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公开(公告)号：KR1019970006723B1
公开(公告)日：1997-04-29
申请号：KR1019930017870
申请日：1993-09-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: A method for fabricating polysilicon thin film is described that can provide a big particle at a low temperature and make it possible to use cheap material. The method includes the steps of depositing amorphous silicon thin film on a substrate using PECVD or LPCVD and annealing the amorphous silicon thin film at the temperature of 300 deg. Cto 600 deg. C under the pressure of 10-9 to 103 Torr. The substrate is a glass substrate, silicon substrate, Si wafer or those which are covered with amorphous material. At step for depositing amorphous silicon thin film, SiH4 gas or the gas made by diluting the SiH4 gas with Ar, He, H2 or N2 are used. The particle made by the method has the size not less than 150 m. Thereby, it is possible to provide the polysilicon thin film having a big particle.
Abstract translation: 描述了一种用于制造多晶硅薄膜的方法，其可以在低温下提供大颗粒并且可以使用便宜的材料。 该方法包括以下步骤：使用PECVD或LPCVD在衬底上沉积非晶硅薄膜，并在300度的温度退火非晶硅薄膜。 C至600度 C在10-9到103乇的压力下。 衬底是玻璃衬底，硅衬底，Si晶片或被无定形材料覆盖的衬底。 在沉积非晶硅薄膜的步骤中，使用SiH 4气体或通过用Ar，He，H 2或N 2稀释SiH 4气体制成的气体。 该方法制造的颗粒尺寸不小于150μm。 由此，可以提供具有大颗粒的多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：KR1019950009904A
公开(公告)日：1995-04-26
申请号：KR1019930017870
申请日：1993-09-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명에 기판상에 비정질 규소 박막을 증착시킨 후, 이를 특정 압력 하에 저온에서 열처리하여 고상 결정화시키는 것으로 이루어진 입자 크기가 큰 다결정 규소 박막을 제조하는 방법이 기재되어 있다. 본 발명의 방법은 결정 성장 온도를 크게 낮춤으로써 값비싼 석영 대신 값싼 유리 등의 기판을 사용하고, 고가의 Si
2 H
6 가스 대신 SiH
4 가스를 사용함으로써 다결정 규소 박막의 생산 단가를 크게 낮출 수 있을 뿐 만 아니라, 입자 크기가 150μ이상인 다결정 규소 박막을 제공함으로써 다결정 규소 박막의 전자 및 정공의 이동도를 단결정 수준으로 향상시켜 현재 어려움을 겪고 있는 LCD용 TFT나 SRAM용 TFT등의 고성능 SOI소자 개발을 획기적으로 진전시킬 수 있다.
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