-
公开(公告)号：KR1020040021213A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：KR1020020052802
申请日：2002-09-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F1/053
Abstract: PURPOSE: A method is provided to reduce eddy current losses and achieve improved characteristics even in the high frequency. CONSTITUTION: A method comprises a step of designing an alloy by reflecting magnetic and mechanical properties; a step of forming Fe-Al based and Fe-Co based alloy ingots by using a vacuum induction melting system or a vacuum arc melting system; a step of grinding the alloy ingots into lamellar powder; a step of mixing a polymer binder and the lamellar powder; and a step of compacting and hardening the mixture.
Abstract translation: 目的：提供一种降低涡流损耗的方法，即使在高频下也能实现改进的特性。 构成：一种方法包括通过反映磁性和机械性能来设计合金的步骤; 通过使用真空感应熔炼系统或真空电弧熔化系统形成Fe-Al系和Fe-Co基合金锭的步骤; 将合金锭研磨成层状粉末的步骤; 混合聚合物粘合剂和层状粉末的步骤; 以及压实和硬化混合物的步骤。
-
公开(公告)号：KR100284465B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980002663
申请日：1998-01-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F1/059
Abstract: 본 발명은 조성식
Sm
x Fe
y B
z
(상기 식에서 x, y 및 z는 각각 원자 %로서,
24.0 ≤ x ≤ 57.8,
41.8 ≤ y ≤ 75.3,
0.4 ≤ z ≤ 0.7,
단, x + y + z = 100임)인 Sm-Fe-B계 거대 자기 변형 합금 박막에 관한 것으로서, 특히 본 발명에 따른 자기 변형 합금 박막은 낮은 인가 자기장에서도 높은 자기 변형치를 나타낸다.-
公开(公告)号：KR1019990066594A
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019980002647
申请日：1998-01-31
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 두께가 약 1 내지 20μm인 실리콘 마이크로 구조물에 다음의 조성식,
Sm
x Fe
y
[이때, x,y는 원자%로서, 23≤x≤58, 42≤y≤77 (단, x+y=100)]
또는,
Sm
x Fe
y B
z
[이때, x,y,z는 원자%로서, 23≤x≤58, 42≤y≤77, 및 0.4≤z≤0.7 (단, x+y+z=100)]
으로 이루어진 거대 자기변형 합금 박막이 코팅되어 있는 자기변형 합금 박막 실리콘 마이크로 캔티레버에 대한 것으로서, 본 발명의 캔티레버는 낮은 자기장에서도 큰 변위를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1019970010994A
公开(公告)日：1997-03-27
申请号：KR1019950027100
申请日：1995-08-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C45/02
Abstract: 본 발명은 TbFe
3 에 소량의 B가 첨가되어 이루어진 삼원계 Tb-Fe_B 자기 변형 합금에 관한 것이다. 본 발명의 자기 변형 합금은 Tb 21.25내지 23.75원자%, Fe 63.75내지 71.25원자%, 및 B5내지 15원자%로 이루어진 모합금을 용해시킨 용탕을 불활성 분위기 하에서 10내지 50m/초의 선속도로 회전하는 냉각롤 위로 분사키며 급냉시킴에 의해 박대 형태로 제조된다. 본 발명에 의해 제조된 자기 변형 합금은 낮은 자기장에서 우수한 자기 변형 특성을 나타낸다.-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100460131B1
公开(公告)日：2004-12-03
申请号：KR1020020025317
申请日：2002-05-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/187
CPC classification number: G11B5/00 , G11B5/1871 , G11B5/23 , G11B5/3183 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11B2005/001 , G11B2005/0013 , Y10T29/49036 , Y10T29/49041
Abstract: The present invention relates to the method of optimizing of planar type write heads for ultra high density magnetic recording. More particularly, the invention relates to a planar type write head for an ultra high density drive which can record information on a medium with high magneto-crystalline anisotropy. One of the most serious problems for high density recording is thermal fluctuation and this problem can be solved by using a medium with high magneto-crystalline anisotropy. However, this requires a write head capable of generating a high write field According to the present invention, the method of optimizing a planar type write head for ultra high density magnetic recording comprises the step of optimizing the characteristics of the write head by changing the shape parameters of the write head using the first, second a0nd third type shape control methods.
Abstract translation: 本发明涉及用于超高密度磁记录的平面型写磁头的优化方法。 更具体地说，本发明涉及一种用于超高密度驱动的平面型写头，其可以在具有高磁 - 晶各向异性的介质上记录信息。 高密度记录最严重的问题之一是热波动，并且这个问题可以通过使用具有高磁 - 晶各向异性的介质来解决。 然而，这需要能够产生高写入场的写入头。根据本发明，优化用于超高密度磁记录的平面型写入头的方法包括通过改变写入头的形状来优化写入头的特性的步骤 写头的参数使用第一，第二和第三类型形状控制方法。
-
公开(公告)号：KR100275652B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019980005499
申请日：1998-02-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/06
Abstract: PURPOSE: A thin film cantilever coated with self-deformation alloy capable of forming a substrate by fine processing of silicon wafers and exhibiting high self-deformation under low magnetic field is provided, which has high displacement under low magnetic field. CONSTITUTION: The titled cantilever is formed of a silicon substrate and a Tb-Fe-B based giant self-deformation alloy thin film coated on one surface of the silicon substrate. The Tb-Fe-B based giant self-deformation alloy thin film has the formula: TbxFeyBz in which x, y, z are atom % and 43.5≤x≤62.4, 37.3≤y≤56.5 and z≤ 0.4(x+y+z=100).
Abstract translation: 目的：提供一种能够通过硅晶片的精细加工形成基底并在低磁场下显示高自变形的自变形合金的薄膜悬臂，其在低磁场下具有高位移。 构成：标题悬臂由硅衬底和涂覆在硅衬底的一个表面上的Tb-Fe-B基巨型自变形合金薄膜形成。 Tb-Fe-B型巨型自变形合金薄膜具有下式：Tb x FeyBz，其中x，y，z为原子％，43.5≤x≤62.4,37.3≤y≤56.5，z≤0.4（x + y + Z = 100）。
-
公开(公告)号：KR1020000013389A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980032225
申请日：1998-08-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/165 , C22C28/00 , C23C14/3414
Abstract: PURPOSE: A Tb-based giant magnetostriction alloy thin film provides high reaction rate and great magnetostriction event at a low Tb content and hence good characteristics as a driving material of microdevices. CONSTITUTION: The Tb-based giant magnetostriction alloy thin film comprises 42.74 to 55.28 atom % of Tb, 43.47 to 54.1 atom % and 0.4 to 5.59 atom % of B; or 38.44 to 45.90 atom % of Tb, 53.72 to 60.93 atom %, and 0.33 to 2.19 atom % of Sm.
Abstract translation: 目的：基于Tb的巨磁致伸缩合金薄膜在低Tb含量下提供高反应速率和大的磁致伸缩事件，因此作为微器件的驱动材料具有良好的特性。 构成：Tb系大型磁致伸缩合金薄膜含有42.74〜55.28原子％的Tb，43.47〜54.1原子％，B为0.4〜5.59原子％ 或38.44〜45.90原子％的Tb，53.72〜60.93原子％，0.33〜2.19原子％的Sm。
-
公开(公告)号：KR100246014B1
公开(公告)日：2000-03-02
申请号：KR1019960072079
申请日：1996-12-26
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F1/00
CPC classification number: H01F1/15383
Abstract: 산화물의 졸-겔 용액을 제조하는 단계, 졸-겔 용액을 철계 비정질 자성 합금 박대의 표면에 피복하는 단계, 피복된 철계 비정질 자성 합금 박대를 건조시키는 단계, 및 건조된 피복 철계 비정질 자성 합급 박대를 열처리하는 단계로 이루어지는 철계 비정질 자성 합금 박대에 유도 자기 이방성을 형성하는 방법이 제공된다. 산화물의 종류를 적절히 선택함으로써 유도 자기 이방성을 형성시키며, 따라서 직류 및 교류 자기적 성질을 크게 변화시킬 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100517992B1
公开(公告)日：2005-09-29
申请号：KR1020030007079
申请日：2003-02-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01F1/40
CPC classification number: H01F10/193 , H01F1/405 , H01F41/20
Abstract: 본 발명은 높은 큐리온도를 가지는 Ge-Mn계 비정질 자성반도체에 관한 것이다. 가장 대표적인 자성반도체로는 Ⅱ-Ⅵ와 Ⅲ-Ⅴ 계 결정이 있으며, 아주 최근에는 Ⅳ 족인 Ge 계 결정상 자성반도체에 대한 결과가 보고되었다. 이러한 자성반도체들은 큐리온도가 최고 약 116K 정도로 매우 낮아 실용화에 큰 장애가 되고 있다. 큐리온도가 낮은 원인은 아직까지 확실히 밝혀지지 않고 있으나, 결정상에 고용되는 자성금속(주로 3d 천이금속들)의 함량이 아주 낮기 때문으로 인식되고 있다.
본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위하여 열 증착 기술을 사용하여 Ge-Mn 합금을 비정질 상태로 제조하였다. 석출물의 형성 없이 많은 함량의 Mn이 Ge에 고용되었으며, 이러한 결과로서 250 K의 비교적 높은 큐리온도가 달성되었다.
따라서, 본 발명은 차세대 전자소자로 주목받고 있는 스핀전자소자의 핵심재료로 활용될 것으로 기대된다. 즉, 자성반도체는 자기적으로는 강자성이면서 전기적으로는 반도체의 성질을 동시에 갖는 물질인데, 스핀전자소자에서 전자의 스핀을 분극시키는 재료로서 활용이 기대된다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.019 seconds)
