公开(公告)号：KR100517992B1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：KR1020030007079

申请日：2003-02-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  송상훈

IPC: H01F1/40

CPC classification number: H01F10/193 ,  H01F1/405 ,  H01F41/20

Abstract: 본 발명은 높은 큐리온도를 가지는 Ge-Mn계 비정질 자성반도체에 관한 것이다. 가장 대표적인 자성반도체로는 Ⅱ-Ⅵ와 Ⅲ-Ⅴ 계 결정이 있으며, 아주 최근에는 Ⅳ 족인 Ge 계 결정상 자성반도체에 대한 결과가 보고되었다. 이러한 자성반도체들은 큐리온도가 최고 약 116K 정도로 매우 낮아 실용화에 큰 장애가 되고 있다. 큐리온도가 낮은 원인은 아직까지 확실히 밝혀지지 않고 있으나, 결정상에 고용되는 자성금속(주로 3d 천이금속들)의 함량이 아주 낮기 때문으로 인식되고 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위하여 열 증착 기술을 사용하여 Ge-Mn 합금을 비정질 상태로 제조하였다. 석출물의 형성 없이 많은 함량의 Mn이 Ge에 고용되었으며, 이러한 결과로서 250 K의 비교적 높은 큐리온도가 달성되었다.
따라서, 본 발명은 차세대 전자소자로 주목받고 있는 스핀전자소자의 핵심재료로 활용될 것으로 기대된다. 즉, 자성반도체는 자기적으로는 강자성이면서 전기적으로는 반도체의 성질을 동시에 갖는 물질인데, 스핀전자소자에서 전자의 스핀을 분극시키는 재료로서 활용이 기대된다.

公开(公告)号：KR101758355B1

公开(公告)日：2017-07-31

申请号：KR1020160010732

申请日：2016-01-28

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인 아산사회복지재단 ,  울산대학교 산학협력단

Inventor： 이관희 ,  전민홍 ,  박성욱 ,  명승재 ,  김청수 ,  정인갑 ,  송상훈

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/493 ,  G01N33/574 ,  G01N33/68

CPC classification number: G01N27/4145 ,  C12Q1/682 ,  C12Q1/6825 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/493 ,  G01N33/54373 ,  G01N33/57434 ,  G01N33/57484

Abstract: 소변에서비침적인방법으로소변내 분석물을검출할수 있는반도체기반의이온감응소변센서(Ion Responsive Urine Sensor: IRUS)에관한것으로, 일양상에따른소변센서에의하면편안한상태의컨디션에서의진단을통해정확한진단이가능하고현장진단(Point-of-care: POC)에서사용이가능한효과가있다.

Abstract translation: （IRUS），其能够以非侵入性的方式检测尿液分析物。根据尿液传感器的一个方面， 诊断并可用于即时护理（POC）。

公开(公告)号：KR1020040070868A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：KR1020030007079

申请日：2003-02-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 임상호 ,  송상훈

IPC: H01F1/40

CPC classification number: H01F10/193 ,  H01F1/405 ,  H01F41/20

Abstract: PURPOSE: A method is provided to increase a curie temperature by forming a Ge-Mn alloy into an amorphous state and using a large amount of Mn. CONSTITUTION: A method comprises a step of designing a Ge-Mn alloy by reflecting thermodynamic properties of Ge semiconductor and Mn magnetic metal; and a step of producing a Ge-Mn alloy thin film by applying different thermal energies to the Ge semiconductor and Mn magnetic metal and performing a simultaneous evaporation through the use of a co-thermal evaporation process. The Ge-Mn alloy has an amorphous state so as to maintain a single phase and contain a magnetic metal of high content of 0 to 48 atomic percent.

Abstract translation: 目的：通过将Ge-Mn合金形成为非晶状态并使用大量的Mn来提高居里温度的方法。 构成：一种方法包括通过反映Ge半导体和Mn磁性金属的热力学性质来设计Ge-Mn合金的步骤; 以及通过对Ge半导体和Mn磁性金属施加不同的热能并通过使用共热蒸发工艺进行同时蒸发来生产Ge-Mn合金薄膜的步骤。 Ge-Mn合金具有非晶状态，以保持单相并含有0至48原子％的高含量的磁性金属。