公开(公告)号：KR101743017B1

公开(公告)日：2017-06-05

申请号：KR1020150069836

申请日：2015-05-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  금대명 ,  박민수 ,  최원준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/185 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66219 ,  H01L29/861 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

Abstract: 반도체소자의제조방법은, 제1 기판및 상기제1 기판상에위치하는패턴된제1 III-V족화합물층을포함하는템플릿(template)을제공하는단계; 상기패턴된제1 III-V족화합물층상에에피택시(epitaxy) 성장방식으로희생층을형성하는단계; 상기희생층상에에피택시성장방식으로제2 III-V족화합물층을형성하는단계; 상기제2 III-V족화합물층상에실리콘으로이루어진제2 기판을접합하는단계; 및상기희생층을제거함으로써상기제2 III-V족화합물층및 상기제2 기판을상기템플릿으로부터분리하는단계를포함한다. 템플릿의패턴된 III-V족화합물층으로부터또 다른 III-V족화합물층이직접성장방식으로제조되므로, III-V족화합물과다른기판사이의결함이제거되며, 대면적의반도체소자를직접성장방식으로제조할수 있고, 웨이퍼(wafer) 크기의제한이나비용증가등의문제점을줄일수 있다.

Abstract translation: 18.一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括第一衬底和位于所述第一衬底上的图案化的第一III-V族化合物层的模板; 通过外延生长方法在图案化的第一III-V族化合物层上形成牺牲层; 在牺牲层上以外延生长方式形成第二III-V族化合物层; 在第二III-V族化合物层上键合由硅制成的第二衬底; 通过去除牺牲层将第二III-V族化合物层和第二衬底与模板分离。 由于从在生长的方法直接制备，所述III-V族化合物的模板化合物层的III-V族化合物层图案中的其它III-V和是不同的基片之间的去除缺陷，一种半导体器件的生长方法具有大面积直接 并且可以减少晶圆尺寸限制和成本增加等问题。

公开(公告)号：KR1020160136103A

公开(公告)日：2016-11-29

申请号：KR1020150069836

申请日：2015-05-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김상현 ,  금대명 ,  박민수 ,  최원준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/185 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66219 ,  H01L29/861 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/544

Abstract: 반도체소자의제조방법은, 제1 기판및 상기제1 기판상에위치하는패턴된제1 III-V족화합물층을포함하는템플릿(template)을제공하는단계; 상기패턴된제1 III-V족화합물층상에에피택시(epitaxy) 성장방식으로희생층을형성하는단계; 상기희생층상에에피택시성장방식으로제2 III-V족화합물층을형성하는단계; 상기제2 III-V족화합물층상에실리콘으로이루어진제2 기판을접합하는단계; 및상기희생층을제거함으로써상기제2 III-V족화합물층및 상기제2 기판을상기템플릿으로부터분리하는단계를포함한다. 템플릿의패턴된 III-V족화합물층으로부터또 다른 III-V족화합물층이직접성장방식으로제조되므로, III-V족화합물과다른기판사이의결함이제거되며, 대면적의반도체소자를직접성장방식으로제조할수 있고, 웨이퍼(wafer) 크기의제한이나비용증가등의문제점을줄일수 있다.

Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法，其包括提供具有第一衬底和位于第一衬底上的图案化的第一III-V族化合物层的模板，在图案化的第一III-V族化合物层上形成牺牲层， 外延生长，通过外延生长在牺牲层上形成第二III-V族化合物层，将由硅制成的第二衬底结合到第二III-V族化合物层上，以及将第二III-V族化合物层和第二III-V族化合物层分离 通过去除牺牲层从模板的衬底。