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公开(公告)号：KR101040761B1
公开(公告)日：2011-06-10
申请号：KR1020090046823
申请日：2009-05-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/565 , C04B35/632 , C04B35/571 , C04B35/581
Abstract: 본 발명은 저저항 탄화규소 소결체, 이의 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 폴리실록센(polysiolxane), 탄소전구체, β-탄화규소(β-SiC) 분말, 질화알루미늄(AlN) 및 희토류금속산화물을 포함하는 저저항 반응가압소결 탄화규소 소재 조성물에 관한 것이다. 또한, 상기 조성물을 반응가압소결방법으로 제조한 탄화규소 소결체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 탄화규소 소결체는 반응가압소결방법으로 제조되었음에도 불구하고 잔류 실리콘이 존재하지 않고, 고온 및 진공 분위기에서 안정하며, 전기전도성이 높아서 방전가공이 용이한 바, 복잡한 형상의 구조재료, 반도체 공정용 더미 웨이퍼, 반도체 공정용 히터 소재, 반도체 공정용 히터 플레이트 소재, 반도체 공정장비용 부품, 진공장비용 부품, 플라즈마 식각 챔버 내에서 높은 온도 안정성과 전기전도성을 요구하는 부품인 플라즈마스크린(plasma screen), 초점링(focus ring), 엣지링(edge ring) 등의 소재로 사용하기에 유용하다.
탄화규소, 반응소결, 체적비저항, 잔류실리콘-
公开(公告)号：KR100183363B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019970008754
申请日：1997-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/584
Abstract: 산화물 소결조제와 α-Si
3 N
4 분말의 혼합물로부터 제조된, 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 갖는 내부와, 이 내부와 동일한 소결조제와 β-Si
3 N
4 의 혼합물로부터 제조된, 상기 내부 보다 상대적으로 미세한 구조를 갖는 표면부로 이루어진, 이층 미세구조를 갖는 질화규소 소재 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 이층 미세구조를 질화규소 소재는 재료 전체의 파괴 인성이 우수함과 동시에 표면부의 강도가 우수하고, 기계 가공 후 표면 조도가 작은 장점이 있기 때문에, 베어링 메카니칼 씰 등의 각종 내마모 부품에 응용할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019960016071B1
公开(公告)日：1996-11-27
申请号：KR1019930020438
申请日：1993-10-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/584 , C04B35/495
Abstract: The ceramic heat building has a resistor of titanium nitride base comprising 1-30 wt.% a silicon nitride, 1-15 wt.% an erbium oxide(Er2O3) or ytterbium oxide(Yb2O3), 1-10 wt.% a silicon oxide(SiO2) and a residual titanium nitride, an insulating substrate of silicon nitride base comprising 1-18 wt.% a sintering aid agent, 1-20 wt.% a silicified molybdenum or tungsten carbide as a controlling agent of the thermo expansion coefficient, and a residual silicon nitride, and the thermo expansion coefficient being changed gradually from the surrounding of said resistor to the surface. Thereby, the plate-like ceramic heat building shows a high strength at high temperature and excellent thermo shock resistance.
Abstract translation: 陶瓷制热体具有包含1-30重量％的氮化硅，1-15重量％的氧化铒（Er2O3）或氧化镱（Yb2O3）的氮化钛基体的电阻，1-10重量％的氧化硅 （SiO 2）和残留的氮化钛，包含1-18重量％的烧结助剂，1-20重量％的作为热膨胀系数的控制剂的硅化钼或碳化钨的氮化硅基体的绝缘基板， 和残留的氮化硅，并且热膨胀系数从所述电阻器的周围逐渐变化到表面。 由此，板状陶瓷发热体在高温下显示出高强度，耐热冲击性优异。
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公开(公告)号：KR1019960011353B1
公开(公告)日：1996-08-22
申请号：KR1019930020439
申请日：1993-10-04
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/58 , C04B35/583 , C04B35/581 , C04B35/50
Abstract: The composition comprises a sintering agent, dispersing agent and ceramic powder as a major component, and other solvents. The process using this composition includes the addition of a binder and a plasticizer to the first slurry obtained by ball milling, followed by manufacturing tape casting. The composition provides the hindered settling of ceramic powder with the passage of time, which is less susceptible to cracking during drying after tape casting.
Abstract translation: 该组合物包含烧结剂，分散剂和陶瓷粉末作为主要成分，以及其它溶剂。 使用该组合物的方法包括向通过球磨获得的第一浆料中添加粘合剂和增塑剂，随后制造带状铸造。 该组合物随着时间的推移阻碍陶瓷粉末的沉降，这在胶带铸造后的干燥过程中不易开裂。
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公开(公告)号：KR1019950013981A
公开(公告)日：1995-06-15
申请号：KR1019930025547
申请日：1993-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 흑연 기재와 탄화규소 피복층 사이에, 흑연 기재로부터 탄화규소 피복층에 이르기까지 탄화규소의 함량이 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 흑연-탄화규소 복합 재료층을 갖는 특징으로 하는 탄화규소 피복 흑연 치구 및 그의 제조 방법을 기재하고 있다. 본 발명의 흑연 치구는 흑연-탄화규소 복합 재료층을 가지고 있어 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 열팽창 계수가 점진적으로 변화하게 되므로 급열 및 급냉의 사용 조건에서 장기간 사용하여도 피복층의 박리 및 균열이 발생하지 않아 우수한 열출격 내성을 나타낸다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100128437A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090046823
申请日：2009-05-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/565 , C04B35/632 , C04B35/571 , C04B35/581
Abstract: PURPOSE: A resistivity silicon carbide sintered body is provided to reduce volume resistivity of a silicon carbide ceramic material and to reduce the content of a sintering aid, using polysiolxane, carbon precursor, and β-silicon carbide powder. CONSTITUTION: A resistivity silicon carbide sintered body composition comprises 5.5-65 weight% polysiloxane, 3.5-40 weight% at least one kind of carbon precursor selected from phenol resin and xylene resin, 0.1-90 weight% -silicon carbide powder, 0.01-0.3 weight% aluminum-nitride, and 0.01-0.5 weight% rare earth metal oxide.
Abstract translation: 目的：提供一种电阻率碳化硅烧结体，以减少碳化硅陶瓷材料的体积电阻率，并使用聚硅氧烷，碳前体和β-碳化硅粉末降低烧结助剂的含量。 构成：电阻率碳化硅烧结体组合物包含5.5-65重量％的聚硅氧烷，3.5-40重量％的至少一种选自酚醛树脂和二甲苯树脂的碳前体，0.1-90重量％的碳化硅粉末，0.01-0.3 重量百分比的氮化铝和0.01-0.5重量％的稀土金属氧化物。
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公开(公告)号：KR100426804B1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：KR1020010012422
申请日：2001-03-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/36
Abstract: PURPOSE: A silicon carbide ceramics is provided which does not deteriorates high temperature strength by having superior oxidation resistance even in case that the silicon carbide ceramics is maintained at high temperature for a long period of time, and a process for manufacturing the silicon carbide ceramics is provided. CONSTITUTION: The process for manufacturing high toughness silicon carbide ceramics with improved oxidation resistance comprises the steps of obtaining a raw material powder mixture by mixing β-silicon carbide powder with solvent, 0.1 to 3 wt.% of an organic binder such as polyethylene glycol or polyvinyl alcohol, and 2 to 25 wt.% of sintering aid consisting of a composition of 0.5 to 10 wt.% of α-silicon carbide powder, 1 to 12 wt.% of aluminum nitride and 2 to 25 wt.% of rare earth metal silicate compound (Re2Si2O7), or a composition of 1 to 12 wt.% of aluminum nitride and 2 to 25 wt.% of rare earth metal oxide (Re2O3) and silica (SiO2) for the total weight of ceramics; compression molding the raw material powder mixture; and heat treating the sintered green compact under the pressure by an inert gas after sintering the obtained green compact at the temperature range of 1800 to 1900 deg.C, wherein the mixing comprises drying after wet type ball milling, the rare earth metal is a metal selected from Y, Yb, Er, Lu, La and Sc, and a mole ratio of the rare earth metal oxide to silica is 1:2.
Abstract translation: 目的：提供一种碳化硅陶瓷，即使在碳化硅陶瓷长时间保持高温的情况下，其耐氧化性也不会降低高温强度，并且碳化硅陶瓷的制造工艺是 提供。 本发明的目的在于提供一种具有改善的抗氧化性的高韧性碳化硅陶瓷的制造方法，该方法包括以下步骤：通过将β-碳化硅粉末与溶剂混合得到原料粉末混合物，将0.1-3重量％的有机粘合剂 聚乙二醇或聚乙烯醇，以及2至25重量％的由0.5至10重量％的α-碳化硅粉末，1至12重量％的氮化铝和2至25重量％的组合物组成的烧结助剂 的稀土金属硅酸盐化合物（Re 2 Si 2 O 7）或1至12重量％的氮化铝和2至25重量％的稀土金属氧化物（Re 2 O 3）和二氧化硅（SiO 2）的组合物的总重量 陶瓷; 压缩成型原料粉末混合物; 在1800〜1900℃的温度范围内烧结所得到的压粉体后，在惰性气体的压力下对烧结后的压粉体进行加热处理，其中混合包括湿式球磨后干燥，所述稀土金属为金属 选自Y，Yb，Er，Lu，La和Sc，稀土金属氧化物与二氧化硅的摩尔比为1:2。
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公开(公告)号：KR1019980073481A
公开(公告)日：1998-11-05
申请号：KR1019970008754
申请日：1997-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/584
Abstract: 산화물 소결조제와 α-Si
3 N
4 분말의 혼합물로부터 제조된, 표면부에 비하여 상대적으로 조대한 구조를 갖는 내부와, 이 내부와 동일한 소결조제와 β-Si
3 N
4 의 혼합물로부터 제조된, 상기 내부 보다 상대적으로 미세한 구조를 갖는 표면부로 이루어진, 이층 미세구조를 갖는 질화규소 소재 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 이층 미세구조 질화규소 소재는 재료 전체의 파괴 인성이 우수함과 동시에 표면부의 강도가 우수하고, 기계 가공 후 표면 조도가 작은 장점이 있기 때문에, 베어링, 메카니칼 씰 등의 각종 내마로 부품에 응용할 수 있다.-
9.发明授权
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公开(公告)号：KR1019970003829B1
公开(公告)日：1997-03-22
申请号：KR1019930025547
申请日：1993-11-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: It is about a silicon carbide coated graphite jig and manufacturing method of thereof for semiconductor wafer processes, which has improved thermal shock tolerance. The silicon carbide coated graphite jig comprises graphite base, graphite-siliconcarbide compound material layer and silicon carbide coating layer. The content of silicon carbide in the graphite-siliconcarbide compound material layer between the graphite base and the silicon carbide coating layer has an incline gradually increasing from the graphite base to the surface of the silicon carbide coating layer.
Abstract translation: 关于碳化硅涂覆的石墨夹具及其半导体晶片工艺的制造方法，其具有改善的耐热冲击性。 碳化硅涂覆的石墨夹具包括石墨基，石墨 - 碳化硅复合材料层和碳化硅涂层。 石墨基底与碳化硅涂层之间的石墨 - 碳化硅复合材料层中的碳化硅含量从石墨基体向碳化硅涂层的表面逐渐增加。
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