시간적·공간적 지역성을 향상시키고 플레쉬 메모리장치로의 접근 횟수를 줄이는 플레쉬 메모리 시스템 및데이터 억세스 방법
    1.
    发明公开
    시간적·공간적 지역성을 향상시키고 플레쉬 메모리장치로의 접근 횟수를 줄이는 플레쉬 메모리 시스템 및데이터 억세스 방법 失效
    用于减少闪速存储器访问时间的闪速存储器系统,对读/写操作实现快速访问,并且改善时间和空间区域以及其数据访问方法

    公开(公告)号:KR1020040100262A

    公开(公告)日:2004-12-02

    申请号:KR1020030032552

    申请日:2003-05-22

    Inventor: 김신덕 이정훈

    CPC classification number: Y02D10/14 Y02D10/151

    Abstract: PURPOSE: A flash memory system for implementing fast access on read/write operations and a data access method are provided to reduce an access frequency to the flash memory device and reduce consumption power. CONSTITUTION: The flash memory device(112) stores instructions and data. A page register(114) stores the data inputted/output from the flash memory device. A dynamic fetching unit(120) transmits a selected block to an on-chip cache by selectively fetching the block stored in the page register. A victim buffer(132) stores the block data replaced from the on-chip cache. A spatial buffer(142) stores the block fetched by the dynamic fetching unit.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于实现读/写操作快速访问和数据访问方法的闪存系统,以减少对闪存设备的访问频率并降低功耗。 构成:闪存设备(112)存储指令和数据。 页寄存器(114)存储从闪速存储器件输入/输出的数据。 动态取出单元(120)通过选择性地取出存储在页面寄存器中的块,将所选择的块发送到片上高速缓存。 受害缓冲器(132)存储从片上高速缓存取代的块数据。 空间缓冲器(142)存储由动态取出单元取得的块。

    시간적·공간적 지역성을 향상시키고 플레쉬 메모리장치로의 접근 횟수를 줄이는 플레쉬 메모리 시스템 및데이터 억세스 방법
    2.
    发明授权
    시간적·공간적 지역성을 향상시키고 플레쉬 메모리장치로의 접근 횟수를 줄이는 플레쉬 메모리 시스템 및데이터 억세스 방법 失效
    闪存系统,用于改善时间局部性和空间局部性,并减少数据访问时间和数据访问方法

    公开(公告)号:KR100481943B1

    公开(公告)日:2005-04-14

    申请号:KR1020030032552

    申请日:2003-05-22

    Inventor: 김신덕 이정훈

    CPC classification number: Y02D10/14 Y02D10/151

    Abstract: 시간적·공간적 지역성을 향상시키고 플레쉬 메모리 장치로의 접근 횟수를 줄이는 플레쉬 메모리 시스템 및 데이터 억세스 방법이 개시된다. 본 발명의 플레쉬 메모리 시스템은 온-칩 캐쉬를 내장한 프로세서가 사용하는 명령어 또는 데이터를 저장하는 플레쉬 메모리 장치와, 플레쉬 메모리 장치로 입출력되는 데이터를 저장하는 페이지 레지스터와, 페이지 레지스터에 저장된 소정의 블럭을 선택적으로 패치하여 선택된 블럭을 온-칩 캐쉬로 전송하는 다이나믹 패칭 유닛과, 온-칩 캐쉬로부터 교체되는 블럭 데이터를 페이지 레지스터로 전송하기 이전에 저장하는 희생 버퍼와, 다이나믹 패칭 유닛에 의해 패치된 블럭을 저장하고 온-칩 캐쉬로 보내는 공간 버퍼를 포함한다. 따라서, 본 발명의 플레쉬 메모리 시스템에 의하면, 플레쉬 메모리 장치로의 접근 횟수를 줄여 소비 전력을 감소시키고 접근 실패율과 메모리 접근 시간을 줄인다.

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