Abstract:
본 발명은 유전율(permittivity; ε)이 3.0 미만인 고분자 나노 절연막을 포함하는 전기발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고분자 전기발광 소자는 유전율이 3.0 미만인 고분자 나노 절연막을 발광층과 금속 전극, 즉 음극 사이에서 포함함으로써 발광층의 밴드 굽힘(band bending)이 감소하여 전극으로부터 발광층으로의 전자 주입이 증가하게 된다. 이와 같이 증가된 전자 주입은 발광층에서 전자와 정공이 만날 확률을 높임으로써 고휘도, 고효율의 빛을 내게 한다. 따라서, 본 발명에 따른 고분자 전기발광 소자는 보다 향상된 전기발광 강도 및 효율을 가지게 된다.
Abstract:
PURPOSE: A polymer electroluminescence device is provided to prevent a photooxidation of an emitting layer and achieve improved luminescence efficiency by using nano composite as an emitting layer. CONSTITUTION: A polymer electroluminescence device comprises an anode electrode layer, a cathode electrode layer, and an emitting layer. The nano composite obtained from a mixture of metal nano particle and electroluminescence polymer is used as the emitting layer. The metal is selected from a group consisting of gold, silver, platinum, nickel, iron, cobalt, and germanium. The electroluminescence polymer emits light of wavelength of 400 to 800nm.
Abstract:
Provided is a white electroluminescent device which is improved in the chemical miscibility of a conjugated polymer having a high luminous efficiency and a phosphor, is remarkably lowered in drive voltage and is excellent in color stability. The white electroluminescent device(100) is a polymer-based fluorescent/phosphorescent composite electroluminescent device which comprises a transparent substrate(60); a positive electrode layer(10); a hole transport layer(30); a light emitting layer(50); an electron transport layer(40); and a negative electrode layer(20), wherein the light emitting layer comprises a luminous conjugated polymer; a phosphor; and poly(N-vinyl carbazole) or a blend with its derivative as a luminous unconjugated polymer.
Abstract:
본 발명은 유전율(permittivity; ε)이 3.0 미만인 고분자 나노 절연막을 포함하는 전기발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고분자 전기발광 소자는 유전율이 3.0 미만인 고분자 나노 절연막을 발광층과 금속 전극, 즉 음극 사이에서 포함함으로써 발광층의 밴드 굽힘(band bending)이 감소하여 전극으로부터 발광층으로의 전자 주입이 증가하게 된다. 이와 같이 증가된 전자 주입은 발광층에서 전자와 정공이 만날 확률을 높임으로써 고휘도, 고효율의 빛을 내게 한다. 따라서, 본 발명에 따른 고분자 전기발광 소자는 보다 향상된 전기발광 강도 및 효율을 가지게 된다. 고분자 전기발광 소자, 고분자 나노 절연막, 발광 효율, 유전율
Abstract:
본 발명은 유기 전기발광 소자에 관한 것으로서, 특히 발광 고분자들에 인광 물질을 도핑하여 발광 고분자의 에너지를 인광 물질로 전달하여 효율적인 인광을 유도한 고분자-베이스 전계 인광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 발광효율이 우수한 공액 고분자 및(또는) 인광물질과, 이들의 화학적 혼화성을 증가시키기 위해 PVK를 함께 블렌드하여 발광층을 구성하고, 구동전압을 낮추고 효율을 향상시키기 위해 구조를 이중층 (double layer)으로 제어한 고분자 전계인광 소자가 제공된다. 본 발명에 의해 발광 고분자의 내부구조를 변화시킴으로써 혼화성을 높일 수가 있으며, 효율적인 에너지 전달로 인해 보다 향상된 전기발광 강도 및 효율을 갖게 된다. 전계 인광 소자, 블렌드, 이중 발광층, 에너지 전달, 발광 고분자
Abstract:
본 발명은 유기 전기발광 소자에 관한 것으로서, 특히 발광 고분자들에 인광 물질을 도핑하여 발광 고분자의 에너지를 인광 물질로 전달하여 효율적인 인광을 유도한 고분자-베이스 전계 인광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 발광효율이 우수한 공액 고분자 및(또는) 인광물질과, 이들의 화학적 혼화성을 증가시키기 위해 PVK를 함께 블렌드하여 발광층을 구성하고, 구동전압을 낮추고 효율을 향상시키기 위해 구조를 이중층 (double layer)으로 제어한 고분자 전계인광 소자가 제공된다. 본 발명에 의해 발광 고분자의 내부구조를 변화시킴으로써 혼화성을 높일 수가 있으며, 효율적인 에너지 전달로 인해 보다 향상된 전기발광 강도 및 효율을 갖게 된다. 전계 인광 소자, 블렌드, 이중 발광층, 에너지 전달, 발광 고분자
Abstract:
본 발명은 유기 발광 색소들이 아주 미량 도핑된 백색광을 내는 유기 고분자 발광 소재와 이를 발광층으로 사용하는 전기발광 소자에 관한 것으로, 유기 발광 색소들을 미량도핑하여 유기 발광 물질내에서 훼스터(Forster) 에너지 전달현상을 효과적으로 제어하여 고효율의 백색광을 내도록 하는 물질을 이용하여 백색 전기발광소자를 제조할 수 있다. 미량도핑법에 의한 백색 발광 물질 제조를 하게 되면 에너지 공여체인 호스트 물질과 에너지 수용체인 도판트 물질 사이에서는 에너지 전달을 이용할 수 있지만 도판트 사이에서의 에너지 전달은 효과적으로 차단할 수 있어 백색 물질 제조가 아주 용이하게 된다. 본 발명의 전지발광소자는 투명 기판, 반투명전극, 백색 발광층, 금속전극 순으로 구성되며, 경우에 따라서 정공 수송층과 전자 수송층이 더 포함될 수도 있다. 본 발명의 백색 발광 물질을 이용한 소자는 전기 발광(electroluminescence) 효율이 도핑하지 않은 단일 호스트 물질로 제조된 소자에 비하여 향상되었다.
Abstract:
PURPOSE: A high efficiency white organic light emitting material and an electroluminescence device are provided to achieve improved luminous efficiency and allow for ease of manufacture of white light emitting material. CONSTITUTION: A high efficiency white organic light emitting material comprises a substrate(1) having a half-transparent electrode(2); a light emitting layer(4) formed on the half-transparent electrode; and a metal electrode(6) formed on the light emitting layer. The light emitting layer is made of organic light emitting materials of three or more components. The material having the highest band gap is used as a host, and the other materials are used as a dopant which is doped at 0.1 weight% or lower of the host material.