저저항 탄화규소 소결체, 이의 조성물 및 이의 제조방법
    1.
    发明授权
    저저항 탄화규소 소결체, 이의 조성물 및 이의 제조방법 失效
    低电阻率碳化硅陶瓷,其组合物及其制造方法

    公开(公告)号:KR101040761B1

    公开(公告)日:2011-06-10

    申请号:KR1020090046823

    申请日:2009-05-28

    Abstract: 본 발명은 저저항 탄화규소 소결체, 이의 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 폴리실록센(polysiolxane), 탄소전구체, β-탄화규소(β-SiC) 분말, 질화알루미늄(AlN) 및 희토류금속산화물을 포함하는 저저항 반응가압소결 탄화규소 소재 조성물에 관한 것이다. 또한, 상기 조성물을 반응가압소결방법으로 제조한 탄화규소 소결체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명의 탄화규소 소결체는 반응가압소결방법으로 제조되었음에도 불구하고 잔류 실리콘이 존재하지 않고, 고온 및 진공 분위기에서 안정하며, 전기전도성이 높아서 방전가공이 용이한 바, 복잡한 형상의 구조재료, 반도체 공정용 더미 웨이퍼, 반도체 공정용 히터 소재, 반도체 공정용 히터 플레이트 소재, 반도체 공정장비용 부품, 진공장비용 부품, 플라즈마 식각 챔버 내에서 높은 온도 안정성과 전기전도성을 요구하는 부품인 플라즈마스크린(plasma screen), 초점링(focus ring), 엣지링(edge ring) 등의 소재로 사용하기에 유용하다.
    탄화규소, 반응소결, 체적비저항, 잔류실리콘

    탄화규소 소결체 제조용 세라믹 조성물, 소결체 및 그제조방법
    2.
    发明授权
    탄화규소 소결체 제조용 세라믹 조성물, 소결체 및 그제조방법 有权
    烧结碳化硅体,烧结体及其制备方法的陶瓷组合物

    公开(公告)号:KR100917038B1

    公开(公告)日:2009-09-10

    申请号:KR1020080035753

    申请日:2008-04-17

    Abstract: A ceramic composition for sintered silicon carbide body and a manufacturing method thereof are provided to prevent the deterioration of conductivity while employing high content of sintering additive added to increase the density of the sintered body. A ceramic composition for sintered silicon carbide body is composed of 78-98.9wt% of beta -SiC submicron powder with average particle size of 0.1 mum ~ 1.0 mum, 1-20wt% of beta -SiC nanopowder with average particle size of 10 nm ~ 100 nm and 0.1-2wt% of sintering additive containing one or more metal oxides selected from the group consisting of aluminum nitride, CeO2, Nd2O3, Sm2O3, Eu2O3, Gd2O3, Dy2O3, Ho2O3, Er2O3, Yb2O3, Lu2O3, Sc2O3, Y2O3 and La2O3. The sintering additive contains 0.05-1wt% of aluminum nitride and 0.05-1wt% of metal oxide on a total weight basis of the ceramic composition.

    Abstract translation: 提供一种用于烧结碳化硅体的陶瓷组合物及其制造方法,以防止导电性的劣化,同时加入高含量的烧结助剂以增加烧结体的密度。 用于烧结碳化硅体的陶瓷组合物由平均粒径为0.1μm〜1.0μm的78-98.9wt%的β-SiC亚微米粉末,平均粒径为10nm〜 100nm和0.1-2wt%的含有一种或多种选自氮化铝,CeO 2,Nd 2 O 3,Sm 2 O 3,Eu 2 O 3,Gd 2 O 3,Dy 2 O 3,Ho 2 O 3,Er 2 O 3,Yb 2 O 3,Lu 2 O 3,Sc 2 O 3,Y 2 O 3和La 2 O 3的金属氧化物的烧结添加剂 。 烧结添加剂在陶瓷组合物的总重量的基础上含有0.05-1重量%的氮化铝和0.05-1重量%的金属氧化物。

    저저항 탄화규소 소결체, 이의 조성물 및 이의 제조방법
    3.
    发明公开
    저저항 탄화규소 소결체, 이의 조성물 및 이의 제조방법 失效
    低电阻率碳化硅陶瓷,其组合物及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100128437A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:KR1020090046823

    申请日:2009-05-28

    Abstract: PURPOSE: A resistivity silicon carbide sintered body is provided to reduce volume resistivity of a silicon carbide ceramic material and to reduce the content of a sintering aid, using polysiolxane, carbon precursor, and β-silicon carbide powder. CONSTITUTION: A resistivity silicon carbide sintered body composition comprises 5.5-65 weight% polysiloxane, 3.5-40 weight% at least one kind of carbon precursor selected from phenol resin and xylene resin, 0.1-90 weight% -silicon carbide powder, 0.01-0.3 weight% aluminum-nitride, and 0.01-0.5 weight% rare earth metal oxide.

    Abstract translation: 目的:提供一种电阻率碳化硅烧结体,以减少碳化硅陶瓷材料的体积电阻率,并使用聚硅氧烷,碳前体和β-碳化硅粉末降低烧结助剂的含量。 构成:电阻率碳化硅烧结体组合物包含5.5-65重量%的聚硅氧烷,3.5-40重量%的至少一种选自酚醛树脂和二甲苯树脂的碳前体,0.1-90重量%的碳化硅粉末,0.01-0.3 重量百分比的氮化铝和0.01-0.5重量%的稀土金属氧化物。

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