公开(公告)号：KR100370659B1

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：KR1020000082009

申请日：2000-12-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  박용주 ,  김태환 ,  강승언 ,  추동철 ,  심재환

IPC: H01L21/265 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C14/5833 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/5873 ,  C30B13/24 ,  C30B29/605 ,  H01L21/265 ,  Y10S977/949

Abstract: Disclosed is a method for forming a nano-crystal. In the above method, there is prepared a substrate having a metal film or a semiconductor film formed thereon. A focused-ion beam is irradiated onto a plurality of positions on a surface of the metal film or the semiconductor film, whereby the metal film or the semiconductor film is removed at a focal portion of the focused-ion beam but an atomic bond in the metal film or the semiconductor film is broken at an overlapping region of the focused-ion beams due to an radiation effect of the focused-ion beam to form the nano-crystal. The method allows a few nm or less-sized nano-crystals to be formed with ease and simplicity using the focused-ion beam. As a result, the formed nano-crystals come to have a binding energy capable of restraining thermal fluctuation phenomenon at room temperature and thereby it becomes possible to fabricate a tunneling transistor capable of being operated at room temperature. Further, the invention contributes largely to a development of next generation ultra high density memory device with a memory capacitance of tera byte level or more.

Abstract translation: 公开了一种形成纳米晶体的方法。 在上述方法中，准备了形成有金属膜或半导体膜的基板。 将聚焦离子束照射到金属膜或半导体膜的表面上的多个位置上，由此在聚焦离子束的焦点部分除去金属膜或半导体膜，但是在 由于聚焦离子束的辐射作用，金属膜或半导体膜在聚焦离子束的重叠区域被破坏以形成纳米晶体。 该方法允许使用聚焦离子束容易且简单地形成几纳米或更小尺寸的纳米晶体。 结果，所形成的纳米晶体在室温下具有能够抑制热波动现象的结合能量，从而可以制造能够在室温下操作的隧穿晶体管。 此外，本发明在很大程度上有助于开发具有四字节或更高的存储容量的下一代超高密度存储器件。

公开(公告)号：KR1020010090952A

公开(公告)日：2001-10-22

申请号：KR1020000018481

申请日：2000-04-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  최원철

IPC: C09K11/59

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C01P2002/70 ,  H01L33/502 ,  Y02B20/181

Abstract: PURPOSE: Provided are cerium silicate as a light-emitting material which emits light in the ultraviolet range to the blue light range and a process for producing the same for giving optical and structural changes to the material. CONSTITUTION: The cerium silicate as a light emitting material is produced by the steps of: depositing the cerium oxides on a silicon substrate or depositing the cerium oxides with silicon on a silicon or sapphire substrate or depositing silicon oxides on the silicon or sapphire substrate and depositing the cerium oxides on the silicon oxides; heat-treating at a fixed temperature to form the cerium silicate crystal structure. The cerium silicate as a light emitting material has the wavelength of 400-358nm and the cerium silicate is Ce4.667(SiO4)3O or Ce2Si2O7.

Abstract translation: 目的：提供作为在紫外线范围内向蓝光范围发光的发光材料的硅酸铈及其制造方法，以使材料发生光学和结构变化。 构成：作为发光材料的硅酸铈通过以下步骤制造：将氧化铈沉积在硅衬底上或在硅或蓝宝石衬底上用硅沉积氧化铈或在硅或蓝宝石衬底上沉积氧化硅并沉积 氧化硅上的氧化铈; 在固定温度下进行热处理以形成硅酸铈晶体结构。 作为发光材料的硅酸铈的波长为400-358nm，硅酸铈为Ce4.667（SiO4）3O或Ce2Si2O7。

公开(公告)号：KR100264159B1

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019980023945

申请日：1998-06-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  김은규 ,  민석기

IPC: C30B25/00

Abstract: 질화갈륨 (GaN), 질화인듐 (InN) 및 질화알루미늄 (AlN)과 같은 III족 금속원소의 질화물의 미세 결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 회전날개가 부착된 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 III족 금속원소 용융물 내부로 주입하여 암모니아 가스와 III족 금속원소를 직접 화학반응 시킴으로써 간편한 방법으로 수∼ 수십 μm 크기의 미세한 III족 금속원소의 미세결정을 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100219837B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019970005290

申请日：1997-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  김춘근 ,  민석기

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 주사하여 V자형의 홈을 형성함으로써 그 갈륨비소기판에 손상을 주며, 그 V자형 홈의 가장 깊은 부분에 형성한 양자점을 사용하는 광전소자의 출력이 약해 사용효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 습식식각으로 V자형 홈을 형성하고, 2차원적인 반복구조를 갖는 양자점을 유기금속 화학증착법을 사용하여 용이하게 형성함으로써, 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시켜 광전소자의 광변환효율을 증대시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980068604A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970005288

申请日：1997-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 전류차단구조와 활성층을 동시에 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 먼저, 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자형 또는 U자형의 홈을 형성하고, 상기 형성된 V자형 또는 U자형홈의 가장 깊은 곳에 양자점 또는 양자세선을 형성하며 그 다음, 상기 양자점 또는 양자세선이 형성된 갈륨비소기판상에 갈륨비소에피층을 성장시키고 그 갈륨비소에피층에 이온을 주입하거나 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성하여, 그 공정단계가 복잡하고, 미세구조를 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소와 산화알루미늄상에 갈륨비소에피층을 성장시켜 그 격자결함의 차를 이용하여 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성함으로써 공정단계를 단순화하고, 용이하게 미세구조를 형성하며, 또한 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020030058421A

公开(公告)日：2003-07-07

申请号：KR1020010088870

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  신재철

IPC: H01L31/09

Abstract: PURPOSE: A method of changing wavelength response of quantum well infrared photo-detectors by using quantum well intermixing technique is provided to change the detected wavelength band of the quantum well infrared photo-detectors by using a substrate having a changed band gap of a quantum well infrared absorption layer. CONSTITUTION: A band gap of a quantum well infrared absorption layer of quantum well infrared photo-detectors is increased by using various quantum well intermixing processes. A quantum well infrared detection device is fabricated by using a substrate having the increased band gap of the quantum well infrared absorption layer. Various dielectric capping layers such as SiO2, SiNx, and SrF2 are coated on the substrate. The band gap of the quantum well infrared absorption layer is increased by performing a thermal process for the substrate.

Abstract translation: 目的：通过使用量子阱混合技术改变量子阱红外光电探测器的波长响应的方法，通过使用量子阱的带隙改变的衬底来改变量子阱红外光电检测器的检测波长带 红外吸收层。 构成：量子阱红外光电探测器的量子阱红外吸收层的带隙通过使用各种量子阱混合过程增加。 通过使用具有增加的量子阱红外线吸收层的带隙的衬底来制造量子阱红外检测装置。 各种电介质覆盖层如SiO 2，SiN x和SrF 2涂覆在基片上。 通过对衬底进行热处理来增加量子阱红外线吸收层的带隙。

公开(公告)号：KR1020030032533A

公开(公告)日：2003-04-26

申请号：KR1020010064353

申请日：2001-10-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김광윤 ,  최원준 ,  김은규

IPC: H01L43/02

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a magnetoresistive thin film of a magnetoresistive spin valve by using a difference of coercive force is provided to form a spin valve structure that expresses high magnetoresistivity and high magnetic sensitivity in a low magnetic field, by controlling the spin of a CoFe layer and a NiFe layer while using a coercive force. CONSTITUTION: The CoFe layer is formed as the first ferromagnetic layer by a thickness of 20-100 angstrom in a condition that sputtering power is 20-100 watt and the partial pressure of Ar is 1-10 milliTorr so that the CoFe layer has high coercive force. The NiFe layer is formed as the second ferromagnetic layer by a thickness of 20-100 angstrom in a condition that sputtering power is 30-100 watt and the partial pressure of Ar is 1-15 milliTorr so that the NiFe layer has low coercive force.

Abstract translation: 目的：提供通过使用矫顽力差来制造磁阻自旋阀的磁阻薄膜的方法，以形成在低磁场中表现出高磁阻和高磁敏感的自旋阀结构，通过控制旋转 CoFe层和NiFe层，同时使用矫顽力。 构成：在溅射功率为20-100瓦且Ar的分压为1-10毫托的条件下，CoFe层形成为第一铁磁层的厚度为20-100埃，使得CoFe层具有高的矫顽力 力。 在溅射功率为30-100瓦，Ar分压为1-15毫乇的条件下，NiFe层形成为第二铁磁层，厚度为20-100埃，NiFe层的矫顽力低。

公开(公告)号：KR100279054B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019980005950

申请日：1998-02-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  손창식 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기

IPC: H01L29/15

Abstract: 종래 기술을 이용하여 양자세선을 제작하면 양자세선의 모양이 초승달 모양으로 되어 수평방향의 광구속 효율이 떨어지고, 다층의 양자세선 제작시에 위쪽으로 올라갈수록 크기가 달라지는 단점을 가진다.
본 발명에서는 Ga(갈륨) 원자가 Al(알루미늄) 원자보다 확산이 잘 되는 특징을 이용하여, V 또는 U 자형 홈이 파진 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착법(MOCVD) 방법으로 Al
x Ga
lx As/Al
y Ga
ly As (x > y) 다층에피층 성장시킴으로써 양자세선의 두께(thickness) 및 폭(width)을 정확하게 조절 할 수 있을 뿐 아니라 x 또는 y 값을 변화시켜서 다양한 폭 및 에너지 갭을 가지는 양자세선을 제작할 수 있다. 또한, 본 발명을 이용하면 사각형 모양의 양자세선을 얻을 수 있고, 따라서 수평방향의 광구속 효율이 증가하는 등 우수한 특성을 가진 양자세선의 제작이 가능하다.

公开(公告)号：KR100270607B1

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：KR1019970057886

申请日：1997-11-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  박용주 ,  민석기

IPC: H05H13/00

Abstract: PURPOSE: A reactive ion and reactive radical species generation ratio control method in an electron cyclotron resonance plasma(ECR) is provided to improve growth of oxide or nitride in the semiconductor process by using pulse-type gas introducing plasma. CONSTITUTION: In a gas pulse ECR plasma, the reactive ion and reactive radical species generation ratio is controlled using a transient plasma variable that changes with time. The transient time is divided into a few time regions to selectively control the reactive ion and reactive radical species generation ratio. The duty cycle of the pulse is changed to alter the plasma variable in order to select a duty cycle that can selectively control the reactive ion and reactive radical species generation ratio.

Abstract translation: 目的：提供电子回旋共振等离子体（ECR）中的反应离子和反应性自由基产生比例控制方法，以通过使用脉冲式气体引入等离子体来改善半导体工艺中氧化物或氮化物的生长。 构成：在气体脉冲ECR等离子体中，使用随时间变化的瞬时等离子体变量控制反应离子和反应性自由基物质产生比。 瞬时时间分为几个时间区域，以选择性地控制反应离子和反应自由基物质的产生比例。 改变脉冲的占空比来改变等离子体变量，以便选择可以选择性地控制反应离子和反应性自由基产生比的占空比。

公开(公告)号：KR1020000050897A

公开(公告)日：2000-08-05

申请号：KR1019990001045

申请日：1999-01-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김춘근 ,  박용주 ,  김은규

IPC: H01L21/66

Abstract: PURPOSE: An apparatus for controlling temperature of facilities for measuring excessive volume of semiconductor is provided to obtain various information regarding deep level defects existing inside nitrogen compounds, i.e., GaN, so that a wide range of temperature modification is possible. CONSTITUTION: An apparatus for controlling temperature of facilities for measuring excessive volume of semiconductor comprises: an external case; a sample-upholding barrel; a band heater; internal/external cylinders; a thermal band established in contact with the top surface of the sample-upholding barrel; and a cover. In the external case, the top is open, has a space of a constant volume inside, and has a vacuum effusing hole at a side of the bottom. The sample-upholding barrel is installed inside the external case for upholding a sample. The band heater closely established outside the sample-upholding barrel heats the sample-upholding barrel. The internal/external cylinders installed in the lower part of the sample-upholding barrel, has cooling gas flow in/out. The cover is installed at a upper side of the external case.

Abstract translation: 目的：提供一种用于控制用于测量过量体积的半导体的设备的温度的装置，以获得关于氮化合物即GaN中存在的深层缺陷的各种信息，使得可以进行宽范围的温度修改。 构成：用于控制用于测量半导体体积过大的设备的温度的装置包括：外壳; 样品支架; 带式加热器 内部/外部气缸; 建立与样品保持筒的顶表面接触的热带; 和封面。 在外部情况下，顶部打开，内部具有恒定体积的空间，并且在底部的侧面具有真空排出孔。 样品保持筒安装在外壳内，用于维持样品。 在样品保持筒外部紧密建立的带式加热器加热样品保持筒。 安装在样品保持筒下部的内部/外部气瓶具有冷却气体流入/流出。 盖子安装在外壳的上侧。