公开(公告)号：KR100373185B1

公开(公告)日：2003-02-25

申请号：KR1020000071288

申请日：2000-11-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 안효석 ,  김충현 ,  김두인

IPC: C25F1/00

CPC classification number: G01Q70/16 ,  B23H3/02 ,  C25F3/14

Abstract: 본 발명은 원자현미경 등에 사용되는 팁을 제조하는 와이어의 에칭장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 와이어 에칭전압을 결정하는 전압신호를 생성 출력하고, 상기 전압신호에 따라 발생된 일정한 크기의 에칭전압을 인가시켜 상기 와이어를 1차로 에칭한 다음, 와이어가 1차로 에칭되는 동안 발생되는 에칭전류를 측정하고, 측정된 상기 에칭전류의 크기에 따라 상기 전압신호를 변경시켜 상기 에칭전압을 조절하여 상기 와이어를 2차로 에칭하기 때문에 곡률반경과 종횡비를 제어하여 팁을 제조할 수 있고, 팁의 제조 시 팁의 표면에 생성되는 산화물을 저감시킬 수 있으므로, 원자력현미경과 주사터널링현미경의 스캐닝 목적과 측정 시편의 특징에 따라 팁을 정밀하게 제조할 수 있는 효과를 제공한다.

Abstract translation: 用于蚀刻导线以将其制造成用于扫描探针显微镜等的尖端的装置和方法。 线蚀刻装置产生用于确定线蚀刻电压的电平的电压信号，并且将根据所产生的电压信号确定的电平的蚀刻电压施加到线以初步蚀刻它。 线蚀刻装置测量初次蚀刻过程期间产生的蚀刻电流的量，并根据测量的蚀刻电流量控制电压信号的电平，从而控制蚀刻电压的电平。 然后，该装置用电平控制的电压信号二次蚀刻导线。 因此，线蚀刻装置能够在控制其曲率半径和纵横比并减少其表面上的氧化物量的同时制造尖端。 这具有根据原子力显微镜或扫描隧道显微镜的扫描目的和要测量的样品的特征精确地制造尖端的效果。

公开(公告)号：KR1020020041619A

公开(公告)日：2002-06-03

申请号：KR1020000071288

申请日：2000-11-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 안효석 ,  김충현 ,  김두인

IPC: C25F1/00

CPC classification number: G01Q70/16 ,  B23H3/02 ,  C25F3/14

Abstract: PURPOSE: An apparatus for etching a wire and a method for etching the same are provided which controls a radius of curvature and an aspect ratio and reduces oxides on the surface of the wire with one time of etching process in etching the wire. CONSTITUTION: The apparatus for etching a wire comprises a signal generation part(10) producing voltage signals; a voltage generation part(20) generating an etching voltage according to the voltage signals of the signal generation part; an etching part(30) etching the wire by receiving the etching voltage of the voltage generation part; a current measurement part(40) measuring an etching current generated from the etching part; and a control part(50) changing the etching voltage by changing the voltage signals of the signal generation part(10) according to a magnitude of the etching current measured from the current measurement part(40). The method for etching the wire comprises a first step of producing and outputting voltage signals determining a wire etching voltage; a second step of first etching the wire by impressing the etching voltage having a certain magnitude generated according to the voltage signals to the wire; a third step of measuring an etching current generated while the wire is being first etched in the second step; a fourth step of changing the etching voltage by changing the voltage signals according to a magnitude of the etching current measured in the third step; a fifth step of second etching the wire by impressing the etching voltage changed in the fourth step to the wire; and a sixth step of finishing etching when the etching current measured in the fifth step is changed the same as or more than a certain current variation.

Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻线材的设备及其蚀刻方法，其控制曲率半径和纵横比，并且在蚀刻线材时用一次蚀刻工艺减少线材表面上的氧化物。 构成：用于蚀刻线的设备包括产生电压信号的信号产生部分（10） 电压产生部（20），根据所述信号生成部的电压信号产生蚀刻电压; 蚀刻部件（30），通过接收所述电压产生部件的蚀刻电压来蚀刻所述导线; 电流测量部分，测量从蚀刻部分产生的蚀刻电流; 和通过根据从电流测量部分（40）测量的蚀刻电流的大小改变信号产生部分（10）的电压信号来改变蚀刻电压的控制部分（50）。 蚀刻线的方法包括：产生和输出确定线蚀刻电压的电压信号的第一步骤; 第二步骤，通过将具有根据电压信号产生的一定量值的蚀刻电压施加到导线上来第一次蚀刻线; 第三步骤，在第二步骤中测量在第一次蚀刻线材时产生的蚀刻电流; 通过根据在第三步骤中测量的蚀刻电流的大小改变电压信号来改变蚀刻电压的第四步骤; 第五步骤，通过将在第四步骤中改变的蚀刻电压施加到导线上来第二次蚀刻线; 以及当在第五步骤中测量的蚀刻电流改变等于或大于某一电流变化时，完成蚀刻的第六步骤。