公开(公告)号：KR100883332B1

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：KR1020070050002

申请日：2007-05-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  윤석진 ,  정대용 ,  김현재 ,  김정훈 ,  권성도

IPC: B05D1/18 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 고품질 박막 증착을 위한 화학적 기판처리 방법 및 이를 이용한 박막형 열전소재의 형성 방법에 관한 것으로, 기판을 수산화칼륨(KOH) 용액에 함침시키고 표면 처리하는 본 발명의 기판 전처리 방법에 따르면, 절연성 기판 또는 전극용 금속막이 증착된 기판상에 물성이 우수한 고품위 박막을 성장시킬 수 있어 박막형 열전모듈을 비롯한, 금속막 위에 양질의 반도체 박막 형성을 필요로 하는 전자 소자 부품 등을 제조하는 데 유리하게 이용될 수 있다.
수산화칼륨, 열전소재, 열전반도체, 금속 전극, 기판처리, 박막

公开(公告)号：KR1020080103126A

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：KR1020070050002

申请日：2007-05-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  윤석진 ,  정대용 ,  김현재 ,  김정훈 ,  권성도

IPC: B05D1/18 ,  H01L21/20

Abstract: A chemical treating method of substrate and thin film type thermoelectric material using the same are provided, in which crystal growth easily occurs in the growth of different kind of thin film at the top of the substrate. Organic compound remaining in the sapphire substrate surface is removed by using acetone, methanol, and distilled water. The substrate is put into the mixture of the sulfuric acid(H2SO4) and the phosphoric acid(H3PO4) of 3:1 ratio. The substrate is heated at 160deg.C for 10 minutes. The surface of sapphire board is etched. The sapphire substrate prepared through the process is dipped into the potassium hydroxide aqueous solution of 0.1 % concentration for 20 minutes and chemically treated. Bismuth-telluride(Bi2Te3) thin film grows in the reaction tube made of the quartz tube under the atmosphere pressure for 10 seconds using metal-organic chemical vapor deposition.

Abstract translation: 提供了使用其的基板和薄膜型热电材料的化学处理方法，其中在基板顶部的不同种类的薄膜的生长中容易发生晶体生长。 通过使用丙酮，甲醇和蒸馏水除去保留在蓝宝石衬底表面中的有机化合物。 将底物放入3:1比例的硫酸（H 2 SO 4）和磷酸（H 3 PO 4）的混合物中。 将基板在160℃加热10分钟。 蓝宝石板的表面被刻蚀。 将通过该方法制备的蓝宝石衬底浸入0.1％浓度的氢氧化钾水溶液中20分钟并进行化学处理。 铋 - 碲化物（Bi2Te3）薄膜在使用金属有机化学气相沉积的大气压下在由石英管制成的反应管中生长10秒钟。