Abstract:
본 발명은 본 발명은 황이 도핑된 금속 산화물을 포함하는 신경작용제의 가수분해 제거용 촉매 조성물 및 신경작용제의 가수분해 제거용 촉매 조성물을 신경작용제에 적용하는 단계를 포함하는 신경작용제의 제거 방법에 관한 것으로, 구체적으로, 본 발명의 촉매 조성물은 황이 도핑되지 않은 기존의 신경작용제 제거용 촉매 조성물에 비해 신경작용제의 가수분해 제거율이 증가한 효과를 나타낸다.
Abstract:
본 발명은 금속 구조체를 촉매 지지체로 사용하는 촉매 모듈에 있어서, 금속 구조체와 다공성 담체 간의 부착력을 견고하게 유지시키기 위하여 금속 구조체 표면에 요철 구조를 형성한 후 다공성 물질층 또는 담체층을 형성하는 방법 및 그로부터 제조된 촉매 모듈을 제공한다. 본 발명에서 금속 구조체 표면에 형성된 요철 구조는 열 변형 계수 차로 인하여 고온 환경에 반복하여 노출되었을 때 금속 구조체 표면으로부터 다공성 담체가 탈리되는 현상을 방지한다. 따라서, 본 발명에 의해 제조된 촉매 모듈은 고온의 사용 환경에서도 촉매 활성이 안정적으로 유지되는 장점을 갖는다.
Abstract:
본 발명은 질소산화물 환원용 촉매 및 이를 이용한 질소산화물 환원 시스템에 관한 것으로서, 15족 또는 16족 원소의 산화물 (oxide)을 포함하는 프로모터 (promoter), 하기의 [화학식 1]로 표시되는 구리 바나듐산염 (copper vanadate) 결정입자 및 구리 바나듐산염 결정입자와 상기 프로모터가 담지되는 담지체를 포함하는 것을 특징으로 한다. [화학식 1] Cu X V 2 O X+5 여기서, X는 3 또는 5의 값을 가지는 정수이다.
Abstract:
본 발명은 다공성 담체에 고체 원소의 촉매 성분을 담지하는 방법에 있어서, 고체 원소의 플라즈마 이온을 발생시키고 플라즈마 이온 주입법에 의해 나노입자 복합체 촉매를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 고체 원소의 플라즈마 이온을 발생시키기 위해 증착원에 펄스 직류 전압을 인가하고, 이에 동기화된 전압을 다공성 담체에 인가함으로써, 고체 원소에 순간적으로 가해진 펄스 고전압에 의해 이온화된 고체 원소가 다공성 담체 쪽으로 가속되어 이온 주입되도록 하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 작은 사이즈의 촉매 성분 입자를 담지할 수 있어 적은 양의 촉매 성분으로도 동일 또는 향상된 촉매 성능을 나타내는 나노입자 복합체 촉매를 제조할 수 있다. 또한, 촉매 입자와 담체와의 결합력이 향상되어 촉매 사용에 의해 성능이 열화되거나 촉매 수명이 다하는 현상을 방지함으로써 장시간 사용할 수 있는 촉매의 제조가 가능하다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a porous thin film structure using a dry process, and the porous thin film structure manufactured by the same are provided to maintain a constant porosity, thereby reproducing the sensitivities of sensors manufactured by the structure. CONSTITUTION: A method for manufacturing a porous thin film structure using a dry process comprises: a step of simultaneously depositing at least two elements, which have a different reactivity on a certain reactive gas from each other, in order to form an alloy thin film; and a step of manufacturing a porous thin film by selectively removing one element having a larger reactivity than the reactivity of the other from the alloy thin film. In the step of forming the alloy thin film, the alloy thin film is formed with the elements by sputter deposition. The alloy thin film includes at least two kinds of elements selected from a group of Pt, Pd, Ru, Rh, Ag, Au, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Si, As, Ge, Os, Re, Te, Ir, Al, B, C, O, N, P, Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, and W. In the step of manufacturing the porous thin film, the element selectively removed is at least one kind selected from a group of Si, As, Ge, Os, Re, Te, Ir, Al, B, C, O, N, P, Cu, Cr, Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, and W.
Abstract:
PURPOSE: A method for sensor including a porous membrane and a sensor manufactured by the same are provided to regulate the thickness and the porosity of the membrane, thereby controlling the sensitivity of the sensor with easily method. CONSTITUTION: A method for sensor including a porous membrane comprises; a step for forming the porous membrane by depositing two or more elements; and a step for manufacturing the porous membrane by selectively removing the elements from the membrane.