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公开(公告)号：WO2014148719A1
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/KR2013/009850
申请日：2013-11-01
Applicant: 한국과학기술원 , 한국기초과학지원연구원 , 한국과학기술연구원
IPC: G06K19/077 , G06K19/07
CPC classification number: G06K19/0707
Abstract: 본 발명은 초전력 소모의 스핀 발진기를 활용하여 별도의 축전지를 탑재하지 않고도 능동형 RFID 태그를 구현한 발명으로서, 주변의 에너지를 수확하는 에너지 하베스팅 수단, 별도의 축전지를 구비하지 않고도 상기 에너지 하베스팅 수단에서 생산된 전력을 공급받아 소정 주파수의 발진 신호를 출력하는 적어도 하나의 스핀 발진기 및 상기 스핀 발진기로부터 출력된 발진 신호를 사용하여 RFID 데이터를 변조하여 RF 신호로 출력하는 스핀 변조기를 포함하는 것을 특징으로 하는 능동형 스핀 RFID 태그에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明提供一种使用极低功耗的自旋振荡器的无源RFID标签，无需额外的电池安装，其特征在于包括：收集周围能量的能量收集装置; 至少一个自旋振荡器，没有附加的蓄电池，其提供从收获装置产生的用于产生给定频率的振荡信号的功率; 以及用于调制RFID数据以便通过从自旋振荡器输出的振荡信号输出RF信号的自旋调制器。
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公开(公告)号：WO2015023028A1
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：PCT/KR2013/009849
申请日：2013-11-01
Applicant: 한국과학기술원 , 한국기초과학지원연구원 , 한국과학기술연구원
CPC classification number: H04L27/04 , H01F10/32 , H01F10/329 , H01L43/00 , H03B15/006 , H04L5/0005 , H04L5/06 , H04L25/4917 , H04L27/06
Abstract: 본 발명은 서로 다른 주파수 특성을 갖고, 입력 데이터를 OOK 변조 또는 멀티레벨 ASK 변조하여 다중대역의 OOK 변조신호 또는 다중대역의 멀티레벨 ASK 변조신호를 출력하는 복수의 스핀토크전달소자, 상기 복수의 스핀토크전달소자의 개별 임피던스를 정합하는 복수의 정합 네트워크 및 상기 복수의 정합 네트워크의 일단부로부터 상기 다중대역의 OOK 변조신호 또는 상기 다중대역의 멀티레벨 ASK 변조신호를 전송받아 동시에 외부로 송신하는 광대역 안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중대역 주파수와 진폭을 동시에 변조하는 스핀트로닉스 무선통신 시스템에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于同时调制多频段频率和振幅的自旋电子学无线通信系统，该系统包括：具有彼此具有不同频率特性的多个自旋转矩传递元件，以及OOK调制或多电平ASK调制输入数据 从而输出多频带OOK调制信号或多频带多电平ASK调制信号; 多个匹配网络，其匹配多个自旋转矩传递元件的各个阻抗; 以及宽带天线，其从多个匹配网络的端部接收多频带OOK调制信号或多频带多电平ASK调制信号，同时将信号发送到外部。
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公开(公告)号：KR101402784B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020130030978
申请日：2013-03-22
Applicant: 한국과학기술원 , 한국과학기술연구원 , 한국기초과학지원연구원
IPC: G06K19/077 , G06K19/07
CPC classification number: G06K19/0707
Abstract: The present invention implements an active spin RFID tag, without an additional storage battery, using an ultra-low-power spin oscillator. The active spin RFID tag includes an energy harvesting means for harvesting peripheral energy; at least one spin oscillator for receiving power generated by the energy harvesting means to output an oscillation signal of a predetermined frequency, without being provided with an additional storage battery; and a spin modulator for modulating RFID data by using the oscillation signal output from the spin oscillator to output the modulated RFID data as an RF signal.
Abstract translation: 本发明使用超低功率自旋振荡器来实现无附加蓄电池的有源自旋RFID标签。 主动旋转RFID标签包括用于收集外围能量的能量收集装置; 至少一个自旋振荡器，用于接收由所述能量采集装置产生的功率，以输出预定频率的振荡信号，而不设置附加的蓄电池; 以及自旋调制器，用于通过使用从自旋振荡器输出的振荡信号来调制RFID数据，以将调制的RFID数据作为RF信号输出。
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公开(公告)号：KR101009727B1
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：KR1020080096896
申请日：2008-10-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/82 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/66984 , H01L29/7785
Abstract: 본 발명은 게이트 전압에 따라 채널 내의 전위 기울기를 음과 양의 값으로 용이하게 조절할 수 있는 스핀 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 스핀 트랜지스터는, 2차원 전자가스 구조의 채널층과 상기 채널층의 상하에 각각 배치된 상부 클래딩층 및 하부 클래딩층을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 채널층의 길이 방향으로 서로 이격 배치된 강자성체 소스 및 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하도록 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 상기 하부 클래딩층과 채널층 사이에 배치되어 상기 채널층에 캐리어(carrier)를 공급하는 제1 전하 공급층; 및 상기 상부 클래딩층과 채널층 사이에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하는 제2 전하 공급층;을 포함한다.
스핀 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020100091773A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：KR1020090011125
申请日：2009-02-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: The manufacturing method of the self assembling half - quantum structure water diversifies the temperature of substrate and injection amount of non-metal. In that way the size of the half - quantum structure water and form and density can be controlled easily. CONSTITUTION: The half - quantum structure water having the band gap bigger in the top of the substrate than the band gap of substrate is formed. Metal and the non-metal comprising the compound semiconductor having the band gap biging than the band gap of substrate are respectively selected. The metal selected in pressure less than 1×10-9torr is injected into substrate and the metal droplet is formed.
Abstract translation: 目的：自组装半量子结构水的制造方法使基体的温度和非金属的注入量多样化。 以这种方式，可以容易地控制半量子结构水的尺寸和形状和密度。 构成：形成具有衬底顶部带隙大于衬底带隙的半量子结构水。 分别选择包含具有比基板的带隙大的带隙的化合物半导体的金属和非金属。 将压力小于1×10-9torr的金属注入衬底中，形成金属液滴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060105949A
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：KR1020050027805
申请日：2005-04-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 나노 크기의 선(nano wire)을 스핀전달체로 활용하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 강자성체로부터 스핀분극된 캐리어를 반도체 나노선에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 및 스핀축적효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 반도체 나노선 기반 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터 제조기술에 관한 것이다.
이에, 본 발명은 기판 상에 분산된 나노선과; 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 소스 영역; 상기 소스 영역으로부터 주입된 스핀이 나노선을 통과한 후, 스핀이 검출되는 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 드레인 영역을 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자를 제시한다. 또한, 본 발명은 기판 위에 캐리어가 이동하는 채널 역할의 나노선을 형성하는 단계와; 상기 나노선 채널 위에 자성체 또는 자성반도체의 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 자기장을 가하면서 열처리하는 단계를 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 제조방법을 제시한다.
스핀주입소자, 반도체 나노선, 자성체/반도체 구조, 자기저항, 스핀밸브, 스핀분극 전계효과 트랜지스터Abstract translation: 本发明涉及利用纳米线作为旋转载体的混合型磁性/半导体纳米线旋转装置及其制造方法。 更具体地，涉及从能够半导体的铁磁材料自旋极化载流子的纳米线为基础的自旋注入装置和施加到存储器和从旋转阀和自旋累积效应的逻辑元件的自旋场效应晶体管的制造技术是由注入到半导体纳米线而获得。
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公开(公告)号：KR100511077B1
公开(公告)日：2005-08-30
申请号：KR1020030016170
申请日：2003-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01F10/1936 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/193 , H01F41/308 , H01L29/66984
Abstract: 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 캐리어를 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제공한다.
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公开(公告)号：KR100462791B1
公开(公告)日：2004-12-20
申请号：KR1020010075409
申请日：2001-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a wordline having a keeper layer capable of applying to a magnetic memory and a sensor is provided to supply a magnetic layer mainly constituted of Co serving as a magnetic field keeper and having an excellent characteristics as a barrier layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a wordline having a keeper layer capable of applying to a magnetic memory and a sensor includes the steps of: forming an insulating layer(102) on a semiconductor substrate(100), forming a trench in the insulating layer(102) at a predetermined depth by using photolithography method, coating a magnetic keeper layer(106) on the inner and exterior surface of the trench by using a physical vapor deposition method, depositing seed layer made of copper(Cu) on the entire surface of the magnetic keeper layer(106), depositing a conducting layer(110) made of Cu at a predetermined thickness so as to cover the trench(104) formed on the top of the seed layer by using an electroplating method and planarizing the conducting layer(110) by using a chemical mechanical polishing(CMP) method until the top surface of the insulating layer is exposed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有能够应用于磁存储器和传感器的保持层的字线的方法，以提供主要由作为磁场保持器的Co构成并具有优异特性的磁层作为阻挡层。 用于制造具有能够施加到磁存储器和传感器的保持层的字线的方法包括以下步骤：在半导体衬底（100）上形成绝缘层（102）;在绝缘层（100）中形成沟槽 使用光刻法，在沟槽的内外表面上涂布磁性保持层（106），在其整个表面上沉积由铜（Cu）制成的晶种层 磁性保持层（106），以预定厚度沉积由Cu制成的导电层（110），以便通过使用电镀方法覆盖形成在晶种层顶部上的沟槽（104），并平坦化导电层 110）通过使用化学机械抛光（CMP）方法直到绝缘层的顶表面暴露。
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公开(公告)号：KR100452618B1
公开(公告)日：2004-10-15
申请号：KR1020010072201
申请日：2001-11-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
Abstract: PURPOSE: A magnetic memory and word line making method capable of being applied to sensor are provided to realize a pattern with respect to a wordline/bitline to maximize magnetic field required for converting magnetization. CONSTITUTION: An insulation film(102) is formed on a semiconductor substrate(100), and a trench of a predetermined depth is formed by using the insulation film. A seed film(106) is deposited on an entire surface of the trench. A conductive film(108) of a copper material is coated on the seed film so as to cover the trench sufficiently. A CMP process is performed until an upper surface of the insulation film is exposed.
Abstract translation: 目的：提供一种能够应用于传感器的磁存储器和字线制造方法，以实现相对于字线/位线的图案，以最大化转换磁化所需的磁场。 构成：在半导体衬底（100）上形成绝缘膜（102），通过使用绝缘膜形成预定深度的沟槽。 籽晶膜（106）沉积在沟槽的整个表面上。 在籽晶膜上涂覆铜材料的导电膜（108）以充分覆盖沟槽。 执行CMP工艺直到绝缘膜的上表面暴露。
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公开(公告)号：KR1020030044596A
公开(公告)日：2003-06-09
申请号：KR1020010075409
申请日：2001-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a wordline having a keeper layer capable of applying to a magnetic memory and a sensor is provided to supply a magnetic layer mainly constituted of Co serving as a magnetic field keeper and having an excellent characteristics as a barrier layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a wordline having a keeper layer capable of applying to a magnetic memory and a sensor includes the steps of: forming an insulating layer(102) on a semiconductor substrate(100), forming a trench in the insulating layer(102) at a predetermined depth by using photolithography method, coating a magnetic keeper layer(106) on the inner and exterior surface of the trench by using a physical vapor deposition method, depositing seed layer made of copper(Cu) on the entire surface of the magnetic keeper layer(106), depositing a conducting layer(110) made of Cu at a predetermined thickness so as to cover the trench(104) formed on the top of the seed layer by using an electroplating method and planarizing the conducting layer(110) by using a chemical mechanical polishing(CMP) method until the top surface of the insulating layer is exposed.
Abstract translation: 目的：提供一种具有能够施加到磁存储器和传感器的保持层的字线的制造方法，以提供主要由作为磁场保持器的Co构成的磁性层，并且具有优异的阻挡层特性。 构成：用于制造具有能够施加到磁存储器和传感器的保持层的字线的方法包括以下步骤：在半导体衬底（100）上形成绝缘层（102），在绝缘层中形成沟槽 102），通过使用光刻法在预定深度处，通过使用物理气相沉积法在沟槽的内表面和外表面上涂覆磁保持层（106），在铜的整个表面上沉积由铜（Cu）制成的种子层 磁性保持层（106），以预定厚度沉积由Cu制成的导电层（110），以便通过使用电镀方法覆盖形成在种子层顶部上的沟槽（104）并使导电层平坦化（ 110）通过使用化学机械抛光（CMP）方法直到暴露绝缘层的顶表面。
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