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公开(公告)号：KR101084735B1
公开(公告)日：2011-11-22
申请号：KR1020090050059
申请日：2009-06-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/36 , C04B35/565
Abstract: 본 발명은 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 설명을 하면, 입도 분산도를 탄소전구체와 규소전구체의 몰비율로 조절하고, 평균입도 크기를 산으로 조절하여 탄화규소 분말을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기존 탄화규소 분말의 제조방법과는 달리, 톨루엔설폰산을 사용하지 않기 때문에 유해 성분인 황의 발생이 없으며, 고온 열처리를 2회 이상 되풀이하지 않는 바, 경제성이 우수하다.
탄화규소, 탄소전구체, 규소전구체, 열처리-
公开(公告)号：KR1020100131257A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：KR1020090050059
申请日：2009-06-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/36 , C04B35/565
CPC classification number: C01B32/956 , C01P2004/61 , C04B35/565
Abstract: PURPOSE: A producing method of silicon carbide powder, heat processing a solution containing a silicon precursor, a carbon precursor, and water is provided to reduce the producing cost by controlling the particle size of the silicon carbide powder. CONSTITUTION: A producing method of silicon carbide powder comprises the following steps: gelling a solution containing a silicon precursor, a carbon precursor, an acidic catalyst, C1~C5 alcohol, and water; drying the outcome; carbonizing the outcome; and heat-processing the outcome in 1,800~1,900deg C.
Abstract translation: 目的：提供碳化硅粉末的制造方法，热处理包含硅前体，碳前体和水的溶液，以通过控制碳化硅粉末的粒径来降低生产成本。 构成：碳化硅粉末的制造方法包括以下步骤：使含有硅前体，碳前体，酸性催化剂，C1〜C5醇和水的溶液凝胶化; 干燥结果; 碳化结果; 并在1800〜1900度热处理结果。
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公开(公告)号：KR101152628B1
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：KR1020090034685
申请日：2009-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/36 , C04B35/573 , C04B35/565
Abstract: 본발명이제조하는반응소결탄화규소는고순도및 고강도특성을동시에갖고있으므로차세대반도체고온공정용반응소결탄화규소(RBSC) 치구류, 고온진공장치용부품및 반도체공정용히터소재등으로다양하게적용된다.
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Patent Agency Ranking4.发明授权졸-젤 공정으로 제조된 탄화규소/카본/실리카 복합분말과, 이 복합분말을 사용한 고순도 및 고강도의 반응소결 탄화규소의 제조방법 有权采用溶胶 - 凝胶法制备的SiC / C / SiO2复合粉末及其纯度高，强度高的反应结合碳化硅制造方法
公开(公告)号：KR101116755B1
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020090047381
申请日：2009-05-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/565 , C01B31/36 , C04B35/14 , C04B35/56
Abstract: 본 발명은 졸-젤 공정으로 제조된 탄화규소/카본/실리카 복합분말과, 이 복합분말을 사용한 고순도 및 고강도의 반응소결 탄화규소의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명이 제조하는 반응소결 탄화규소는 고순도 및 고강도 특성을 동시에 갖고 있으므로 차세대 반도체 고온 공정용 반응소결 탄화규소(RBSC) 치구류, 고온 진공장치용 부품 및 반도체 공정용 히터 소재 등으로 다양하게 적용된다.
복합분말, 반응소결, 탄화규소, 고순도, 고강도-
公开(公告)号：KR1020100115992A
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020090034685
申请日：2009-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/36 , C04B35/573 , C04B35/565
CPC classification number: C01B32/956 , C01B32/05 , C01P2006/10 , C01P2006/80 , C01P2006/90 , C04B35/573
Abstract: PURPOSE: Silicon carbide/carbon composite powder and high purity and high strength reaction bonded silicon carbide using the same are provided to be used in a reaction bonded silicon carbide jig for a next generation semiconductor high temperature process, components for a high temperature vacuum device, and heater components for a semiconductor process. CONSTITUTION: A method for manufacturing silicon carbide/carbon composite powder comprises the following steps. Silicon and carbon are mixed by alcohol solvent so that a mole ratio of one carbon element is 1.6~4.5 based on one mole of silicon element. A hydrolysis catalyst of 0.05~0.14 mole ratio based on one silicon mole is added to the mixture. The mixture is made gel or solid.
Abstract translation: 目的：将碳化硅/碳复合粉末和高纯度高强度反应接合的碳化硅用于下一代半导体高温工艺的反应接合碳化硅夹具，用于高温真空装置的部件， 和用于半导体工艺的加热器部件。 构成：制造碳化硅/碳复合粉末的方法包括以下步骤。 硅和碳通过醇溶剂混合，使得一个碳元素的摩尔比基于1摩尔的硅元素为1.6〜4.5。 将基于一个硅摩尔的0.05〜0.14摩尔比的水解催化剂加入到混合物中。 混合物制成凝胶或固体。
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公开(公告)号：KR101084711B1
公开(公告)日：2011-11-22
申请号：KR1020090034686
申请日：2009-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/36 , C04B35/565
Abstract: 본 발명은 액상의 규소 화합물과 탄소 화합물을 혼합, 교반하여 젤(gel)화시키고, 생성된 젤을 분말 형태로 만들어 젤 분말을 얻은 후, 규소 분말 또는 덩어리(ingot)를 첨가하여 열처리하는 고순도 탄화규소 분말의 저온 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말 제조 공정에 의하여 제조된 1 ㎛ 이하 크기의 탄화규소 분말은 반도체 고온 공정용 치구로 사용할 수 있는 고순도 소결 탄화규소(sintered SiC) 치구 및 반응소결 탄화규소(reaction bonded SiC) 제조용 원료 분말 등으로 사용될 수 있으리라 기대된다.
탄화규소, 미세 분말, 저온제조, 고순도-
7.发明公开졸-젤 공정으로 제조된 탄화규소/카본/실리카 복합분말과, 이 복합분말을 사용한 고순도 및 고강도의 반응소결 탄화규소의 제조방법 有权SIC / C / SIO2由SOL-GEL工艺制成的复合粉末，以及使用它们的高纯度和高强度的反应结合的碳化硅的制造方法
公开(公告)号：KR1020100128777A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090047381
申请日：2009-05-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/565 , C01B31/36 , C04B35/14 , C04B35/56
CPC classification number: C01B32/956 , C01B32/05 , C01B33/18 , C04B35/573 , C04B2235/3418 , C04B2235/3826 , C04B2235/422
Abstract: PURPOSE: An SiC/C/SiO2 composite powder is provided to lower fabrication costs of reaction bonded silicon carbide with high purity and high strength. CONSTITUTION: An SiC/C/SiO2 composite powder comprises a beta phase silicon carbide(β-SiC/C) powder, a carbon powder produced by pyrolysis of carbon source, and silica powder left in a unreacted state after the reaction of liquid silicon and carbon source.
Abstract translation: 目的：提供SiC / C / SiO2复合粉末，以降低高纯度和高强度的反应结合碳化硅的制造成本。 构成：SiC / C / SiO 2复合粉末包括β相碳化硅（β-SiC / C）粉末，通过碳源热分解产生的碳粉末，以及在液态硅和 碳源。
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公开(公告)号：KR1020100115993A
公开(公告)日：2010-10-29
申请号：KR1020090034686
申请日：2009-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/36 , C04B35/565
CPC classification number: C01B32/956 , C01P2004/64 , C04B35/565
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing β phase silicon carbide micro powder with high purity at low temperature is provided to use silicon carbide powder under 1 micrometer in a jig for a high temperature process for a semiconductor. CONSTITUTION: A method for manufacturing β phase silicon carbide micro powder with high purity at low temperature comprises the following steps. Silicon compound liquid and carbon compound are mixed to make a mole ratio be in the range of 2.0 to 5.0. And a water solution is added to the mixture. The mixture is stirred to be gel or powder. Silicon carbon precursor micro powder is obtained by heating gel powder. Silicon powder or silicon ingot is added to the silicon carbon precursor micro powder. The silicon carbon precursor micro powder is heated at 1250~1600°C to obtain silicon carbon micro powder.
Abstract translation: 目的：提供在低温下制备高纯度的β相碳化硅微粉的方法，在用于半导体的高温工艺的夹具中使用1微米的碳化硅粉末。 构成：在低温下制备高纯度的β相碳化硅微粉的方法包括以下步骤。 混合硅化合物液体和碳化合物使摩尔比在2.0至5.0的范围内。 并向混合物中加入水溶液。 将混合物搅拌成凝胶或粉末。 通过加热凝胶粉末获得硅碳前体微粉末。 将硅粉或硅锭加入硅碳前体微粉中。 硅碳前驱体微粉末在1250〜1600℃下加热得到硅碳微粉末。
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