Abstract:
전극막의 제조 방법 및 이를 이용하는 커패시터의 제조 방법을 제공한다. 전극막 제조 방법은, 기판 상에 주석 전구체 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제1 서브 사이클(first sub-cycle)을 수행하고, 제1 서브 사이클을 수행한 기판 상으로 주석 전구체, 탄탈륨 전구체, 및 산소 소스를 순차적으로 제공하는 제2 서브 사이클을 수행하고, 제1 서브 사이클 및 제2 서브 사이클이 하나의 사이클(cycle)을 구성하며, 사이클을 반복 수행하여, 기판 상에 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막을 형성하는 것을 포함한다. 탄탈륨이 도핑된 주석 산화막 내 탄탈륨 농도는 제2 서브 사이클에서 제공되는 주석 전구체에 의해 결정된다.
Abstract:
박막 전지용 양극 형성 방법은, 기판 상에 양극 활물질을 증착하는 단계; 및 상기 양극 활물질 상에 레이저를 조사하여 상기 양극 활물질을 결정화하는 단계;를 포함할 수 있다. 양극 활물질은 상온에서 기판 상에 증착될 수 있고, 레이저를 이용하여 저온에서 양극 활물질을 결정화함으로써 가볍고 가공이 용이한 고분자 기판을 사용할 수 있게 된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 양극 제조 방법으로 제조된 양극을 포함하는 박막 전지는 높은 방전 용량 등 우수한 충·방전 특성을 가질 수 있다.
Abstract:
개시된 파우더 코팅 방법은, 반응 챔버 내에 파우더를 장입하는 단계, 상기 반응 챔버 내에 소스 가스를 제공하여 원자층 증착을 통해 상기 파우더의 표면에 코팅층을 형성하는 단계 및 상기 파우더의 표면에 코팅층을 형성하기 위한 반응이 진행될 때, 상기 반응 챔버 외부에서 발생된 진동을, 상기 반응 챔버에 제공하는 단계를 포함한다.