수개 구비되고, 적어도 두 종류의 크기로 구비된 개구부를 포함하는 마스크층; 상기 마스크층 상에 구비되며, 상기 개구부들을 통해 성장된 복수의 제1 도전형 구조체; 상기 제1 도전형 구조체의 표면 상에 구비된 활성층; 및 상기 마스크층과 활성층을 덮는 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드 소자가 제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及发光二极管元件及其制造方法。 根据本发明，提供了一种发光二极管元件，包括：基板; 设置在所述基板上的第一导电性基底层; 掩模层，其设置在多个第一导电基底层的顶部上，并且包括以至少两种尺寸设置的开口; 多个第一导电结构，设置在掩模层上并从开口生长; 设置在所述第一导电结构的表面上的有源层; 以及覆盖掩模层和有源层的第二导电半导体层。
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公开(公告)号：WO2012099436A2
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/KR2012/000549
申请日：2012-01-20
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L2933/0091
Abstract: 본 발명은 건식에칭 시 나노구조체와 반도체층 간의 에칭속도(에칭비) 차이를 이용하여 건식에칭 조건의 변화를 통해 반도체층에 생성되는 요철부의 경사각을 조절함으로써, 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드를 제조하는 방법과 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 제1 반도체층 상에 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성된 발광다이오드의 제조방법으로서, 상기 제2 반도체층 상에 나노구조체를 코팅하는 단계와, 상기 나노구조체를 마스크로 이용하여 상기 제2 반도체층과 함께 건식에칭하여 상기 제2 반도체층에 요철부를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 나노구조체는 상기 제2 반도체층에 비해 건식에칭이 용이한 물질을 사용하고, 상기 제2 반도체층과 나노구조체 사이의 에칭속도 차이를 고려하여 건식에칭 조건을 설정함으로써, 상기 제2 반도체에 생성된 요철부의 측면 경사각을 조절하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation:
本发明通过使用蚀刻率（蚀刻速率），干式蚀刻过程中，通过改变干蚀刻条件的纳米结构和所述半导体层之间的差调整所述半导体层中产生凹凸部的倾斜角度，光 以及通过该方法制造的发光二极管。 的发明，其中使用所述第一作为有源层和所述LED半导体层的第二制造方法，在半导体层上顺序地形成;并且其中所述纳米结构涂覆第二半导体层作为掩模对所述纳米结构。 第二称为与半导体层以干燥包括第二半导体层，其中所述纳米结构是使用容易干燥比第二半导体层的蚀刻材料上形成凹部和凸部的步骤，所述第二半导体层 并且通过考虑所述纳米结构之间的蚀刻速度差的设定的干式蚀刻条件，其特征在于，用于调节在所述第二半导体产生的凹凸部的横向倾斜角。
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公开(公告)号：WO2015122652A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/KR2015/001222
申请日：2015-02-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/005 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L2933/0033
Abstract: 본 발명은 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구 모양의 나노구조체 전사를 통해 넓은 면적에 균일하게 나노구조체를 코팅하고 이를 통해 광추출 효율이 극대화된 발광다이오드를 제조하는 방법과 이 방법에 의해 제조된 광추출 효율이 우수한 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명은 제1반도체층, 활성층 및 제2반도체층이 형성된 발광다이오드 제조방법에 있어서, 제1기판 상에 구 모양의 나노구조체를 코팅하는 단계와, 상기 나노구조체가 코팅된 제1기판에서 제2기판으로 나노구조체를 전사하는 단계와, 상기 제2기판에 전사된 나노구조체를 제2반도체층에 전사하는 단계, 및 상기 제2반도체층에 전사된 나노구조체를 마스크로 이용하여 제2반도체층을 건식 에칭하여 요철부를 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种发光二极管的制造方法和由此获得的发光二极管，更具体地说，涉及一种通过球形纳米结构转印将纳米结构均匀地涂覆在宽表面积上的方法， 制造通过涂层使光提取效率最大化的发光二极管，涉及通过该方法产生的具有优异的光提取效率的发光二极管。 本发明涉及一种其中形成第一半导体层，有源层和第二半导体层的发光二极管的制造方法，其中所述方法包括：将球形纳米结构涂覆在第一基板上的步骤; 将已经被纳米结构涂覆的第一衬底的纳米结构转移到第二衬底上的步骤; 将已经转移到第二衬底上的纳米结构转移到第二半导体层上的步骤; 以及通过使用由已经转移到第二半导体层上的纳米结构构成的掩模来干法蚀刻第二半导体层来形成不均匀部分的步骤。
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公开(公告)号：WO2013012195A3
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：PCT/KR2012/005466
申请日：2012-07-10
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 유철종 , 김기수 , 손준호
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 저비용으로 패터닝된 금속층에 선택적으로 나노 딤플을 형성할 수 있어 전자소자용 기판의 제조비용을 크게 절감할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은, (a) 기판에 금속층을 형성하는 단계; (b) 상기 금속층 상에 소정의 패턴이 형성된 마스크 층을 형성하는 단계; (c) 상기 기판을 산 용액에 침지하고 전압을 인가하여, 노출된 금속층에 자가정렬 나노 홀을 갖는 금속 산화물을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 금속 산화물을 식각하여 제거함으로써, 상기 금속층에 나노 딤플이 형성되도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：WO2012091329A2
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/KR2011/009647
申请日：2011-12-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 이종람 , 송양희 , 유철종
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/38
Abstract: 본 발명은 발광다이오드에 도포되는 형광체의 도포면적을 넓히고 형광체의 도포위치를 활성층(SQW 또는 MQW)과 가까운 위치에 배치함으로써, 발광효율을 크게 향상시킨 발광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광소자의 제조방법은, 기판의 표면에 요철부를 형성하고, 상기 기판상에 제1 반도체층, 활성층, 제2 반도체층을 상기 요철부의 형상이 유지되도록 순차적으로 형성함으로써, 발광다이오드의 일면에 요철부가 형성되도록 하는 단계와, 상기 발광다이오드에 형성된 요철부의 요부(凹部)에 형광체를 삽입되도록 도포하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及通过扩大被涂覆在发光二极管上的荧光体的涂布面积，并使涂布位置靠近活性层（SQW或者 MQW）。 本发明的发光装置的制造方法包括：在基板的表面上形成凹凸部，在发光二极管的一个面上形成凹凸部的工序，并连续成形 所述基板是保持所述凹凸部的形状的第一半导体层，有源层和第二半导体层， 以及在形成在发光二极管上的凹凸部的凹部上涂布荧光体从而被插入的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101653904B1
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020150006024
申请日：2015-01-13
Applicant: 공주대학교 산학협력단 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은형상이패터닝된무기물형광체함유유리복합체및 이를포함하는 LED 소자에관한것으로, 더욱구체적으로유리내부에무기물형광체가분산되어있고, 상기유리의하부면또는상부면과하부면모두에돌기또는반원이패터닝된것을특징으로하는형상이패터닝된무기물형광체함유유리복합체에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020140091807A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020130003383
申请日：2013-01-11
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L51/5072 , H01L21/02282 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L2251/558
Abstract: The present invention relates to an organic light emitting diode and a manufacturing method thereof wherein the organic light emitting diode can acquire high photon extraction efficiency by attaching a transparent polymer capable of improving low photon extraction efficiency to an organic light emitting diode device. The organic light emitting diode comprises: a transparent or opaque substrate, a flat insulation film formed on the substrate, an anode which is a repeller and formed on the insulation film, an organic light emitting layer formed by vapor depositing an organic matter on the anode, an opaque cathode formed on the organic light emitting layer, a refractive index controlling layer formed on the cathode, and a polymer layer including a nanostructure of a bend structure formed on the refractive index controlling layer.
Abstract translation: 有机发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及有机发光二极管及其制造方法，其中有机发光二极管可以通过将能够提高低光子提取效率的透明聚合物附着到有机发光二极管装置来获得高光子提取效率。 有机发光二极管包括：透明或不透明基板，在基板上形成的平坦绝缘膜，作为反射器并形成在绝缘膜上的阳极，通过在阳极上气相沉积有机物形成的有机发光层 ，形成在有机发光层上的不透明阴极，形成在阴极上的折射率控制层，以及包含形成在折射率控制层上的弯曲结构的纳米结构的聚合物层。
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公开(公告)号：KR1020140039414A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020120105180
申请日：2012-09-21
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사
CPC classification number: H01L33/38 , B82Y20/00 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: A light emitting diode manufacturing method using a nano imprint mold and a light emitting diode manufactured by the same are disclosed. The disclosed light emitting diode manufacturing method comprises the steps of forming a first conductive type nitride semiconductor layer, an activation layer, and a second conductive type nitride semiconductor layer on a substrate; forming a transparent electrode on the second conductive type nitride semiconductor layer; forming a nano imprint resist layer on the transparent electrode; pressing a nano imprint mold against the nano imprint resist layer, such that a nano pattern is transferred to the nano imprint resist layer; and etching the nano imprint resist layer and the transparent electrode such that the nano pattern of the nano imprint resist layer is transferred to the transparent electrode. By doing so, a light extracting efficiency is improved and the nano pattern is formed in an efficient and economical manner.
Abstract translation: 公开了使用纳米压印模具和由其制造的发光二极管的发光二极管制造方法。 所公开的发光二极管制造方法包括在基板上形成第一导电型氮化物半导体层，激活层和第二导电型氮化物半导体层的步骤; 在所述第二导电型氮化物半导体层上形成透明电极; 在所述透明电极上形成纳米压印抗蚀剂层; 将纳米压印模具压在纳米压印抗蚀剂层上，使得纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层上; 并且蚀刻纳米压印抗蚀剂层和透明电极，使得纳米压印抗蚀剂层的纳米图案被转印到透明电极。 通过这样做，提高光提取效率，并以有效和经济的方式形成纳米图案。
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公开(公告)号：KR101346803B1
公开(公告)日：2014-01-03
申请号：KR1020120051446
申请日：2012-05-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 포함하는 반도체 구조체; 상기 반도체 구조체 상에 구비된 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 구비된 리플로 결합 패턴; 및 상기 리플로 결합 패턴에 그 일부가 묻힌 복수 개의 나노 구조체를 포함하는 발광 다이오드 소자가 제공된다.
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公开(公告)号：KR101243635B1
公开(公告)日：2013-03-15
申请号：KR1020110071331
申请日：2011-07-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/32139
Abstract: 본 발명은 저비용으로 패터닝된 금속층에 선택적으로 나노 딤플을 형성할 수 있어 전자소자용 기판의 제조비용을 크게 절감할 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 방법은, (a) 기판에 금속층을 형성하는 단계; (b) 상기 금속층 상에 소정의 패턴이 형성된 마스크 층을 형성하는 단계; (c) 상기 기판을 산 용액에 침지하고 전압을 인가하여, 노출된 금속층에 자가정렬 나노 홀을 갖는 금속 산화물을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 금속 산화물을 식각하여 제거함으로써, 상기 금속층에 나노 딤플이 형성되도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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