公开(公告)号：KR101905069B1

公开(公告)日：2018-10-08

申请号：KR1020170098606

申请日：2017-08-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박태언 ,  김형준 ,  구현철 ,  한석희 ,  장준연 ,  민병철

IPC: G01R33/12 ,  G01R33/09 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

CPC classification number: G01R33/1215 ,  G01R33/093 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: 본발명은나노자성체의자화방향측정방법에관한것이다. 본발명에따른나노자성체의자화방향측정방법은, 스핀소자내 나노자성체(12, 13)의자화방향(D1, D2)을측정하는방법으로서, 스핀소자는, 기판(10) 상에형성되는전송채널(11), 전송채널(11) 상에형성되는소스전극(12), 및전송채널(11) 상에서소스전극(12)과이격되어형성되는드레인전극(13)을포함하고, 적어도두 축방향의외부자기장을인가하여각각의외부자기장에수직한평면상에서의소스전극(12) 및드레인전극(13)의자화방향(D1, D2)을측정하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101753342B1

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020160045820

申请日：2016-04-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장준연 ,  박태언 ,  민병철 ,  구현철 ,  한석희

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L29/66984 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/222 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/47 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 본발명의일 실시예에따른상온작동스핀제어전자소자는, 기판상에위치하고, 제1 방향으로긴 형상을가지며, 제1 방향에수직인제2 방향으로절단된단면이삼각형인저차원나노구조를포함하는전송채널, 기판상에위치하고전송채널과교차되며, 전송채널의일부를덮는소스전극, 그리고기판상에서소스전극과이격되어위치하고, 전송채널과교차되며, 전송채널의일부를덮는드레인전극을포함한다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的室温下的旋转控制电子器件包括：低维纳米结构，其位于基板上并且在第一方向上具有长形形状，并且具有在垂直于第一方向的方向上切割的三角形横截面 源电极位于衬底上并与传输通道相交并覆盖传输通道的一部分，漏电极与衬底上的源电极间隔开并与传输通道相交并覆盖传输通道的一部分 的。