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公开(公告)号：KR101885256B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020160170157
申请日：2016-12-14
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은저전력밴드갭기준전압및 기준전류발생회로를구현함에있어서, 리키지전류(leakage current)를이용하여절대온도가증가함에따라선형증가하는전압들을출력하고, 이전압들중 하나의기울기만을조정하여, 밴드갭기준전압및 기준전류를동시에발생할수 있도록한 기술에관한것이다. 이를위해트랜지스터가오프된상태에서흐르는리키지전류를이용하여절대온도에비례하는전압들을생성하고, 인위적인오프셋를가지는저전력증폭기를이용하여, 상기전압들중 하나를변형하여기준전류생성이가능케함으로써, 면적과소모전력을모두줄일수 있는효과가있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101733157B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150067942
申请日：2015-05-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: G05F3/08
Abstract: 본발명은저전력밴드갭기준전압발생회로를구현함에있어서, 리퀴지전류(leakage current)를이용하여밴드갭기준전압을발생할수 있도록한 기술에관한것이다. 이를위해다이오드결합형트랜지스터가오프된상태에서흐르는리퀴지전류를이용하여절대온도에비례하는전압을생성하고, 문턱전압이하에서동작하는증폭기를이용하여저전력동작이가능하도록저전력밴드갭기준전압발생회로를구현하였다.
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公开(公告)号：KR102204130B1
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020190068501
申请日：2019-06-11
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터, 및제 3 트랜지스터를포함한다. 제 1 트랜지스터는, 제 1 채널폭 및제 1 채널길이를갖고, 제 1 동작전압에기초하여동작전류를통과시킴으로써제 1 전위차를생성한다. 제 2 트랜지스터는, 제 2 채널폭 및제 2 채널길이를갖고, 동작전류에기초하여제 2 전위차를생성한다. 제 3 트랜지스터는, 제 2 동작전압및 동작전류에기초하여제 3 전위차를생성한다. 제 1 동작전압의레벨과제 1 전위차의레벨의합은, 제 2 동작전압의레벨, 제 2 전위차의레벨, 및제 3 전위차의레벨의합에대응한다. 제 1 채널폭이제 2 채널폭보다크거나, 제 1 채널길이가제 2 채널길이보다길다.
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公开(公告)号：KR1020200141677A
公开(公告)日：2020-12-21
申请号：KR1020190068501
申请日：2019-06-11
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터, 및제 3 트랜지스터를포함한다. 제 1 트랜지스터는, 제 1 채널폭 및제 1 채널길이를갖고, 제 1 동작전압에기초하여동작전류를통과시킴으로써제 1 전위차를생성한다. 제 2 트랜지스터는, 제 2 채널폭 및제 2 채널길이를갖고, 동작전류에기초하여제 2 전위차를생성한다. 제 3 트랜지스터는, 제 2 동작전압및 동작전류에기초하여제 3 전위차를생성한다. 제 1 동작전압의레벨과제 1 전위차의레벨의합은, 제 2 동작전압의레벨, 제 2 전위차의레벨, 및제 3 전위차의레벨의합에대응한다. 제 1 채널폭이제 2 채널폭보다크거나, 제 1 채널길이가제 2 채널길이보다길다.
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公开(公告)号：KR1020160134228A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150067942
申请日：2015-05-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: G05F3/08
Abstract: 본발명은저전력밴드갭기준전압발생회로를구현함에있어서, 리퀴지전류(leakage current)를이용하여밴드갭기준전압을발생할수 있도록한 기술에관한것이다. 이를위해다이오드결합형트랜지스터가오프된상태에서흐르는리퀴지전류를이용하여절대온도에비례하는전압을생성하고, 문턱전압이하에서동작하는증폭기를이용하여저전력동작이가능하도록저전력밴드갭기준전압발생회로를구현하였다.
Abstract translation: 使用漏电流的低功率带隙参考电压发生器可以包括：中压生成单元，被配置为使用泄漏电流基于绝对温度产生中压; 低功率放大器，被配置为放大所述中压并输出运算放大电压; 以及参考电压输出单元，被配置为基于所述运算放大电压在目标电平输出基准电压。
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公开(公告)号：KR101591883B1
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：KR1020140116186
申请日：2014-09-02
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: G10L15/16 , G10L15/02 , G10L15/28 , G10L19/038 , G10L2015/221
Abstract: 본발명은하드웨어기반의신경망을이용하여언어장애인의원활한언어소통을지원하는기술에관한것이다. 이를위해본 발명은학습모드에서아날로그디지털변환기를통해공급되는음성신호를근거로사용자의부정확한말에대응되는정확한말의단어나문장을저장하고, 서비스모드에서는아날로그디지털변환기를통해공급되는음성신호에대응하여학습모드에서저장된정확한말의단어나문장을읽어내어그에따른디지털신호로출력하는신경회로망을구비하는것을특징으로한다. 따라서, 본발명은언어인식률을향상시키고불필요하게전력이소모되는것을방지할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用基于硬件的神经网络来支持语言障碍者的平滑语言通信的技术。 本发明具有神经电路网络，其存储与用户的不准确语音相对应的准确语音的单词或句子，并且以对应于语音信号的研究模式读取准确语音的存储单词或句子，语音信号是 通过模拟数字转换器，通过在研究模式中通过模拟数字转换器提供的基于语音信号的服务模式提供，由此输出其数字信号。 因此，本发明增加语言识别率并防止不必要的电力消耗。
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