公开(公告)号：KR1020110121907A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：KR1020100041416

申请日：2010-05-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임경란 ,  김창삼 ,  윤동훈

IPC: C01G19/00 ,  C01G15/00 ,  C09D7/12 ,  H01B1/08

CPC classification number: B01J13/0047 ,  C01G1/02 ,  C01G15/00 ,  C01G19/02 ,  C09D1/00 ,  C09D5/02

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing mixed indium tin oxide(ITO) sol and an ITO film is provided to manufacture the ITO film at a sintering temperature lower than or equal to 550 degrees Celsius and to effectively coat the ITO film on power. CONSTITUTION: A method for manufacturing mixed ITO sol includes the following: First ITO sol is manufactured by dispersing an indium compound and a tin chloride compound into the mixed solvent of propinoic acid and butanol and implementing a heating operation. The indium compound and the tin chloride compound are dispersed into the mixed solvent of dimethyl formamide and butanol, and nitric acid is added into the dispersed solution. Heating and rapid cooling operations are implemented to obtain second ITO sol. The first ITO sol is added into the second ITO sol, and a stirring operation is implemented to obtain mixed ITO sol. A method for manufacturing a mixed ITO film includes the following: The mixed ITO sol is coated on a substrate or powder. A thermal treating process is implemented.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造混合氧化铟锡（ITO）溶胶和ITO膜的方法，以在低于或等于550摄氏度的烧结温度下制造ITO膜并且有效地涂覆ITO膜。 构成：混合ITO溶胶的制造方法包括：通过将铟化合物和氯化锡化合物分散到丙酸和丁醇的混合溶剂中并实施加热操作来制造第一ITO溶胶。 将铟化合物和氯化锡化合物分散在二甲基甲酰胺和丁醇的混合溶剂中，并将硝酸加入到分散的溶液中。 实施加热和快速冷却操作以获得第二ITO溶胶。 将第一ITO溶胶添加到第二ITO溶胶中，并进行搅拌操作以获得混合的ITO溶胶。 混合ITO膜的制造方法包括：将混合的ITO溶胶涂布在基材或粉末上。 实施热处理工艺。

公开(公告)号：KR101008237B1

公开(公告)日：2011-01-17

申请号：KR1020080077565

申请日：2008-08-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임경란 ,  윤동훈 ,  김창삼 ,  박상환

IPC: C03C17/06 ,  C03C17/00 ,  C09D5/24

Abstract: 유리 기판의 변형을 일으키지 않고 유리 기판과 투명 도전막의 접착력을 향상시킬 수 있는 투명 도전막 형성 방법이 개시된다. 제2 투명 도전체 졸 보다 상대적으로 낮은 온도에서 결정화가 이루어지나 접착력이 약한 제1 투명 도전체 졸을 투명 기판 상에 코팅한다. 제1 투명 도전체 졸이 코팅된 투명 기판을 열처리하여 유기물을 제거하고 1차 투명 도전막을 형성한다. 제1 투명 도전체 졸 보다 접착력이 세고 상대적으로 높은 온도에서 결정화가 이루어지는 제2 투명 도전체 졸을 1차 투명 도전막 내에 스며들게 하여 제1 투명 도전막과 제2 투명 도전체의 혼합층을 형성한다. 1차 투명 도전막과 제2 투명 도전체를 열처리하여 다결정의 투명 도전막을 형성한다.
투명 도전막, ITO 졸, 결정화, 온도, 접착력

公开(公告)号：KR101141536B1

公开(公告)日：2012-05-04

申请号：KR1020100041416

申请日：2010-05-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임경란 ,  김창삼 ,  윤동훈

IPC: C01G19/00 ,  C01G15/00 ,  C09D7/12 ,  H01B1/08

Abstract: 본 발명은 혼합 인듐주석 산화물 졸의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 (a) 프로피온산과 부탄올 혼합용매에 인듐 화합물 및 염화주석 화합물을 분산시키고 가열하여 제1 인듐주석 산화물 졸을 제조하는 단계, (b) 디메틸포름아미드와 부탄올 혼합용매에 인듐 화합물 및 염화주석 화합물을 분산시키고 질산을 첨가한 후, 가열 및 급속 냉각하여 제2 인듐주석 산화물 졸을 제조하는 단계 및 (c) 상기 제2 인듐주석 산화물 졸에 상기 제1 인듐주석 산화물 졸을 첨가하면서 교반하여 혼합 인듐주석 산화물 졸을 생성시키는 단계를 포함하는 혼합 인듐주석 산화물 졸의 제조방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 결정성 인듐주석 산화물 막의 제조방법으로서 본 발명의 혼합 인듐주석 산화물 졸의 제조방법에 의하여 제조된 혼합 인듐주석 산화물 졸을 기판 또는 분말에 코팅하고 열처리하는 단계를 포함하는 결정성 인듐주석 산화물 막의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020100131257A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：KR1020090050059

申请日：2009-06-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임경란 ,  박상환 ,  김창삼 ,  윤동훈 ,  김규미

IPC: C01B31/36 ,  C04B35/565

CPC classification number: C01B32/956 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/565

Abstract: PURPOSE: A producing method of silicon carbide powder, heat processing a solution containing a silicon precursor, a carbon precursor, and water is provided to reduce the producing cost by controlling the particle size of the silicon carbide powder. CONSTITUTION: A producing method of silicon carbide powder comprises the following steps: gelling a solution containing a silicon precursor, a carbon precursor, an acidic catalyst, C1~C5 alcohol, and water; drying the outcome; carbonizing the outcome; and heat-processing the outcome in 1,800~1,900deg C.

Abstract translation: 目的：提供碳化硅粉末的制造方法，热处理包含硅前体，碳前体和水的溶液，以通过控制碳化硅粉末的粒径来降低生产成本。 构成：碳化硅粉末的制造方法包括以下步骤：使含有硅前体，碳前体，酸性催化剂，C1〜C5醇和水的溶液凝胶化; 干燥结果; 碳化结果; 并在1800〜1900度热处理结果。

公开(公告)号：KR101084735B1

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：KR1020090050059

申请日：2009-06-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임경란 ,  박상환 ,  김창삼 ,  윤동훈 ,  김규미

IPC: C01B31/36 ,  C04B35/565

Abstract: 본 발명은 탄화규소 분말의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 설명을 하면, 입도 분산도를 탄소전구체와 규소전구체의 몰비율로 조절하고, 평균입도 크기를 산으로 조절하여 탄화규소 분말을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기존 탄화규소 분말의 제조방법과는 달리, 톨루엔설폰산을 사용하지 않기 때문에 유해 성분인 황의 발생이 없으며, 고온 열처리를 2회 이상 되풀이하지 않는 바, 경제성이 우수하다.
탄화규소, 탄소전구체, 규소전구체, 열처리

公开(公告)号：KR1020100018862A

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：KR1020080077565

申请日：2008-08-07

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임경란 ,  윤동훈 ,  김창삼 ,  박상환

IPC: C03C17/06 ,  C03C17/00 ,  C09D5/24

CPC classification number: C03C17/3655 ,  C03C17/25 ,  C03C23/007 ,  C03C2217/948 ,  C03C2218/113 ,  H01L2251/308

Abstract: PURPOSE: A method for forming a transparent conducting film is provided to obtain a transparent conducting film with excellent adhesion, visible light transmittance and surface uniformity by successively coating two kinds of ITO sol. CONSTITUTION: A method for forming a transparent conducting film comprises the steps of: (i) coating a transparent substrate with a first conducting sol that has weak adhesive power even though crystals are formed at a relatively low temperature; (ii) forming a first transparent conducting film by heat-treating the transparent substrate coated with the first conducting sol; (iii) forming a mixed layer of the first transparent conducting film and a second transparent conductor by soaking a second transparent conducting sol into the first transparent conducting film, wherein the second transparent conducting sol has stronger adhesive power than the first transparent conducting sol and is crystallized at a relatively high temperature; and (iv) forming a polycrystalline transparent conducting film by heat-treating the first transparent conducting film and the second transparent conductor.

Abstract translation: 目的：提供一种形成透明导电膜的方法，通过连续涂布两种ITO溶胶，获得具有优异粘合性，可见光透射率和表面均匀性的透明导电膜。 构成：形成透明导电膜的方法包括以下步骤：（i）即使在相对较低的温度下形成晶体，也可以用具有弱粘合力的第一导电溶胶涂覆透明基板; （ii）通过对涂覆有第一导电溶胶的透明基板进行热处理形成第一透明导电膜; （iii）通过将第二透明导电溶胶浸入第一透明导电膜中形成第一透明导电膜和第二透明导体的混合层，其中第二透明导电溶胶具有比第一透明导电溶胶更强的粘合力，并且是 在较高的温度下结晶; 和（iv）通过热处理第一透明导电膜和第二透明导体形成多晶透明导电膜。