Abstract:
본발명은탄화물로피복된다이아몬드입자를제조하는방법및 이에의하여제조된다이아몬드입자에관한것이다. 본발명은다이아몬드분말, 코팅원소및 활성제를포함하는분말혼합물을불활성(또는환원)분위기에서 500~1,200℃로가열하여 1~600분유지하고냉각하여탄화물층으로피복된다이아몬드분말입자를제조하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 특별한장치없이도간단한분위기열처리방법을통하여탄화물층으로피복된다이아몬드분말을얻을수 있다. 또한, 기상-고상반응에의하여다이아몬드분말입자표면에탄화물층이형성되기때문에다이아몬드분말전체에걸쳐균일하게탄화물층이형성될수 있고탄화물층과다이아몬드계면에산소가존재하지않게된다. 특히, 다이아몬드분말입자의직경이수 마이크론크기이하로작아지더라도다이아몬드분말각각의입자표면에탄화물층의균일피복이가능하여탄화물층으로피복된마이크론크기의다이아몬드분말을얻을수 있다.
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본발명은탄화물로피복된다이아몬드입자를제조하는방법및 이에의하여제조된다이아몬드입자에관한것이다. 본발명은다이아몬드분말, 코팅원소및 활성제를포함하는분말혼합물을불활성(또는환원)분위기에서 500~1,200℃로가열하여 1~600분유지하고냉각하여탄화물층으로피복된다이아몬드분말입자를제조하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 특별한장치없이도간단한분위기열처리방법을통하여탄화물층으로피복된다이아몬드분말을얻을수 있다. 또한, 기상-고상반응에의하여다이아몬드분말입자표면에탄화물층이형성되기때문에다이아몬드분말전체에걸쳐균일하게탄화물층이형성될수 있고탄화물층과다이아몬드계면에산소가존재하지않게된다. 특히, 다이아몬드분말입자의직경이수 마이크론크기이하로작아지더라도다이아몬드분말각각의입자표면에탄화물층의균일피복이가능하여탄화물층으로피복된마이크론크기의다이아몬드분말을얻을수 있다.