公开(公告)号：KR100234000B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019960038203

申请日：1996-09-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 오영제 ,  김승현 ,  정형진

IPC: H01L41/02 ,  H01L27/108 ,  H01L27/04

Abstract: 본 발명은 피제트티(PZT) 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 졸-겔 스핀 코팅법으로 백금전극과 PZT 박막 사이에 박막과 같은 페로브스카이트 구조를 갖는 티탄산납(PbTiO
3 )의 촉진층을 삽입하고 백금전극과 반도체기판 사이에 확산 장벽용 알루미나(Al
2 O
3 ) 완충층을 삽입함으로서, 저온에서의 페로브스카이트 상형성을 용이하게 하며 고온에서의 물성저하 없이 우수한 유전 및 강유전 특성을 발현하는 비휘발성 메모리용 PZT 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 PZT 박막은 현재 메모리 반도체 산업에서 가장 커다란 문제점으로 대두되는 저온에서의 페로브스카이트 단일상의 형성과 확산방지 및 피로현산을 개선시킬 수 있기 때문에 장치의 의존성이 적은 졸-겔법이 갖는 경제적인 면 등의 장점을 살릴 수 있음과 동시에 특성형상을 위해 값비싼 단결정 기판 등으로 대체하지 않고 실제 반도체 소자 제조공정에서 사용되는 반도체기판을 아무 문제없이 직접 적용할 수 있으므로 그 응용성을 확대할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980019932A

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：KR1019960038203

申请日：1996-09-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 오영제 ,  김승현 ,  정형진

IPC: H01L41/02 ,  H01L27/108 ,  H01L27/04

Abstract: 본 발명은 피제트티(PZT) 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 졸-겔 스핀 코팅방법으로 백금전극과 PZT 박막 사이에 박막과 같은 페로브스카이트 구조를 갖는 티탄산납(PbTiO
3 )의 촉진층을 삽입하고 백금전극과 반도체기판 사이에 확산 장벽용 알루미나(Al
2 O
3 ) 완충층을 삽입함으로서, 저온에서의 페로브스카이트 상형성을 용이하게 하며 고온에서의 물성저하 없이 우수한 유전 및 강유전 특성을 발현하는 비휘발성 메모리용 PZT 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 PZT 박막은 현재 메모리 반도체 산업에서 가장 커다란 문제점으로 대두되는 저온에서의 페로브스카이트 단일상의 형성과 확산방지 및 막의 피로현상을 개선시킬 수 있기 때문에 장치의 의존성이 적은 졸-겔법이 갖는 경제적인 면 등의 장점을 살릴 수 있음과 동시에 특성향상을 위해 값비싼 단결정 기판 등으로 대체하지 않고 실제 반도체 소자 제조공정에서 사용되는 반도체기판을 아무 문제없이 직접 적용할 수 있으므로 그 응용성을 확대할 수 있다.