公开(公告)号：KR1020150124901A

公开(公告)日：2015-11-06

申请号：KR1020150058767

申请日：2015-04-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최지원 ,  강종윤 ,  강효민 ,  권범진 ,  김성근 ,  김진상 ,  백승협 ,  윤석진

IPC: H01B3/10 ,  C23C14/08

Abstract: 본발명은고유전율과낮은유전손실특성을갖는칼슘구리티타늄산화물기반의유전체박막및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른칼슘구리티타늄산화물기반의유전체박막은유전체박막이 CaCuTiO(0

Abstract translation: 本发明涉及具有高介电常数和低介电损耗特性的钙 - 铜 - 氧化钛基电介质薄膜及其制造方法。 根据本发明，通过将电介质薄膜与CaxCuyTizO_12（0