公开(公告)号：KR100219834B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019960034331

申请日：1996-08-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송태권 ,  이전국 ,  정형진

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L21/31 ,  C23C14/35

Abstract: 백금/티탄/산화규소/구소(Pt/Ti/SiO
2 /Si)가 순차적으로 적충된 기판 위에 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물
(SrBi
2
Ta
2
O
9
) 을 박막원료로 하고 알 에프 마그네스트론 스퍼터링법(RF magnetron sputtering)을 이용하여 강유전 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물
(SrBi
2
Ta
2
O
9
) 박막을 제조함에 있어서 일정한 비율로 아르곤과 산소 존재하에 증착시켜 우선 배향성의 불휘발성 강유전 스트론튬 비스무스탄탈륨 산화물
(SrBi
2
Ta
2
O
9
) 박막의 제조방법에 관한 것임.

公开(公告)号：KR1019980015101A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034331

申请日：1996-08-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송태권 ,  이전국 ,  정형진

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L21/31 ,  C23C14/35

Abstract: 백금/티탄/산화규소/규소(Pt/Ti/SiO
2 /Si)가 순차적으로 적층된 기판 위에 스트른튬 비스무스 탄탈륨 산화물(SrBi
2 Ta
2 O
9) 을 박막원료로 하고 알 에프 마그네트론 스퍼터링법(RF magnetron sputtehng)을 이용하여 강유전 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물(SrBi
2 Ta
2 O
9) 박막을 제조함메 있어서, 일정한 비율로 아르곤과 산소 존재하에 증착시켜 우선 배향성의 불휘발성 강유전 스트른튬 비스무스탄탈륨 산화물(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 박막의 제조방법에 관한 것 임.