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公开(公告)号：KR102230032B1
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020190134490A
申请日：2019-10-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B21/064 , B01J19/08
CPC classification number: C01B21/0641 , B01J19/08 , B01J2219/0894 , C01P2004/13
Abstract: 질화붕소 나노튜브 제조 시스템은 챔버부, 전구체 로드, 레이저 조사부, 플라즈마 발생부 및 수집부를 포함한다. 상기 챔버부는 내부 공간을 형성한다. 상기 전구체 로드는 상기 내부 공간에 위치하며, 소정길이를 가진다. 상기 레이저 조사부는 상기 전구체 로드를 향하여 레이저를 조사한다. 상기 플라즈마 발생부는 상기 레이저 조사에 따라 전구체가 반응하는 영역으로 플라즈마를 발생한다. 상기 수집부는 상기 전구체가 반응하는 영역에서 합성되는 나노튜브를 수거한다.
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公开(公告)号：KR102230032B1
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020190134490
申请日：2019-10-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B21/064 , B01J19/08
Abstract: 질화붕소나노튜브제조시스템은챔버부, 전구체로드, 레이저조사부, 플라즈마발생부및 수집부를포함한다. 상기챔버부는내부공간을형성한다. 상기전구체로드는상기내부공간에위치하며, 소정길이를가진다. 상기레이저조사부는상기전구체로드를향하여레이저를조사한다. 상기플라즈마발생부는상기레이저조사에따라전구체가반응하는영역으로플라즈마를발생한다. 상기수집부는상기전구체가반응하는영역에서합성되는나노튜브를수거한다.
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公开(公告)号：KR101898524B1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：KR1020170022357
申请日：2017-02-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/622 , C04B35/52 , C04B41/88 , C23C18/31 , H01L23/373
Abstract: 아크방전공정을통해탄소재료를합성하는단계; 탄소재료및 섬유전구체를포함하는혼합용액을형성하는단계; 혼합용액을전기방사장치에충진한후 전기방사공정을수행하여예비탄소재료복합필름을제조하는단계; 예비탄소재료복합필름에안정화공정및 탄화공정을수행하여탄소재료복합필름을제조하는단계; 및금속증착공정을통해탄소재료복합필름상에금속층을형성하여, 금속-탄소재료복합필름을제조하는단계; 를포함하는금속-탄소재료복합필름의제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR101867905B1
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR1020160150965
申请日：2016-11-14
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 반응챔버; 반응챔버내에위치하는음극전극봉; 음극전극봉과아크방전을일으키는양극전극봉으로서, 붕소섬유및 금속층을포함하는양극전극봉; 및반응챔버내에버퍼가스및 질소공급가스를주입하는가스주입구;를포함하는질화붕소나노튜브제조장치가제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020180015502A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：KR1020160099101
申请日：2016-08-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B21/064 , B01J19/121 , B01J23/745 , B01J37/347 , B01J2219/12 , B82Y30/00 , C23C14/16 , C23C14/30 , C23C16/0263 , C23C16/342
Abstract: 붕소-금속촉매복합체를반응챔버에주입하는단계; 반응챔버에질소전구체를주입하는단계; 붕소-금속촉매복합체에이산화탄소레이저또는자유전자레이저를조사하여기체상태의붕소-금속촉매복합체의분해생성물을생성하는단계; 및기체상태의붕소-금속촉매복합체의분해생성물과상기질소전구체가반응하여질화붕소나노튜브를형성하는단계; 를포함하는질화붕소나노튜브의제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR1020170002949A
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020150092916
申请日：2015-06-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 자외선영역의빛 에너지를흡수한후 비복사에너지로방출하는나노물질이열가소성수지에분산된것이고, 상기열가소성수지는나노물질로부터방출되는비 복사에너지에의하여이동가능한자외선감응열가소성수지기반자가치유복합체및 그제조방법을제공한다. 해당복합체는반복적치유가가능하면서도제조과정이저렴하여상업화에유용하다. 또한, 자외선감응시 복합체 내부에서생성되는열 에너지가효과적으로열가소성수지에전달되어효율적인자가치유가일어나도록할 수있다. 아울러, 양호한용매분산성, 고분자매트릭스내에서의양호한분산성과고분자와의계면특성으로인하여균일한복합체를제공할수 있고이에따라자가치유특성을더욱향상할수 있으며, 또한, 전도성을부여하기가용이하다.
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8.发明授权기재 위에 대면적, 단결정, 단일층의 h-BN 박막을 형성하는 방법 및 그로부터 제조된 h-BN 박막 적층체 有权h-BN h-BN基板上的大面积单晶单层六方氮化硼薄膜的形成方法和六方氮化硼薄膜层叠体
公开(公告)号：KR101692514B1
公开(公告)日：2017-01-03
申请号：KR1020150133397
申请日：2015-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 본발명은기재위에단층의육방정계질화붕소(hexagonal boron nitride: h-BN) 박막을제조하는방법에대한것으로보다구체적으로는 (a) 제 1 기재위에제 2 기재를위치시키는기재적층단계; (b) 제 2 기재의용융온도이상으로적층된기재를가열하는적층기재가열단계; 및 (c) 화학기상증착법으로제 2 기재위에 h-BN 박막을형성시키는 h-BN 박막형성단계;를포함하는기재위에단층의 h-BN 박막을형성하는방법과상기제조방법에따라제조되는한 층의 h-BN 박막;과상기 h-BN 박막과적층구조를이루는기재를포함하는적층체에대한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160042676A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020140136903
申请日：2014-10-10
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: D01F9/127 , C30B25/02 , B82B3/00 , C30B25/025 , C30B29/36
Abstract: 본발명은 (S1) 실리콘기판상에알루미나층을증착하는단계; (S2) 상기알루미나층상에팔라듐을증착하여팔라듐촉매층을형성하는단계; 및 (S3) 상기팔라듐촉매층상에화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)법으로탄소나노섬유를성장시키는단계;를포함하는탄소나노섬유의성장방법및 알루미나층이증착된실리콘기판상에서수직성장된탄소나노섬유로서, 끝단의곡률반경은 5 nm 이하이고, 지름은 50 nm 이하이며, 성장길이는 1 mm 이상이고, 성장길이와지름의종횡비는 50,000 이상인것을특징으로하는탄소나노섬유에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及碳纳米纤维的生长方法和在氧化铝层沉积硅衬底上垂直生长的碳纳米纤维，其中碳纳米纤维的生长方法包括以下步骤：（S1）在硅衬底上沉积氧化铝层; （S2）在氧化铝层上沉积钯以形成钯催化剂层; 和（S3）通过化学气相沉积（CVD）法在钯催化剂层上生长碳纳米纤维。 此外，碳纳米纤维具有曲率半径小于或等于5nm，直径小于或等于50nm，生长长度大于或等于1mm的尖端和生长长度 - 直径长宽比大于或等于50,000。
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公开(公告)号：KR20210015497A
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：KR20190094452
申请日：2019-08-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B21/064 , B01J19/12
Abstract: 본명세서에서는, 반응챔버; 반응챔버내에위치한타겟; 상기타겟상에붕소전구체또는붕소-금속촉매복합전구체를공급하는연속주입장치; 및상기타겟의일 부분에에너지를조사하여질화붕소나노튜브를생성하는에너지공급장치;를포함하는것을특징으로하는, 질화붕소나노튜브연속제조장치가제공된다.
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