-
公开(公告)号：KR100929552B1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020070140976
申请日：2007-12-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/18
Abstract: 에너지 변환 효율이 높으며 압전 에너지 하베스터 시스템의 소형화를 도모할 수 있는 하베스터 시스템의 캔틸레버를 제공한다. 이 캔틸레버는 휘어짐 가능한 기판; 및 상기 기판 상에 위치하며, [110] 방향으로 배열 및 분극된 압전 단결정층을 포함하되, 상기 압전 단결정층의 분극 방향은 상기 캔틸레버에 수직하다. 완화형 강유전체 단결정의 [110] 방향을 이용하여 에너지 하베스터의 캔틸레버를 제조함으로써, 단위 면적당 에너지 발전 효율을 높일 수 있으며, 압전 발전기의 소형화에 기여할 수 있다.
압전 단결정, PMN-PT, [100]방향, 에너지 하베스팅Abstract translation: 通过利用菱形结构的松弛铁电单晶制造能量收集器的悬臂，提供能量收集器以提高单位面积的能量产生效率。 能量收集器的悬臂包括柔性衬底（302）和压电单晶层（301）。 压电单晶层位于柔性基板上。 压电单晶层的偏振方向是围绕悬臂的垂直方向。 悬臂的纵向具有压电常数d31。 压电单晶层是Pb（Zn2 / 3Nb1 / 3）O3-PbTiO3（PZN-PT）或Pb（Mg2 / 3Nb1 / 3）O3-PbTiO3（PMN-PT）。 压电单晶层具有菱形结构。
-
公开(公告)号：KR100817470B1
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020060103210
申请日：2006-10-24
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H02N2/026 , H02N2/0015
Abstract: A piezo-electric linear motor is provided to precisely move a mover in a desired distance by desired friction force by changing a long radius and a short radius of oval displacement through a frequency control. A piezo-electric linear motor includes a power unit(130), a piezo-electric substrate(100), a metallic elastic body(110), and a move(120). The power unit includes a first power source(131) and a second power source(132). The piezo-electric substrate includes a first piezo-electric device(101) and a second piezo-electric device(102) which receive voltages from the power unit. The metallic elastic body includes first and second elastic bodies(111,112), and a center projection portion(113). The mover is in contact with the center projection portion of the metallic elastic body. A piezo-electric actuator is formed by connecting the piezo-electric substrate to the metallic elastic body. A buffering support is provided at a side opposed to the mover. The buffering support guides and supports the movement of the mover, and buffers a shock generated at the time when the center projection portion is in contact with the mover.
Abstract translation: 提供压电线性电动机，通过改变通过频率控制的长半径和椭圆形位移的短半径，通过期望的摩擦力将移动器精确地移动到期望的距离。 压电线性电动机包括动力单元（130），压电基板（100），金属弹性体（110）和移动（120）。 功率单元包括第一电源（131）和第二电源（132）。 压电基板包括从动力单元接收电压的第一压电装置（101）和第二压电装置（102）。 金属弹性体包括第一和第二弹性体（111,112）和中心突出部分（113）。 动子与金属弹性体的中心突起部接触。 压电致动器通过将压电基板连接到金属弹性体而形成。 在与移动者相对的一侧提供缓冲支撑。 缓冲支撑件引导和支撑移动器的运动，并且缓冲在中心突出部分与动子接触时产生的冲击。
-
公开(公告)号：KR100795374B1
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：KR1020060051350
申请日：2006-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 기판위에 p형 및 n형 열전 반도체 중 하나의 열전 반도체인 제1 열전 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 열전 반도체층 위에 제1 절연층을 형성하는 단계; 상기 제1 절연층 위에 p형 및 n형 열전 반도체 중 나머지 다른 하나의 열전 반도체인 제2 열전 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 열전 반도체층, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 열전 반도체층으로 형성된 수직 배열층이 서로 이격된 다수의 셀로 분리되어 배열되도록 어레이 패터닝하는 단계; 상기 셀 배열에서 교호적으로 위치하는 셀의 적어도 양단에서 상기 제1 열전 반도체층이 드러나도록 상기 제1 절연층 및 상기 제2 열전 반도체층을 제거하는 단계; 상기 셀과 셀 사이에 제2 절연층을 형성하는 단계; 양단의 제1 열전 반도체층이 드러나 있는 상기 셀의 제1 열전 반도체층을 그와 이웃하는 셀의 상기 제2 열전 반도체층과 전기적으로 연결하는 전극을 형성하는 단계 -상기 양단 중 일 단의 전극은 일 방향으로 이웃하는 셀의 제2 열전 반도체층과 연결되고 타 단의 전극은 타 방향으로 이웃하는 셀의 제2 열전 반도체층과 연결됨- 를 포함하는 박막형 열전모듈 제조방법이 제공된다.
열전반도체, 열전발전, 열전냉각, 열전박막, 열전모듈-
公开(公告)号：KR1020090072767A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020070140976
申请日：2007-12-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/18
CPC classification number: H01L41/1876 , C04B35/491 , H01L41/0926
Abstract: An energy harvester is provided to enhance energy generation efficiency per unit area by manufacturing a cantilever of an energy harvester with a relaxor ferroelectric single crystal of a rhombohedral structure. A cantilever of an energy harvester includes a flexible substrate(302) and a piezoelectric single crystal layer(301). The piezoelectric single crystal layer is positioned on the flexible substrate. A polarizing direction of the piezoelectric single crystal layer is a vertical direction about the cantilever. A longitudinal direction of the cantilever has a piezoelectric constant d31. The piezoelectric single crystal layer is Pb(Zn2/3Nb1/3)O3-PbTiO3(PZN-PT) or Pb(Mg2/3Nb1/3)O3-PbTiO3(PMN-PT). The piezoelectric single crystal layer has a rhombohedral structure.
Abstract translation: 提供能量收集器以通过制造具有菱形结构的松弛剂铁电单晶的能量收集器的悬臂来提高每单位面积的能量产生效率。 能量收集器的悬臂包括柔性基板（302）和压电单晶层（301）。 压电单晶层位于柔性基板上。 压电单晶层的偏振方向是围绕悬臂的垂直方向。 悬臂的纵向具有压电常数d31。 压电单晶层为Pb（Zn2 / 3Nb1 / 3）O3-PbTiO3（PZN-PT）或Pb（Mg2 / 3Nb1 / 3）O3-PbTiO3（PMN-PT）。 压电单晶层具有菱形结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100897783B1
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020070076822
申请日：2007-07-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/314 , H01L41/253 , H01L41/187
Abstract: 본 발명은 압전소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 압전소자를 박막으로 형성할 수 있고 금속기판을 낮은 온도로 열처리할 수 있어서 압전소자를 유연하게 제조할 수 있는 압전소자 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 Ti 또는 고온 내식성 SUS으로 이루어진 금속기판에 하부전극을 형성하는 하부전극형성단계와, 압전물질 파우더를 비이클과 혼합하고 분산하여 파우더 페이스트를 형성하는 파우더페이스트형성단계와, 상기 하부전극이 스크린 프린팅된 금속기판 상에 상기 파우더 페이스트를 스크린 프린팅하여 박막으로 코팅하는 페이스트코팅단계와, 상기 금속기판의 파우더 페이스트 코팅면 상에 상부전극을 형성하는 상부전극형성단계와, 상기 파우더 페이스트가 코팅된 금속기판을 1000℃ 이하의 온도에서 짧은 시간 동안 열처리하는 급속열처리(RTA)단계와, 상기 파우더 페이스트 코팅층에 전압을 가하는 분극단계를 포함한다.
압전소자, 압전액츄에이터, 에너지 하베스팅(energy harvesting), 급속열처리, 스크린 프린팅, Ti, SUS316-
公开(公告)号：KR100883332B1
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：KR1020070050002
申请日：2007-05-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 고품질 박막 증착을 위한 화학적 기판처리 방법 및 이를 이용한 박막형 열전소재의 형성 방법에 관한 것으로, 기판을 수산화칼륨(KOH) 용액에 함침시키고 표면 처리하는 본 발명의 기판 전처리 방법에 따르면, 절연성 기판 또는 전극용 금속막이 증착된 기판상에 물성이 우수한 고품위 박막을 성장시킬 수 있어 박막형 열전모듈을 비롯한, 금속막 위에 양질의 반도체 박막 형성을 필요로 하는 전자 소자 부품 등을 제조하는 데 유리하게 이용될 수 있다.
수산화칼륨, 열전소재, 열전반도체, 금속 전극, 기판처리, 박막-
公开(公告)号：KR1020080103126A
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：KR1020070050002
申请日：2007-05-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A chemical treating method of substrate and thin film type thermoelectric material using the same are provided, in which crystal growth easily occurs in the growth of different kind of thin film at the top of the substrate. Organic compound remaining in the sapphire substrate surface is removed by using acetone, methanol, and distilled water. The substrate is put into the mixture of the sulfuric acid(H2SO4) and the phosphoric acid(H3PO4) of 3:1 ratio. The substrate is heated at 160deg.C for 10 minutes. The surface of sapphire board is etched. The sapphire substrate prepared through the process is dipped into the potassium hydroxide aqueous solution of 0.1 % concentration for 20 minutes and chemically treated. Bismuth-telluride(Bi2Te3) thin film grows in the reaction tube made of the quartz tube under the atmosphere pressure for 10 seconds using metal-organic chemical vapor deposition.
Abstract translation: 提供了使用其的基板和薄膜型热电材料的化学处理方法，其中在基板顶部的不同种类的薄膜的生长中容易发生晶体生长。 通过使用丙酮，甲醇和蒸馏水除去保留在蓝宝石衬底表面中的有机化合物。 将底物放入3:1比例的硫酸（H 2 SO 4）和磷酸（H 3 PO 4）的混合物中。 将基板在160℃加热10分钟。 蓝宝石板的表面被刻蚀。 将通过该方法制备的蓝宝石衬底浸入0.1％浓度的氢氧化钾水溶液中20分钟并进行化学处理。 铋 - 碲化物（Bi2Te3）薄膜在使用金属有机化学气相沉积的大气压下在由石英管制成的反应管中生长10秒钟。
-
公开(公告)号：KR1020070117291A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：KR1020060051350
申请日：2006-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A method for fabricating a thin thermoelectric module for a heater cooler and a generator is provided to simplify a fabricating process and enable a high temperature process in growing a multilayered thin film by growing p-type and n-type thermoelectric semiconductors at a time wherein an insulation layer is interposed between the p-type and n-type semiconductors. A first thermoelectric semiconductor layer which is one of n-type and p-type thermoelectric semiconductors(11,13) is formed on a substrate(10) by one of a thermal deposition method, an MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) method, a molecular beam epitaxy method and a sputtering method. A first insulation layer(12) is formed on the first thermoelectric semiconductor. A second thermoelectric semiconductor layer which is the other one of the n-type and p-type thermoelectric semiconductors is formed on the first insulation layer. A vertical arrangement layer composed of the first thermoelectric semiconductor layer, the first insulation layer and the second thermoelectric semiconductor layer is patterned to be separated into a plurality of cells separated from one another. One of the first and second thermoelectric semiconductor layers in the cell is electrically connected to the other one of the first and second thermoelectric semiconductor layers in an adjacent cell to the cell by an electrode.
Abstract translation: 提供一种用于制造用于加热器冷却器和发电机的薄型热电模块的方法，以简化制造工艺，并且能够通过在其中生长p型和n型热电半导体来生长多层薄膜来实现高温工艺 绝缘层介于p型和n型半导体之间。 通过热沉积法，MOCVD（金属有机化学气相沉积法）法中的一种形成在基板（10）上形成作为n型和p型热电半导体（11,13）之一的第一热电半导体层， 分子束外延法和溅射法。 第一绝缘层（12）形成在第一热电半导体上。 在第一绝缘层上形成作为n型和p型热电半导体中的另一个的第二热电半导体层。 由第一热电半导体层，第一绝缘层和第二热电半导体层构成的垂直布置层被图案化以分离成彼此分离的多个单元。 电池中的第一和第二热电半导体层之一通过电极与相邻电池中的第一和第二热电半导体层中的另一个电连接到电池。
-
公开(公告)号：KR1020090012736A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070076822
申请日：2007-07-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/314 , H01L41/253 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1876 , H01L41/314 , H01L41/43
Abstract: A manufacturing method of the piezoelectric element is provided to prevent the oxidation of the metallic board while heightening the flexibility of piezoelectric. A manufacturing method of the piezoelectric element comprises the formation step of a bottom electrode(30); the formation step of the powder paste; the formation step of the thin film(10) of the powder paste; the formation step of the upper electrode(40); the performance step of the rapid thermal processing; and the performance step of the polarization. The bottom electrode is formed on the metallic(20). The upper electrode is formed on the thin-film of the powder paste.
Abstract translation: 提供了压电元件的制造方法，以防止金属板的氧化，同时提高压电的柔性。 压电元件的制造方法包括：底电极（30）的形成工序。 粉末糊的形成步骤; 粉末糊料的薄膜（10）的形成步骤; 上电极（40）的形成步骤; 快速热处理的性能步骤; 和极化的表现步骤。 底部电极形成在金属（20）上。 上部电极形成在粉末糊状物的薄膜上。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.021 seconds)
