公开(公告)号：KR100991861B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020080101003

申请日：2008-10-15

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 황인찬 ,  김형준 ,  박상준

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 자기조립 블록공중합체 나노템플레이트를 실리콘 기판의 산화막 상에 형성하고 산화막을 건식식각하여 블록공중합체 나노템플레이트의 나노패턴을 산화막에 이전한 후, 나노패턴이 이전된 실리콘 산화막을 이용한 실리콘 게르마늄의 선택적 에피 성장을 통해 균일하고 정렬도가 높은 나노점을 대면적으로 제조할 수 있는 실리콘 게르마늄 나노점의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따라 형성된 나노점은 메모리 소자, 광소자 등에 직접적으로 이용할 수 있다.
나노점, 실리콘 게르마늄, 블록공중합체, 선택적 에피 성장

公开(公告)号：KR1020100041946A

公开(公告)日：2010-04-23

申请号：KR1020080101003

申请日：2008-10-15

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 황인찬 ,  김형준 ,  박상준

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing nano-dots and a semiconductor device using the same are provided to adjust the size, the shape, the density and the height of the nano-dots by controlling an operation condition for the self-assembly of a block copolymer and the time for the epitaxial growth of silicon germanium. CONSTITUTION: An oxide layer is formed on a silicon substrate. A first nano-template with a plurality of holes is formed on the oxide layer by the self-assembly of a block copolymer. The nano-pattern of the nano-template is transferred to the oxide layer in order to form a second nano-template. The first nano-template is removed. The silicon substrate is exposed through holes of the second nano-template. Silicon germanium is grown by epitaxial growing. The second nano-template is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米点的方法和使用该方法的半导体器件，通过控制嵌段共聚物的自组装操作条件来调节纳米点的尺寸，形状，密度和高度 以及硅锗外延生长的时间。 构成：在硅衬底上形成氧化物层。 通过嵌段共聚物的自组装，在氧化物层上形成具有多个孔的第一纳米模板。 将纳米模板的纳米图案转移到氧化物层以形成第二纳米模板。 第一个纳米模板被去除。 硅衬底通过第二纳米模板的孔露出。 硅锗通过外延生长生长。 第二个纳米模板被去除。