公开(公告)号：KR100185498B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019960017439

申请日：1996-05-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김은규 ,  김태근

IPC: H01L31/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/341 ,  H01S5/4043

Abstract: 본 발명은 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법에 관한 것으로, 레이저 홀로그래피법과 습식식각에 의해 단주기 V홈 어레이가 형성된 갈륨비소 기판위에 유기금속화학증착법으로 AlGaAs/GaAs의 양자세선 어레이 구조를 형성하고 불필요한 양자우물층을 제거하며 레이저 발진시 전류를 양자세선으로만 흐르게 하기 위한 전류방지층을 미세패턴된 구조위에 감광막을 이용한 리소그래피 기술을 이용하여 형성함으로써, 낮은 문턱전류와 고출력을 갖는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980030477A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960049916

申请日：1996-10-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김은규 ,  김태근

IPC: H01S3/0941

Abstract: 본 발명은 양자세선 레이저 다이오드 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 레이저 다이오드들은 활성층으로의 전류주입을 증가시키기 위하여 레이저 구조 성장후 비활성층 부분에 대한 이온주입 또는 절연층의 증착과 같은 후속공정을 필요로 하였는데, 이러한 후속공정은 레이저 다이오드의 제작을 복잡하게 할 뿐만 아니라 활성층 내의 광구속(Optical confinement)계수의 감소로 인하여 레이저 다이오드의 특성을 저하시키는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 성장기판의 전도형과 반대 전도형의 에피층을 성장시키고 광리소그래피와 습식식각에 의해 기판 부분까지 V홈 패턴을 형성하여 전류차단층을 형성한 다음 V홈 패턴 위에 AlGaAs/GaAs의 양자세선 구조를 성장시키고 p와 n전극을 형성함으로써, 별도의 후속 공정없이 레이저 구조의 활성층으로만 전류의 유입이 가능하게 하여 낮은 문턱전류를 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970077753A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960017439

申请日：1996-05-22

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김은규 ,  김태근

IPC: H01L31/00

Abstract: 본 발명은 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드 구조 제작방법에 관한 것으로, 레이저 홀로그래피법과 습식식각에 의해 단주기 V홈 어레이가 형성된 갈륨비소 기판위에 유기금속화학증착법으로 AlGaAs/GaAs의 양자세선 어레이 구조를 형서성하고 불필요한 양자우물층을 제거하며 레이저발진시 전류를 양자세선으로만 흐르게 하기 위한 전류방지층을 미세패턴된 구조 위에 감광막을 이용한 리소그래피 기술을 이용하여 형성함으로써, 낮은 문턱전류와 고출력을 갖는 고출력 양자세선 어레이 레이저 다이오드를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100234001B1

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：KR1019960049916

申请日：1996-10-30

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김은규 ,  김태근

IPC: H01S3/0941

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/341 ,  H01S5/4043

Abstract: 본 발명은 양자세선 레이저 다이오드 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 레이저 다이오드들은 활성층으로서의 전류주입을 증가시키기 위하여 레이저 구조 성장 후 비활성층 부분에 대한 이온주입 또는 절연층의 증착과 같은 후속공정을 필요로 하였는데, 이러한 후속공정은 레이저 다이오드의 제작을 복잡하게 할 뿐만 아니라 활성층 내의 광구속(Optical confinement) 계수의 감소로 인하여 레이저 다이오드의 특성을 저하시키는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 성장기판의 전도형과 반대 전도형의 에피층을 성장시키고 광리소그래피와 습식식각에 의해 기판 부분까지 V홈 패턴을 형성하여 전류차단층을 형성한 다음 V홈 패턴 위해 AlGaAs/GaAs의 양자세선 구조를 성장시키고 p와 n전극을 형성함으로써, 별도의 후속 공정없이 레이저 구조의 활성층으로만 전류의 유입이 가능하게 하여 낮은 문턱전류를 얻을 수 있는 효과가 있다.