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公开(公告)号：KR101764336B1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：KR1020150054416
申请日：2015-04-17
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은기판을준비하는단계; 상기기판상에복수개의홀(hole)을가지는구조체를형성하는단계; 상기복수개의홀을가지는구조체내에전기화학증착(electrochemical deposition) 방법을이용하여제 1 금속층을형성하는단계; 상기제 1 금속층상에금속산화물층을형성하는단계; 및상기금속산화물층상에제 2 금속층을형성하는단계;를포함하고, 상기제 1 금속층, 상기금속산화물층및 상기제 2 금속층은연속적인공정으로바텀-업(bottom-up) 방식으로성장시켜형성된, 상향식저항변화메모리의제조방법및 이를이용하여구현한상향식저항변화메모리를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：准备衬底; 在衬底上形成具有多个孔的结构; 使用电化学沉积方法在具有多个孔的结构中形成第一金属层; 在第一金属层上形成金属氧化物层; 并且在所述金属氧化物层上形成第二金属层，其中所述第一金属层，所述金属氧化物层和所述第二金属层以连续工艺以自下而上的方式生长， 制造自下而上电阻变化存储器的方法以及使用该方法实现的自底向上电阻变化存储器。
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公开(公告)号：KR1020160123792A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：KR1020150054416
申请日：2015-04-17
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은기판을준비하는단계; 상기기판상에복수개의홀(hole)을가지는구조체를형성하는단계; 상기복수개의홀을가지는구조체내에전기화학증착(electrochemical deposition) 방법을이용하여제 1 금속층을형성하는단계; 상기제 1 금속층상에금속산화물층을형성하는단계; 및상기금속산화물층상에제 2 금속층을형성하는단계;를포함하고, 상기제 1 금속층, 상기금속산화물층및 상기제 2 금속층은연속적인공정으로바텀-업(bottom-up) 방식으로성장시켜형성된, 상향식저항변화메모리의제조방법및 이를이용하여구현한상향식저항변화메모리를제공한다.
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