公开(公告)号：KR101921298B1

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：KR1020160178098

申请日：2016-12-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김명종 ,  문세연 ,  조이현 ,  안석훈 ,  장세규

IPC: C04B35/5831 ,  C01B21/064 ,  H05H1/26

Abstract: 반응챔버의상부와수직으로연결되며, 플라즈마를생성하는플라즈마토치; 플라즈마토치의상부에연결되어헬륨가스를포함하는중앙가스를수직으로공급하는중앙가스유입구; 플라즈마토치의상부와연결되고, 상기중앙가스유입구와인접하게형성되며, 육방정질화붕소(h-BN) 분말이주입되는원료공급부; 플라즈마토치의상부와연결되고, 중앙가스유입구와인접하게형성되며, 플라즈마토치에반응가스를공급하는반응가스주입구; 반응챔버의측면에형성되며온도구배를제어하는내화라이너; 및반응챔버의하부와연결되며냉각가스를상기중앙가스와반대방향으로주입하는냉각가스주입구;를포함하며, 플라즈마토치에서생성된플라즈마를통해육방정질화붕소분말이기화되어붕소증기가형성되고, 상기반응가스로부터질소전구체가형성되고,붕소증기, 질소전구체및 육방정질화붕소분말이상기반응챔버내로운반되며, 상기반응챔버내에서반응하여질화붕소나노튜브가형성되고, 질화붕소나노튜브는상기반응챔버로수직으로하강하면서성장하는것을특징으로하는, 질화붕소나노튜브제조장치가제공된다.

公开(公告)号：KR1020180074226A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：KR1020160178098

申请日：2016-12-23

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김명종 ,  문세연 ,  조이현 ,  안석훈 ,  장세규

IPC: C04B35/5831 ,  C01B21/064 ,  H05H1/26

Abstract: 반응챔버의상부와수직으로연결되며, 플라즈마를생성하는플라즈마토치; 플라즈마토치의상부에연결되어헬륨가스를포함하는중앙가스를수직으로공급하는중앙가스유입구; 플라즈마토치의상부와연결되고, 상기중앙가스유입구와인접하게형성되며, 육방정질화붕소(h-BN) 분말이주입되는원료공급부; 플라즈마토치의상부와연결되고, 중앙가스유입구와인접하게형성되며, 플라즈마토치에반응가스를공급하는반응가스주입구; 반응챔버의측면에형성되며온도구배를제어하는내화라이너; 및반응챔버의하부와연결되며냉각가스를상기중앙가스와반대방향으로주입하는냉각가스주입구;를포함하며, 플라즈마토치에서생성된플라즈마를통해육방정질화붕소분말이기화되어붕소증기가형성되고, 상기반응가스로부터질소전구체가형성되고,붕소증기, 질소전구체및 육방정질화붕소분말이상기반응챔버내로운반되며, 상기반응챔버내에서반응하여질화붕소나노튜브가형성되고, 질화붕소나노튜브는상기반응챔버로수직으로하강하면서성장하는것을특징으로하는, 질화붕소나노튜브제조장치가제공된다.