公开(公告)号：KR1020000009936A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019980030621

申请日：1998-07-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 선호원 ,  김성호 ,  박재환 ,  김윤호

IPC: H01C7/10

Abstract: PURPOSE: A SrTiO3 disc and chip varistors fabrication method are provided to decrease the manufacturing cost and simplify the manufacturing process. CONSTITUTION: The disc-type varistors formation method comprises the steps of mixing, milling and calcinating of SrCO3, BaCO3, CaCO3, TiO2Nb2O5 and SiO2 powder; pressing the powder by disc-type mold; sintering at deoxidation atmosphere; re-oxidizing at 800-1000°C, thereby forming a disc-type varistors; forming electrodes at upper and lower parts of the disc-type varistors, respectively; and bonding a lead wire to the electrodes. Also, the chip-type ceramic varistors fabrication method is same as the disc-type.

Abstract translation: 目的：提供SrTiO3磁盘和片式压敏电阻制造方法，以降低制造成本，简化制造工艺。 构成：盘式变阻器的形成方法包括混合，研磨和煅烧SrCO3，BaCO3，CaCO3，TiO2Nb2O5和SiO2粉末的步骤; 用盘式模具压粉; 在脱氧气氛下烧结; 在800-1000℃再氧化，从而形成盘式变阻器; 分别在盘式变阻器的上部和下部形成电极; 并且将引线接合到所述电极。 此外，芯片式陶瓷压敏电阻的制造方法与盘式相同。

公开(公告)号：KR100319059B1

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：KR1019990002445

申请日：1999-01-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 선호원 ,  김성호 ,  박재관 ,  김윤호

IPC: H01L29/92

Abstract: 본발명은저전압바리스터-커패시터복합소자제조방법에관한것으로, 종래 SrTiO바리스터는비직선계수가작고, 항복전압이크기때문에이용범위에제한이많아상용화가용이하지않은문제점이있었다. 이와같은문제점을감안한본 발명은 SrTiO시편을제조하는단계와; 상기 SrTiO에 900℃의온도에서 BiO를확산시키는단계와; 상기 BiO가확산된 SrTiO시편의양측면에은전극을형성하는단계로구성되어 SrTiO의입계에 BiO를확산시켜, 저전압에서동작하며, 항복전압이낮고비선형계수를증가시킨저전압바리스터-커패시터복합소자를형성할수 있게되어, 그적용범위를확대시켜 SrTiO바리스터-커패시터를상용화할 수있는효과가있다.

公开(公告)号：KR100295282B1

公开(公告)日：2001-07-12

申请号：KR1019980030621

申请日：1998-07-29

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 선호원 ,  김성호 ,  박재환 ,  김윤호

IPC: H01C7/10

Abstract: 본 발명은 SrTiO
3 계 바리스터에 관한 것이며 특히 저 전압용 칩 바리스터 제조를 위한 바리스터 제조설계기술에 관한 것이다. 본 발명은 디스크 형상 및 적층형 칩 바리스터에서 탈피하여 새로운 제조방법을 적용하므로써 본래의 유전율과 비직선계수 값은 유지하면서 제조단가의 감소 및 대랑생산이 가능한 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020000051804A

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019990002445

申请日：1999-01-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 선호원 ,  김성호 ,  박재관 ,  김윤호

IPC: H01L29/92

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a low voltage varistor-capacitor composite device is to allow a SrTiO3 varistor to have a high non-linearity coefficient and a low breakdown voltage. CONSTITUTION: A fabrication method of a low voltage varistor-capacitor composite device comprises the steps of: preparing a SrTiO3 substrate; diffusing Bi2O3 into the SrTiO3 substrate; and forming a silver electrode on both surfaces of the SrTiO3 substrate. The preparing step of the SrTiO3 comprises the steps of: mixing SrCO3, TiO2 and Nb2O5 in a mixing ratio of 1:1.01:0.006; wet-milling the mixed particles; drying the milled mixture; calcining the dried mixture to form an SrTiO3 powder; compacting the SrTiO3 powder; and sintering the resultant medium in a reduction ambient.

Abstract translation: 目的：低压变阻器 - 电容器复合器件的制造方法是使SrTiO3变阻器具有高非线性系数和低击穿电压。 构成：低压变阻器 - 电容器复合器件的制造方法包括以下步骤：制备SrTiO 3衬底; 将Bi2O3扩散到SrTiO3衬底中; 并在SrTiO3基板的两个表面上形成银电极。 SrTiO3的制备步骤包括以1：1.01：0.006的混合比混合SrCO3，TiO2和Nb2O5; 湿磨混合颗粒; 干燥研磨混合物; 煅烧干燥的混合物以形成SrTiO 3粉末; 压制SrTiO3粉末; 并在还原环境中烧结所得的介质。