公开(公告)号：KR1020050038215A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：KR1020030073451

申请日：2003-10-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  김광무

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명에 의한 양자점 형성방법은 반도체 기판 위에 기판 물질과 격자 불일치를 이루는 층으로서의 유사안정 양자우물층을 자발 형성 양자점이 형성되는 임계 두께 이하로 성장시킨 후 국소적으로 외부 에너지를 인가함으로써 양자점을 형성한다. 따라서, 본 발명은 기판에 젖은 층이 형성되지 않고, 공간적으로 대칭 구조의 양자점을 형성할 수 있으며, 양자점의 위치를 정확하게 제어할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020020020474A

公开(公告)日：2002-03-15

申请号：KR1020000053649

申请日：2000-09-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  김은규 ,  김광무

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/127 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/06 ,  H01S5/12 ,  H01S5/3412 ,  Y10S438/938 ,  Y10S438/962

Abstract: PURPOSE: A method for arranging quantum dots is provided to control the position of the quantum dots without a complicated process, by controlling the inner strain distribution through a period determined by a composition ratio and the thickness of two materials constituting a super-lattice layer and by regularly distributing the position of arrangement of the quantum dots. CONSTITUTION: A substrate(1) is prepared. At least two semiconductor materials having different lattice constants are alternatively stacked on the substrate for a predetermined period to grow a super-lattice strained layer(4'). A quantum dot active layer including quantum dots aligned along the inner strain of the alternatively-stacked super-lattice strained layer is formed on the super-lattice strained layer. The predetermined period is determined in consideration of the inner strain.

Abstract translation: 目的：提供一种用于布置量子点的方法，通过控制内部应变分布经由组成比确定的周期和构成超晶格层的两种材料的厚度和 通过定期分配量子点的排列位置。 构成：制备基材（1）。 具有不同晶格常数的至少两种半导体材料交替地堆叠在衬底上一段预定的时间以生长超晶格应变层（4'）。 在超晶格应变层上形成量子点活性层，该量子点活性层包括沿着交替层叠的超晶格应变层的内部应变排列的量子点。 考虑到内部应变来确定预定时间。

公开(公告)号：KR102061729B1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：KR1020170149411

申请日：2017-11-10

Applicant: 참엔지니어링(주) ,  한국과학기술연구원

Inventor： 김광무 ,  윤여홍 ,  황준연 ,  김준경

IPC: B29C64/153 ,  B29C64/214 ,  B29C64/295 ,  B29C64/112 ,  B29C64/118 ,  B33Y30/00

公开(公告)号：KR100523545B1

公开(公告)日：2005-10-25

申请号：KR1020030073451

申请日：2003-10-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  김광무

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명에 의한 양자점 형성방법은 반도체 기판 위에 기판 물질과 격자 불일치를 이루는 층으로서의 유사안정 양자우물층을 자발 형성 양자점이 형성되는 임계 두께 이하로 성장시킨 후 국소적으로 외부 에너지를 인가함으로써 양자점을 형성한다. 따라서, 본 발명은 기판에 젖은 층이 형성되지 않고, 공간적으로 대칭 구조의 양자점을 형성할 수 있으며, 양자점의 위치를 정확하게 제어할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100377498B1

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：KR1020000053649

申请日：2000-09-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  김은규 ,  김광무

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L33/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/127 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/06 ,  H01S5/12 ,  H01S5/3412 ,  Y10S438/938 ,  Y10S438/962

Abstract: A method for aligning quantum dots effectively controls a growth position of the quantum dots for obviating an irregularity of a position of spontaneous formation quantum dots, and thus aligns the quantum dots in one-dimension (1-D) or two-dimension (2-D). A semiconductor device fabricated using the method manufactures a superlattice layer layer for adjusting an internal strain distribution by alternately depositing two semiconductor materials having different lattice constant, and grows spontaneous formation quantum dots on the superlattice layer. As a result, a strained force caused by the superlattice layer influences on the quantum dots so that the quantum dots can be regularly aligned.

Abstract translation: 用于对齐量子点的方法有效地控制量子点的生长位置以消除自发形成的量子点位置的不规则性，并且因此使一维（1-D）或二维（2-维） d）。 使用该方法制造的半导体器件通过交替地沉积具有不同晶格常数的两种半导体材料来制造用于调整内部应变分布的超晶格层层，并且在超晶格层上生长自发形成的量子点。 结果，由超晶格层引起的应变力影响量子点，使得量子点可以规则对齐。