公开(公告)号：KR100288501B1

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：KR1019980029926

申请日：1998-07-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이전국 ,  정형진 ,  박윤백

IPC: C23C14/35 ,  B82Y10/00

Abstract: 스트론튬 비스무쓰 탄탈륨 니오븀 산화물(strontium bismuth tantalum niobium; 이하 SBTN 이라 한다)층 사이에 소정 두께의 단일 비스무쓰 층을 삽입하여, SBTN/Bi
2 O
3 /SBTN 헤테로 구조를 형성하고, 저온 후열처리에 의하여, 삽입된 비스무쓰 산화물 층을 상하부에 있는 SBTN 층으로 확산시키는 방법을 이용하여 SBTN 박막을 제조한다.
이러한 제조방법에서는 SBTN 층 사이에 첨가하는 Bi
2 O
3 층의 두께를 조절함으로써 박막의 비스무쓰 양을 제어할 수 있고, Perino 법에 비해 제조 단가를 획기적으로 낮출 수 있고, 제조 온도를 625℃까지 낮출 수 있을 뿐 아니라, 간단한 제조공정에도 불구하고, 낮은 인가전압에서 비교적 높은 잔류분극값을 나타내며, 퍼티그 테스트 결과 긴 수명을 가지는 등 우수한 강유전체 특성을 가지는 SBTN 박막을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020000009477A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019980029926

申请日：1998-07-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이전국 ,  정형진 ,  박윤백

IPC: C23C14/35 ,  B82Y10/00

CPC classification number: C23C14/5893 ,  C23C14/027 ,  C23C14/083 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806

Abstract: PURPOSE: This patent application is a technique about a design and a control of multi-layer thin membrane formative equipment, the manufacturing cost is high and the expensive equipment is need. CONSTITUTION: After injection of mono-layer bismuth between strontium bismuth tantalum niobium (SBTN) layer, a formation of hetero structure DBTN/Bi2O3/SBTN, according to the treatment of a low temperature and after heating, the injected bismuth oxide layer diffuse to top and bottom SBTN layer. This is a control method of a surplus bismuth quantity to injection of another bismuth layer between SBTN layers.

Abstract translation: 目的：该专利申请是关于多层薄膜形成设备的设计和控制技术，制造成本高，需要昂贵的设备。 构成：在铋铋钽铌（SBTN）层中注入单层铋后，形成异质结构DBTN / Bi2O3 / SBTN，根据低温处理和加热后，注入的铋氧化物层向顶部扩散 和底部SBTN层。 这是在SBTN层之间注入另一铋层的剩余铋量的控制方法。